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MUN5231T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 5mA,10mA NPN - Pre-Biased 310mW 500nA 50V 100mA SOT-323 贴片安装 2.1mm*1.24mm*850μm
供应商型号: FL-MUN5231T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) MUN5231T1G

MUN5231T1G概述

    MUN2231, MMUN2231L, MUN5231, DTC123EE, DTC123EM3, NSBC123EF3 — Digital Transistors (BRT)

    1. 产品简介


    本系列数字晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。BRT 包含一个带有集成双电阻偏置网络的单个晶体管。这两个电阻分别为基极串联电阻和基极-发射极电阻。通过将这些组件集成到单个设备中,BRT 能够减少系统成本并节省电路板空间。这使得电路设计更加简单,减少组件数量,特别适用于汽车和其他需要特定工厂和控制变更要求的应用场合。

    2. 技术参数


    - 最大额定值 (TA = 25°C):
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 持续集电极电流 (IC): 100 mAdc
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 12 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 10 Vdc
    - 热特性:
    - 热阻 (Junction to Ambient):
    - SC-59: RθJA = 540°C/W
    - SOT-23: RθJA = 508°C/W
    - SC-70/SOT-323: RθJA = 618°C/W
    - SC-75: RθJA = 600°C/W
    - SOT-723: RθJA = 480°C/W
    - SOT-1123: RθJA = 493°C/W
    - 电气特性:
    - 关断特性:
    - 基极-集电极截止电流 (VCB = 50 V, IE = 0): ICBO < 100 nAdc
    - 基极-发射极截止电流 (VEB = 6.0 V, IC = 0): IEBO < 2.3 mAdc
    - 开启特性:
    - 直流电流增益 (IC = 5.0 mA, VCE = 10 V): hFE = 8.0 - 15
    - 输出电压 (VCC = 5.0 V, VB = 2.5 V, RL = 1.0 kΩ): VOL < 0.2 Vdc

    3. 产品特点和优势


    - 简化电路设计: 通过将基极电阻和基极-发射极电阻集成在一个封装内,减少了外部组件的需求。
    - 节省空间: 由于将多个组件整合到单一设备中,因此可以显著节省电路板空间。
    - 降低组件计数: 减少了设计中所需的离散组件数量,简化生产过程。
    - 符合严格标准: NSV 前缀标识的设备符合 AEC-Q101 标准,适合于汽车和其他需要特殊工厂和控制变更要求的应用。
    - 环保材料: 这些设备不含铅(Pb-Free),无卤素和无溴化阻燃剂,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 车载电子产品: 如车窗控制系统、车身控制系统等。
    - 工业自动化: 适用于PLC控制系统、传感器节点等。
    - 消费电子产品: 用于电视背光控制、电源管理等领域。
    使用建议:
    - 散热管理: 注意设备的最大额定功率和热阻,确保良好的散热设计,特别是在高功耗条件下使用时。
    - 输入输出匹配: 为了获得最佳性能,输入电压应控制在合适范围内,例如 VCE(sat) 保持在较低水平。

    5. 兼容性和支持


    这些设备广泛应用于各类电路中,并与多种标准电子元器件兼容。Semiconductor Components Industries, LLC 为这些设备提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的产品文档、应用指南和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备出现过热现象。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保合理的散热路径,使用符合设备最大额定值的电源。

    - 问题: 设备电流增益不符合预期。
    - 解决方案: 确保输入电压和电流符合推荐的工作条件,重新检查电路接线。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: 设计简洁、易于集成、环保材料、高性能。
    - 缺点: 价格可能略高于分立元件方案。
    推荐: 强烈推荐在要求高性能、低成本且对系统复杂度有严格要求的应用中使用这些设备。它们在汽车、工业自动化和消费电子领域中表现出色,值得考虑。

MUN5231T1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 5mA,10mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大功率耗散 310mW
集电极电流 100mA
配置 独立式
集电极截止电流 500nA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
VCBO-最大集电极基极电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA,10mA
长*宽*高 2.1mm*1.24mm*850μm
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

MUN5231T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MUN5231T1G数据手册

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MUN5231T1G封装设计

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