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KSC5305DTU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 500mV@ 400mA,2A NPN 75W 12V 10μA 800V 400V 5A TO-220-3 通孔安装
供应商型号: FL-KSC5305DTU
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSC5305DTU

KSC5305DTU概述

    # KSC5305D NPN Silicon Transistor 技术手册综述

    产品简介


    KSC5305D 是一款 NPN 硅晶体管,专为高电压和高速功率开关应用设计。内置自由轮转二极管使其能够在饱和状态下高效运行。此外,该晶体管还适用于半桥型照明镇流器应用。由于其低基极驱动要求和小的存储时间变化范围,即使对于角质品也不需要关注 hFE 值的变化。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-基极击穿电压 (VCBO): 800 V
    - 集电极-发射极击穿电压 (VCEO): 400 V
    - 发射极-基极击穿电压 (VEBO): 12 V
    - 集电极电流 (IC, DC): 5 A
    - 集电极电流 (IC, 脉冲): 10 A
    - 基极电流 (IB, DC): 2 A
    - 基极电流 (IB, 脉冲): 4 A
    - 功耗 (TC=25°C): 75 W
    - 结温 (TJ): 150 °C
    - 存储温度 (TSTG): -65 至 150 °C
    热特性
    - 热阻 (Rθjc): 1.65 °C/W
    - 热阻 (Rθja): 62.5 °C/W
    电气特性
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): 800 V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): 400 V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): 12 V
    - 集电极截止电流 (ICBO): 10 µA
    - 发射极截止电流 (IEBO): 10 µA
    - 直流电流增益 (hFE1, hFE2):
    - VCE=1V, IC=0.8A 时:22
    - VCE=1V, IC=2A 时:8
    - 饱和电压 (VCE(sat)):
    - IC=0.8A, IB=0.08A 时:0.4 V
    - IC=2A, IB=0.4A 时:0.5 V
    - 饱和电压 (VBE(sat)):
    - IC=0.8A, IB=0.08A 时:1.0 V
    - IC=2A, IB=0.4A 时:1.0 V
    - 输出电容 (Cob): 75 pF
    - 开关时间:
    - VCC=300V, IC=2A, IB1=0.4A, IB2=-1A, RL=150Ω 时:150 ns
    - 存储时间 (tSTG): 2 µs
    - 下降时间 (tF): 0.2 µs

    产品特点和优势


    - 高电压耐受能力: KSC5305D 的高击穿电压使其适合高电压应用,如电机控制、电源转换器等。
    - 快速开关性能: 快速的开关时间和下降时间有助于提高效率并减少能量损失。
    - 集成自由轮转二极管: 内置的自由轮转二极管确保高效的饱和操作。
    - 低基极驱动要求: 这减少了所需的外部电路复杂度,简化了整体系统设计。
    - 宽泛的工作温度范围: 支持在极端温度条件下可靠工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    KSC5305D 可用于多种高压电源转换应用,如电机驱动、变频器、直流-交流逆变器、以及 LED 照明镇流器。这些应用要求高可靠性、高效能及快速响应速度。
    使用建议
    - 电路设计: 确保电路能够承受高电压,合理分配散热路径,以避免过热导致的损坏。
    - 驱动电路: 使用适当的驱动电路来提供足够的基极电流,以确保快速开关。
    - 负载匹配: 选择合适的负载电阻和电感,确保开关时间满足应用需求。

    兼容性和支持


    KSC5305D 与大多数标准 NPN 晶体管兼容,支持广泛的应用。厂商提供了详细的技术支持文档和专业的技术支持服务,帮助客户解决在应用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 在高电流下饱和电压增加。
    - 解决方案: 检查电路是否正确接地,并调整负载电阻以优化工作点。

    2. 问题: 未能达到预期的开关速度。
    - 解决方案: 增加基极驱动电流,并检查是否存在过大的寄生电感或电容。

    3. 问题: 发生热失控。
    - 解决方案: 确保散热措施到位,并根据需要添加外部散热器。

    总结和推荐


    KSC5305D NPN 晶体管以其出色的性能参数、宽泛的工作范围以及独特的内置功能在市场上具有显著的竞争优势。它在高电压、高功率应用中表现出色,尤其适合于高要求的工业和商业应用。综上所述,我们强烈推荐 KSC5305D 晶体管用于高电压和高功率开关应用中。

KSC5305DTU参数

参数
集电极截止电流 10μA
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 400mA,2A
VCEO-集电极-发射极最大电压 400V
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 400mA,2A
晶体管类型 NPN
VCBO-最大集电极基极电压 800V
VEBO-最大发射极基极电压 12V
最大功率耗散 75W
集电极电流 5A
10.1mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

KSC5305DTU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSC5305DTU数据手册

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KSC5305DTU封装设计

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