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KSB834WYTM

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1V@ 300mA,3A PNP 1.5W 7V 100μA 60V 60V 3A TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: CY-KSB834WYTM
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSB834WYTM

KSB834WYTM概述


    产品简介




    KSB834W PNP硅外延晶体管 是一种低频功率放大器,适用于各种电路设计。作为KSD880W的补充型号,它具备优异的电气特性和较高的可靠性。KSB834W广泛应用于音频放大器、开关电源及工业控制系统等领域。


    技术参数




    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): -60 V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): -60 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): -7 V
    - 集电极电流 (IC): 3 A
    - 基极电流 (IB): 0.5 A
    - 集电极耗散功率 (TC=25°C): 30 W
    - 集电极耗散功率 (Ta=25°C): 1.5 W
    - 结温 (TJ): 150°C
    - 存储温度 (TSTG): -55 ~ 150°C

    - 电气特性
    - 集电极截止电流 (ICBO): -100 µA
    - 发射极截止电流 (IEBO): -100 µA
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): 60 V
    - 直流电流增益 (hFE1): 60 ~ 120
    - 直流电流增益 (hFE2): 100 ~ 200
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): -0.5 ~ 1 V
    - 基极-发射极开启电压 (VBE(on)): -0.7 ~ 1 V
    - 电流增益带宽积 (fT): 9 MHz
    - 输出电容 (Cob): 150 pF
    - 开启时间 (tON): 0.4 µs
    - 存储时间 (tSTG): 1.7 µs
    - 衰减时间 (tF): 0.5 µs


    产品特点和优势




    KSB834W具备以下几个显著特点和优势:
    - 高电流增益(hFE): 在不同条件下提供稳定的直流电流增益,确保信号的可靠传输。
    - 高击穿电压(BVCEO): 提供高达60V的集电极-发射极击穿电压,使其在高压环境中仍能保持良好的稳定性。
    - 快速响应时间: 优秀的开关性能,确保快速的开启和关闭时间。
    - 高集成度: 适用于低频功率放大器的设计,能够满足多种电路需求。


    应用案例和使用建议




    KSB834W可用于以下应用场景:
    - 音频放大器: 由于其高增益和快速响应,非常适合用于音频放大器的设计。
    - 开关电源: 可以在开关电源中实现高效稳定的电源转换。
    - 工业控制系统: 在需要高稳定性的工业控制场合中,KSB834W可以提供可靠的性能。

    使用建议:
    - 确保电路中的电压和电流在安全范围内运行,避免超过绝对最大额定值。
    - 注意散热管理,特别是在高负载情况下,及时采取措施以保证长期稳定运行。


    兼容性和支持




    KSB834W可与其他标准的D2-PAK封装的电子元器件兼容。ON Semiconductor提供技术支持和售后服务,包括在线文档、电话支持和技术培训。如有任何问题,可以通过官方网站或客服热线联系技术支持团队。


    常见问题与解决方案




    | 常见问题 | 解决方案 |
    | --- | --- |
    | 过热损坏 | 检查散热片是否安装正确,确保良好散热。 |
    | 电流过载 | 检查电路设计,限制输入电流不超过额定值。 |
    | 增益不稳定 | 重新调整电路参数,确保电压和电流在正常范围内。 |


    总结和推荐




    KSB834W是一款高性能的PNP硅外延晶体管,具有优良的电气特性和广泛的应用范围。其高增益、快速响应时间和高可靠性使其成为许多电子系统中不可或缺的组件。对于需要高稳定性、高电流增益的应用场合,推荐使用KSB834W。通过合理的散热管理和正确的电路设计,KSB834W能够充分发挥其性能优势。

KSB834WYTM参数

参数
集电极截止电流 100μA
VCBO-最大集电极基极电压 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1V@ 300mA,3A
集电极电流 3A
晶体管类型 PNP
最大功率耗散 1.5W
最大集电极发射极饱和电压 1V@ 300mA,3A
配置 独立式
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
VEBO-最大发射极基极电压 7V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

KSB834WYTM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSB834WYTM数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR KSB834WYTM KSB834WYTM数据手册

KSB834WYTM封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3226 ¥ 2.7766
500+ $ 0.3196 ¥ 2.7514
1000+ $ 0.3107 ¥ 2.6252
5000+ $ 0.3107 ¥ 2.6252
库存: 542
起订量: 361 增量: 1
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最小起订量为:300
合计: ¥ 832.98
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