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UMG11NTR

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 300mV@ 250µA,5mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 150mW 500nA 50V 100mA SOT-353-5 贴片安装 2mm*1.7mm*770μm
供应商型号: A-UMG11NTR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) UMG11NTR

UMG11NTR概述

    EMG11 / UMG11N Datasheet:双数字晶体管的技术概述



    产品简介



    EMG11 / UMG11N 是一款采用SOT-553(EMT5)和SOT-353(UMT5)封装的双数字晶体管,适用于逆变器、接口和驱动器等应用。这款产品集成了两个DTC123J芯片,具有低成本和节省空间的优势。


    技术参数



    绝对最大额定值

    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    |------------------|----------|----------|--------|
    | 供电电压 | VCC | 50 | V |
    | 输入电压 | VIN | -5至12 | V |
    | 输出电流 | IO | 100 | mA |
    | 最大集电极电流 | IC(MAX) | 100 | mA |
    | 功耗 | PD | 150 | mW |
    | 结温 | Tj | 150 | ℃ |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55至+150| ℃ |

    电气特性

    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |------------------|----------|--------------------|--------|--------|--------|--------|
    | 输入电压OFF | VI(off) | VCC=5V, IO=100μA 0.5 | V |
    | 输入电压ON | VI(on) | VO=0.3V, IO=5mA | 1.1 V |
    | 输出电压ON | VO(on) | IO=5mA, II=0.25mA 100 | 300 | mV |
    | 输入电流 | II | VI=5V 3.6 | mA |
    | 输出电流OFF | IO(off) | VCC=50V, VI=0V 500 | nA |
    | 直流电流增益 | GI | VO=5V, IO=10mA | 80 - |
    | 输入电阻 | R1 1.54 | 2.2 | 2.86 | kΩ |
    | 电阻比 | R2/R1 17 | 21 | 26 | - |
    | 转换频率 | fT | VCE=10V, IE=-5mA, f=100MHz 250 MHz |


    产品特点和优势



    1. 集成两个DTC123J芯片,有效降低了成本和安装面积。
    2. 在25℃环境下,具有优异的电气特性和稳定的工作特性。
    3. 灵活的封装选项(SOT-553和SOT-353),方便不同的应用场景需求。


    应用案例和使用建议



    应用案例

    - 逆变器:用于电源转换场合。
    - 接口:在各种控制系统和电路接口中应用。
    - 驱动器:控制电机和其他执行机构。

    使用建议

    1. 确保操作温度在规定的范围内,特别是在高功率应用时需注意散热。
    2. 避免在特殊或极端环境中使用,如湿度大、腐蚀性气体、高温等场合。
    3. 使用过程中进行充分的测试和验证,确保性能稳定可靠。


    兼容性和支持



    EMG11 / UMG11N 支持多种封装,可适应不同应用需求。制造商提供详细的应用指导和技术支持,以确保产品在各类应用中发挥最佳性能。


    常见问题与解决方案



    常见问题及解决办法

    1. 问题:设备过热
    - 解决方法:增加散热片,确保良好的通风条件。

    2. 问题:输出不稳定
    - 解决方法:检查输入电压和负载电流,确保在规定范围内。

    3. 问题:设备无法正常启动
    - 解决方法:检查连接线缆是否正确,确认供电系统正常。


    总结和推荐



    EMG11 / UMG11N 作为一款高性能、低成本的双数字晶体管,广泛适用于逆变器、接口和驱动器等领域。其优良的电气特性和可靠性使其在市场上具有显著的竞争优势。建议在设计相关电路时,充分考虑其特性,并严格遵循制造商提供的使用指南,以确保产品的稳定运行和长期可靠使用。

UMG11NTR参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 250µA,5mA
集电极截止电流 500nA
集电极电流 100mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大功率耗散 150mW
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
配置
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 250µA,5mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
长*宽*高 2mm*1.7mm*770μm
通用封装 SOT-353-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UMG11NTR厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UMG11NTR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 三极管(BJT) ROHM UMG11NTR UMG11NTR数据手册

UMG11NTR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.3033
100+ ¥ 1.2575
1500+ ¥ 0.7696
3000+ ¥ 0.5572
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