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KSD363RTU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1V@ 100mA,1A NPN 40W 8V 1mA 300V 120V 6A TO-220-3 通孔安装
供应商型号: KSD363RTU-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSD363RTU

KSD363RTU概述

    KSD363 NPN Epitaxial Silicon Transistor 技术手册



    产品简介



    KSD363 是一款高性能的NPN晶体管,广泛应用于黑白电视水平偏转输出电路。它采用TO-220封装,具有出色的耐热性和稳定性,适用于高电流和电压的应用环境。这款晶体管特别适合需要大功率输出的场合,如电视偏转线圈驱动、逆变器以及其他高压开关应用。


    技术参数



    KSD363的主要技术参数如下:

    | 参数 | 规格 |
    |------------------|-------------------------|
    | 集电极-基极电压 | VCBO=300V |
    | 集电极电流 | IC=6A |
    | 集电极耗散功率 | PC=40W (TC=25°C) |
    | 结温 | TJ=150°C |
    | 存储温度范围 | -55°C 至 150°C |

    电气特性:

    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |----------------------|----------|----------|----------|------|
    | 集电极-基极击穿电压 300 V |
    | 集电极-发射极击穿电压 120 V |
    | 发射极-基极击穿电压 8 V |
    | 集电极截止电流 | 1 mA |
    | 直流电流增益 | 40 | 70-140 | 240
    | 集电极-发射极饱和电压 1 V |
    | 基极-发射极饱和电压 1.5 V |
    | 电流增益带宽积 10 MHz |


    产品特点和优势



    KSD363的主要特点是其高可靠性和大功率输出能力。具体的优势包括:

    - 高电流输出:最高可达到6A的集电极电流。
    - 耐压能力强:高达300V的集电极-基极电压。
    - 大功率处理:能够承受40W的耗散功率,适用于高压高电流的应用。
    - 低饱和电压:有助于减少功耗,提高效率。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 150°C 的存储温度范围,确保在极端环境下的可靠性。


    应用案例和使用建议



    KSD363在黑白电视水平偏转输出电路中有广泛应用。例如,在电视机的偏转线圈驱动电路中,它可以有效地提供所需的高电流和电压。为了充分发挥其性能,建议用户遵循以下使用建议:

    - 在安装时确保良好的散热措施,以防止过热。
    - 检查电源电压和电流限制,确保不超过KSD363的最大额定值。
    - 使用高质量的印刷电路板(PCB),以减少寄生效应并确保信号完整性。


    兼容性和支持



    KSD363与标准的TO-220封装兼容,易于安装在大多数现有的设计中。ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决可能出现的问题。此外,还可以通过ON Semiconductor的官方网站获取更多技术支持信息。


    常见问题与解决方案



    根据手册中的信息,常见的问题及解决方案包括:

    - 问题:晶体管过热。
    解决方法:增加散热片或改善散热通道,避免长时间过载运行。

    - 问题:饱和电压过高。
    解决方法:检查电路中的偏置电阻,适当调整以降低基极电流。

    - 问题:电流增益不稳定。
    解决方法:确保输入信号频率和幅度适中,避免超过规定的最大值。


    总结和推荐



    KSD363是一款高性能的NPN晶体管,具有高电流输出能力和良好的耐热性。其在黑白电视水平偏转输出电路中的表现尤为出色。我们强烈推荐此产品用于需要高电流和电压的应用中。ON Semiconductor提供的全面支持和服务,也使得KSD363成为市场上的一个强有力竞争者。

KSD363RTU参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1V@ 100mA,1A
最大功率耗散 40W
集电极截止电流 1mA
配置 独立式
集电极电流 6A
VCBO-最大集电极基极电压 300V
VEBO-最大发射极基极电压 8V
VCEO-集电极-发射极最大电压 120V
最大集电极发射极饱和电压 1V@ 100mA,1A
晶体管类型 NPN
10.1mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

KSD363RTU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSD363RTU数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR KSD363RTU KSD363RTU数据手册

KSD363RTU封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.4364 ¥ 12.1376
50+ $ 0.6498 ¥ 5.3852
500+ $ 0.4506 ¥ 3.7344
1000+ $ 0.4097 ¥ 3.3956
2000+ $ 0.3753 ¥ 3.1106
5000+ $ 0.3381 ¥ 2.802
10000+ $ 0.3151 ¥ 2.6115
库存: 546
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