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MMBT6427

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.5V@ 500µA,500mA NPN - Darlington 350mW 12V 1μA 40V 40V 1.2A SOT-23-3 贴片安装 2.92mm*1.3mm*930μm
供应商型号: AMS-MMBT6427
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) MMBT6427

MMBT6427概述

    NPN Darlington Transistor (2N6427/MMBT6427) 技术手册

    产品简介


    NPN Darlington Transistor 是一种双极型晶体管,设计用于需要极高电流增益的应用场合,如电流达到1.0A。这款晶体管采用Fairchild公司的工艺制造,特别适用于驱动大功率负载,广泛应用于工业自动化、汽车电子、通信设备等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):40V
    - 集电极-基极电压 (VCBO):40V
    - 发射极-基极电压 (VEBO):12V
    - 连续集电极电流 (IC):1.2A
    - 工作和存储结温范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 总器件耗散功率 (PD):625mW(25°C以上,每度减少5.0mW)
    - 热阻 (RθJC):83.3°C/W
    - 热阻 (RθJA):200°C/W
    - 电气特性:
    - 小信号特性:
    - 输出电容 (Cobo):7.0pF
    - 输入电容 (Cibo):15pF
    - 直流电流增益 (hFE):
    - IC = 10mA,VCE = 5.0V:10,000
    - IC = 100mA,VCE = 5.0V:20,000
    - IC = 500mA,VCE = 5.0V:14,000
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):
    - IC = 50mA,IB = 0.5mA:1.2V
    - IC = 500mA,IB = 0.5mA:1.5V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)):2.0V
    - 基极-发射极导通电压 (VBE(on)):1.75V

    产品特点和优势


    1. 高电流增益:NPN Darlington Transistor 的直流电流增益高达140,000,适用于需要极高电流增益的应用。
    2. 宽温度范围:-55°C 至 +150°C 的工作温度范围,使其适用于极端环境下的应用。
    3. 高可靠性:通过严格的电气特性和热特性测试,确保其在各种工况下的稳定运行。
    4. 小型封装:TO-92 和 SOT-23 封装形式,便于集成到各种电子系统中。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:
    - 工业自动化:用于电机控制和驱动电路,提高系统的响应速度和稳定性。
    - 汽车电子:用于点火系统和空调控制系统,提高系统效率和安全性。
    - 通信设备:用于信号放大和驱动电路,提高通信质量。
    2. 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,避免因过热导致性能下降或损坏。
    - 使用前确认集电极电流不超过额定值,以防止过载。
    - 根据实际需求选择合适的封装形式,以便更好地适应应用环境。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2N6427/MMBT6427 可与标准 TO-92 和 SOT-23 插座兼容,易于更换和升级。
    - 支持:Fairchild Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线手册和客户支持热线。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或风扇,改善散热条件。
    2. 问题:集电极电流不稳定。
    - 解决方案:检查电源电压是否稳定,确保负载不会超出器件的额定电流。
    3. 问题:基极-发射极电压波动大。
    - 解决方案:检查基极信号源是否稳定,适当调整基极电阻值。

    总结和推荐


    NPN Darlington Transistor (2N6427/MMBT6427) 是一款高性能的双极型晶体管,具有高电流增益和宽工作温度范围的特点。它广泛适用于工业自动化、汽车电子和通信设备等领域。鉴于其出色的性能和广泛的适用性,强烈推荐使用此款晶体管,以提升系统的整体性能和稳定性。

MMBT6427参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.5V@ 500µA,500mA
集电极截止电流 1μA
最大功率耗散 350mW
晶体管类型 NPN - Darlington
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
VEBO-最大发射极基极电压 12V
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 500µA,500mA
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 40V
集电极电流 1.2A
长*宽*高 2.92mm*1.3mm*930μm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

MMBT6427厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MMBT6427数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR MMBT6427 MMBT6427数据手册

MMBT6427封装设计

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