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MMUN2241LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: NPN - Pre-Biased 400mW 500nA 50V 100mA SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*940μm
供应商型号: FL-MMUN2241LT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) MMUN2241LT1G

MMUN2241LT1G概述

    数字晶体管(Bias电阻晶体管BRT)MUN2241、MMUN2241L、MUN5241、DTC115TE、DTC115TM3、NSBC115TF3

    产品简介


    本系列数字晶体管设计用于替代单个晶体管及其外部电阻偏置网络。Bias电阻晶体管(BRT)包含一个具有集成偏置网络的单晶体管,该偏置网络由两个电阻组成:串联基极电阻和基极-发射极电阻。通过将这些独立组件整合到单个设备中,BRT显著减少了系统成本和电路板空间。主要应用于汽车和其他需要独特的站点和控制变更要求的领域。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 集电极电流 (连续): IC 100 mAdc
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 40 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 6 Vdc
    - 引脚配置:
    - 引脚1 (PIN 1): 基极 (INPUT)
    - 引脚2 (PIN 2): 发射极 (GROUND)
    - 引脚3 (PIN 3): 集电极 (OUTPUT)
    - 热特性(部分典型型号):
    - MUN2241 (SC-59): 热阻 RJA 540 °C/W, 最大功率耗散 PD 230 mW
    - MMUN2241L (SOT-23): 热阻 RJA 508 °C/W, 最大功率耗散 PD 246 mW
    - MUN5241 (SC-70/SOT-323): 热阻 RJA 618 °C/W, 最大功率耗散 PD 202 mW
    - 电气特性(25°C时):
    - 断态集电极-基极截止电流 (ICBO): 100 nA
    - 断态集电极-发射极截止电流 (ICEO): 500 nA
    - 断态发射极-基极截止电流 (IEBO): 0.1 mA
    - 连通态集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.25 Vdc

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:减少外围组件,节省PCB面积。
    - 降低组件数量:内置偏置电阻网络,减少组件使用。
    - 汽车及其他特殊需求:适用于需要独特要求的汽车领域,通过AEC-Q101认证。
    - 环保材料:无铅、卤素自由/溴化阻燃剂自由且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 汽车领域:可用于汽车电子控制系统,如引擎管理系统,确保高可靠性和耐温范围。
    - 工业自动化:适合用于需要精确控制的应用场合,例如传感器接口和信号放大器。
    - 消费电子:可用于手机、平板电脑等便携设备中,提供稳定的信号处理能力。
    使用建议:在设计电路时,应考虑散热管理以保证最佳性能。对于高电流应用,需要额外的散热片以防止过热。

    兼容性和支持


    - 该系列产品与其他常见的电子元器件兼容,可以轻松集成到现有的电路板设计中。
    - ON Semiconductor提供详细的技术支持和维护服务,包括详尽的数据手册和设计指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题:集电极电流过大导致温度过高。
    - 解决方案:添加散热片或增加外部冷却措施以增强散热效果。

    - 问题:电路运行不稳定,信号失真严重。
    - 解决方案:检查电源电压是否稳定,并确认接地良好;同时确保所有连接正确无误。

    总结和推荐


    总体而言,这款Bias电阻晶体管系列产品在降低成本和提高设计灵活性方面表现出色。它广泛应用于汽车、工业和消费电子产品中,凭借其高效能和可靠性,是电子工程师理想的选择。强烈推荐此系列的晶体管产品,尤其是在对成本敏感且需要高性能的地方。
    请注意,具体型号的技术细节可能有所不同,请参照各自的产品数据手册获取更详细的参数信息。

MMUN2241LT1G参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA,10mA
集电极电流 100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
最大功率耗散 400mW
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*940μm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

MMUN2241LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MMUN2241LT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR MMUN2241LT1G MMUN2241LT1G数据手册

MMUN2241LT1G封装设计

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