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EMG11T2R

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 300mV@ 250µA,5mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 150mW 500nA 50V 100mA EMT-5 贴片安装 1.6mm*1.2mm*500μm
供应商型号: A-EMG11T2R
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) EMG11T2R

EMG11T2R概述

    #

    产品简介


    EMG11 / UMG11N 发射器共用(双数字晶体管)
    EMG11 和 UMG11N 是由 ROHM 制造的发射器共用双数字晶体管。它们适用于逆变器、接口和驱动器等应用领域。这两款晶体管均采用 SOT-553 和 SOT-353 封装,具有高效能和高可靠性。

    技术参数


    以下是 EMG11 和 UMG11N 的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 值 (单位) |
    |
    | 供电电压 | VCC | 50V |
    | 最大集电极电流 | IC(MAX) | 100mA |
    | 输入电压 | VIN | -5至+12V |
    | 输出电流 | IO | 100mA |
    | 功耗 | PD | 150mW(总) |
    | 结温 | Tj | 150℃ |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55至+150℃ |
    电气特性(Ta = 25°C):
    | 参数 | 符号 | 条件 | 值 (单位) |
    ||
    | 输入电压(关态) | VI(off) | VCC = 5V, IO = 100μA | - | 0.5V |
    | 输入电压(开态) | VI(on) | VO = 0.3V, IO = 5mA | 1.1 | - |
    | 输出电压(开态) | VO(on) | IO = 5mA, II = 0.25mA | - | 300mV |
    | 输入电流 | II | VI = 5V | - | 3.6mA |
    | 输出电流(关态) | IO(off) | VCC = 50V, VI = 0V | - | 500nA |
    | 直流电流增益 | GI | VO = 5V, IO = 10mA | 80 | - |
    | 输入电阻 | R1 | - | 1.54 | 2.2 | 2.86 kΩ |
    | 电阻比 | R2/R1 | - | 17 | 21 | 26 |
    | 转换频率 | fT | VCE = 10V, IE = -5mA, f = 100MHz | - | 250 | MHz |

    产品特点和优势


    1. 内置两个 DTC123J 晶体管:EMG11 和 UMG11N 都在一个 EMT 或 UMT 封装内集成两个 DTC123J 晶体管,提高了集成度。
    2. 降低安装成本和面积:通过集成两个晶体管,可以将安装成本和面积减少一半,提高效率并简化电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 逆变器:适用于需要高效能逆变的应用场景,如电源转换器。
    - 接口:适用于各种通信接口,如 USB、UART 等。
    - 驱动器:适用于电机驱动和其他驱动控制应用。
    使用建议
    - 选择合适的封装:根据应用需求选择 SOT-553 或 SOT-353 封装。
    - 注意输入电压范围:确保输入电压不超过规定的范围,以避免损坏。
    - 合理设计散热:考虑到最大功耗为 150mW,设计时应考虑适当的散热措施。

    兼容性和支持


    EMG11 和 UMG11N 具有良好的兼容性,可与多种电路板设计和外部电路配合使用。ROHM 提供技术支持和维护服务,用户可以通过 ROHM 销售代表获取帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过高的输入电压导致损坏。
    2. 输出电流不稳定。
    3. 封装损坏或焊点问题。
    解决方案
    1. 输入电压问题:确保输入电压不超过规定值,建议使用稳压电路保护。
    2. 输出电流问题:检查负载情况,必要时增加外接限流电阻。
    3. 封装和焊点问题:确保焊接工艺符合要求,使用合适的助焊剂,焊接后及时清洗残留物。

    总结和推荐


    EMG11 和 UMG11N 是性能优良的双数字晶体管,适用于多种电子设备。其紧凑的封装和高集成度使其在逆变器、接口和驱动器等领域具备显著优势。推荐在逆变器、通信接口及驱动控制等应用中使用这些产品。同时,注意使用过程中的注意事项,确保充分发挥其性能。

EMG11T2R参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 100mA
集电极截止电流 500nA
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 150mW
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 250µA,5mA
配置 双共发射极
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 250µA,5mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*500μm
通用封装 EMT-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

EMG11T2R厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

EMG11T2R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ROHM 三极管(BJT) ROHM EMG11T2R EMG11T2R数据手册

EMG11T2R封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.5501
100+ ¥ 2.0129
1000+ ¥ 1.2761
4000+ ¥ 0.8653
8000+ ¥ 0.6446
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