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70T659S10BFI

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
产品描述: 4.5Mb (128K x 36) 128 k x 36 2.4V 445mA 2.6V Parallel CABGA-208 贴片安装 15mm*15mm*1.4mm
供应商型号: Q-70T659S10BFI
供应商: 期货订购
标准整包数: 21
RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) 70T659S10BFI

70T659S10BFI概述

    高速2.5V 256/128K x 36 异步双端口静态RAM技术手册



    1. 产品简介




    产品类型:
    高速2.5V 256/128K x 36异步双端口静态RAM(SRAM)是IDT公司生产的电子元器件,适用于需要高性能和高可靠性的存储解决方案的应用场景。

    主要功能:
    - 支持双端口访问,允许两个独立的数据流同时读写同一个内存位置。
    - 快速写入模式(RapidWrite Mode),简化高速连续写操作。
    - 自动功耗管理,通过芯片使能(CE0或CE1)进入低功耗模式。
    - JTAG测试支持,符合IEEE 1149.1标准。

    应用领域:
    广泛应用于计算机系统、嵌入式系统、服务器和工业自动化等领域,特别适合于72位或更宽的数据总线系统。


    2. 技术参数




    电气特性:
    - 工作电压:2.5V(±100mV)用于核心供电;I/O和控制信号可以选择3.3V(±150mV)或2.5V(±100mV)供电。
    - 输入高电平电压(VIH):1.7V 至 VDDQ + 100mV。
    - 输入低电平电压(VIL):-0.3V 至 0.7V。
    - 输出电容:COUT ≤ 10.5pF(@TA = +25°C, F = 1.0MHz)。
    - 最大输入电容:CIN ≤ 8pF(@TA = +25°C, F = 1.0MHz)。

    性能参数:
    - 商用温度范围:0°C至+70°C。
    - 工业温度范围:-40°C至+85°C。
    - 访问速度:商业级最高可达10ns,工业级最高可达10ns。

    支持环境:
    - 单一2.5V供电。
    - 提供两种封装选择:256球栅阵列(BGA)和208引脚细间距四边扁平封装(PQFP)。


    3. 产品特点和优势




    独特功能:
    - 双端口设计允许同时访问同一内存位置,提高系统并发处理能力。
    - 支持多种配置选项,可根据不同应用需求灵活选择供电电压。
    - 集成了多项硬件功能,如仲裁逻辑、互斥信号硬件支持,增强了系统的稳定性和可靠性。

    优势:
    - 在高密度数据处理和高速通信系统中表现出色,满足了对速度和容量的严格要求。
    - 采用异步操作模式,减少时序依赖,提升系统设计的灵活性。
    - 低功耗设计,满足便携设备和节能要求。


    4. 应用案例和使用建议




    应用案例:
    - 计算机系统:作为高速缓存或主内存,提高系统整体性能。
    - 嵌入式系统:实时控制系统中,实现高效的数据交换和管理。
    - 服务器:作为数据中心的关键存储单元,确保数据的快速读写。

    使用建议:
    - 根据具体应用需求,合理配置OPT(Option)引脚,以获得最佳的供电电压匹配。
    - 利用RapidWrite Mode进行数据写入,以简化系统设计并提高效率。
    - 注意不同引脚的功能和作用,避免错误配置导致的性能下降。


    5. 兼容性和支持




    兼容性:
    - 支持多种封装形式,适用于不同尺寸要求的设计。
    - 配备JTAG接口,便于调试和测试。

    支持信息:
    - 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。


    6. 常见问题与解决方案




    问题:
    - 如何正确设置OPT引脚以匹配所需电压?

    解决方案:
    - 根据产品手册中的指导,将对应引脚设置为VSS(0V)或VDD(2.5V),并相应地提供合适的I/O供电电压(3.3V或2.5V)。

    问题:
    - 如何启用自动睡眠模式?

    解决方案:
    - 将相应的睡眠模式引脚(ZZx)置为高电平,即可使芯片进入睡眠状态,降低功耗。


    7. 总结和推荐




    综合评估:
    - 高速2.5V 256/128K x 36异步双端口静态RAM凭借其出色的性能和高度集成的功能,成为市场上极具竞争力的产品。
    - 它适用于需要高性能存储解决方案的多个应用场景,尤其是72位或更宽的数据总线系统。

    推荐使用:
    - 基于上述分析,强烈推荐使用这款产品,尤其对于追求高性能和稳定性的用户。

70T659S10BFI参数

参数
存储容量 4.5Mb (128K x 36)
最大供电电流 445mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 2.6V
最小工作供电电压 2.4V
组织 128 k x 36
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
长*宽*高 15mm*15mm*1.4mm
通用封装 CABGA-208
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

70T659S10BFI厂商介绍

Renesas Electronics(瑞萨电子)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司专注于微控制器(MCU)、SoC(系统级芯片)、模拟、电源和功率器件等半导体产品的研发、制造和销售。

Renesas Electronics的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。
2. SoC(系统级芯片):集成了处理器、存储器、接口等组件,应用于物联网、智能设备等。
3. 模拟和电源器件:包括放大器、转换器、电源管理芯片等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
4. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,应用于电力电子、新能源汽车等领域。

Renesas Electronics的优势在于:
1. 技术领先:拥有强大的研发实力,不断推出高性能、低功耗的创新产品。
2. 产品丰富:提供广泛的半导体产品线,满足不同应用领域的需求。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品优化。
4. 全球布局:在全球设有研发中心和销售网络,为客户提供便捷的本地化服务。

70T659S10BFI数据手册

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RENESAS ELECTRONICS 静态随机存储器(SRAM) RENESAS ELECTRONICS 70T659S10BFI 70T659S10BFI数据手册

70T659S10BFI封装设计

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42+ $ 193.061 ¥ 1612.0594
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