处理中...

首页  >  产品百科  >  UMH11NFHATN

UMH11NFHATN

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 150mW 500nA 50V 100mA SOT 贴片安装
供应商型号: UMH11NFHATN
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ROHM 三极管(BJT) UMH11NFHATN

UMH11NFHATN概述

    # UMH11N FHA 技术手册:双数字晶体管

    产品简介


    UMH11N FHA 是一款由 ROHM 公司生产的双数字晶体管(Dual Digital Transistors),通过 SOT-363 封装实现。该产品符合 AEC-Q101 标准,适用于多种应用场合,如逆变器、接口和驱动电路。UMH11N FHA 的独特设计使其具有高性能和高可靠性,特别适合需要高速响应的应用场景。

    技术参数


    绝对最大额定值(Ta=25°C)
    - 供电电压(VCC): 50V
    - 输入电压(VIN): -10V 至 40V
    - 输出电流(IO): 50mA
    - 集电极最大电流(IC(MAX)): 100mA
    - 功耗(PD): 150mW(总功率)
    - 结温(Tj): 150°C
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C 至 +150°C
    电气特性(Ta=25°C)
    - 输入电压(VI(off)): VCC=5V, IO=100μA 时为 - 至 0.5V
    - 输入电压(VI(on)): VO=0.3V, IO=10mA 时为 3V 至 -
    - 输出电压(VO(on)): IO=10mA, II=0.5mA 时为 - 至 300mV
    - 输入电流(II): VI=5V 时为 - 至 880μA
    - 输出电流(IO(off)): VCC=50V, VI=0V 时为 - 至 500nA
    - 直流电流增益(GI): VO=5V, IO=5mA 时为 30 至 -
    - 输入电阻(R1): 7kΩ 至 13kΩ
    - 电阻比(R2/R1): 0.8 至 1.2
    - 转换频率(fT): VCE=10V, IE=-5mA 时为 - 至 250MHz

    产品特点和优势


    1. 集成两个 DTC114E 晶体管:每个 UMT6 封装内包含两个独立的晶体管。
    2. 兼容自动贴片机:可以使用 UMT3 自动贴片机进行安装。
    3. 消除干扰:晶体管元件独立工作,减少了干扰。
    4. 成本和空间节省:由于元件独立且集成度高,可以将安装成本和面积减半。

    应用案例和使用建议


    UMH11N FHA 主要应用于逆变器、接口和驱动电路。根据手册中的应用说明,该产品可以用于以下场合:
    - 逆变器:用于功率转换和调节。
    - 接口电路:实现信号的传输和处理。
    - 驱动电路:控制电机和其他执行机构。
    使用建议:
    1. 考虑温度影响:使用过程中要注意环境温度,避免超过绝对最大额定值。
    2. 静电防护:操作时要注意静电防护,以防止损坏。
    3. 合理布局:根据手册中的建议进行电路板设计,避免不当连接导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 封装规格:UMH11N FHA 使用 SOT-363 封装。
    - 包装规格:每个包装包含 3000 个单位,采用带卷包装。
    - 制造商支持:ROHM 提供详细的安装规范和技术支持文档,确保用户能够正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免静电损坏?
    - 答:在制造过程和存储过程中采取适当的预防措施,确保不施加超过产品最大额定值的电压。例如,接地人体、设备和烙铁,隔离带电物体,设置离子发生器等。
    2. 问:产品使用前需要确认哪些事项?
    - 答:确保产品的特性、可靠性和其他参数符合预期要求,特别是在特殊或极端环境下使用时。注意温度、湿度、环境腐蚀等问题。

    总结和推荐


    UMH11N FHA 双数字晶体管具有紧凑的封装、独立的晶体管设计、高可靠性等特点,使其成为逆变器、接口和驱动电路的理想选择。此外,ROHM 提供详尽的技术支持文档,确保用户能够高效使用该产品。总体而言,我们强烈推荐使用这款高性能的晶体管产品。

UMH11NFHATN参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
配置 separate,2elementswithbuilt-inresistor
集电极电流 100mA
最大功率耗散 150mW
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 500µA,10mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UMH11NFHATN厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UMH11NFHATN数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 三极管(BJT) ROHM UMH11NFHATN UMH11NFHATN数据手册

UMH11NFHATN封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3129
30000+ ¥ 0.3035
库存: 31500
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 938.7
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2694.1015
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 202.4755
2N2222AUB ¥ 299.5964
2N2222AUB ¥ 0