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KSE210STU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.8V@ 1A,5A PNP 15W 8V 100nA 40V 25V 5A TO-126-3 通孔安装 8mm*3.25mm*11mm
供应商型号: FL-KSE210STU
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSE210STU

KSE210STU概述


    产品简介


    KSE210是一款PNP外延硅晶体管,属于ON Semiconductor的产品线。该器件主要用于放大和开关电路,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。KSE210是KSE200的互补型号,能够实现高效的信号处理和功率控制。

    技术参数


    以下是KSE210的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 40 V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 25 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 8 V
    - 集电极电流 (IC): 5 A
    - 集电极耗散功率 (TC=25°C): 15 W
    - 结温 (TJ): 150°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -65°C 到 150°C
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): -25 V
    - 集电极截止电流 (ICBO): -100 nA
    - 发射极截止电流 (IEBO): -100 nA
    - 直流电流增益 (hFE):
    - VCE = -1V, IC = -500 mA: 70
    - VCE = -1V, IC = -2 A: 45
    - VCE = -2V, IC = -5 A: 10
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):
    - IC = -500 mA, IB = -50 mA: -0.3 V
    - IC = -2 A, IB = -200 mA: -0.75 V
    - IC = -5 A, IB = -1 A: -1.8 V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): -2.5 V
    - 基极-发射极开启电压 (VBE(on)): -1.6 V
    - 电流增益带宽积 (fT): 65 MHz (IC = -100 mA)
    - 输出电容 (Cob): 120 pF

    产品特点和优势


    - 低集电极-发射极饱和电压:确保较低的功耗,提高电路效率。
    - 高电流增益带宽积:达到65 MHz(IC = -100 mA),适合高频信号处理。
    - 互补型号:KSE210作为KSE200的互补型号,提供全面的信号处理解决方案。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    KSE210常用于音频放大器、开关电源和工业控制系统中。例如,在音频放大器中,KSE210可以用于驱动扬声器,而其高电流增益带宽积使其在高频信号下表现优异。
    使用建议
    - 在选择外部元件时,确保它们与KSE210的电压和电流范围相匹配。
    - 在使用过程中,注意保持散热良好,以防止过热损坏。
    - 使用前务必检查KSE210的型号编号是否有更新,避免因部分型号需要修改编号而导致的混淆。

    兼容性和支持


    KSE210具有良好的通用性,能够与多种电路设计兼容。ON Semiconductor提供详尽的技术支持和文档资料,帮助用户更好地理解和使用该产品。如有任何技术问题,可联系ON Semiconductor的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定KSE210是否适用于特定的应用?
    - 解答:在选择之前,需验证产品的电气特性是否满足应用需求,特别是电压和电流范围。可以参考技术手册中的典型特性和电气特性表。

    - 问题:如何正确安装KSE210以避免损坏?
    - 解答:确保安装过程中无静电影响,使用防静电手套和工具。安装时应遵循数据手册中的封装图,确保引脚正确对齐。

    总结和推荐


    综上所述,KSE210是一款性能优越、应用广泛的PNP外延硅晶体管。其低饱和电压和高电流增益带宽积使其在多种应用中表现出色。ON Semiconductor提供的技术支持和详尽文档,进一步增强了产品的易用性和可靠性。因此,对于需要高性能PNP晶体管的应用场合,我们强烈推荐使用KSE210。

KSE210STU参数

参数
配置 独立式
集电极电流 5A
VCBO-最大集电极基极电压 40V
VCEO-集电极-发射极最大电压 25V
最大集电极发射极饱和电压 1.8V@ 1A,5A
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 PNP
最大功率耗散 15W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.8V@ 1A,5A
VEBO-最大发射极基极电压 8V
长*宽*高 8mm*3.25mm*11mm
通用封装 TO-126-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

KSE210STU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSE210STU数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR KSE210STU KSE210STU数据手册

KSE210STU封装设计

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