处理中...

首页  >  产品百科  >  MUN5330DW1T1G

MUN5330DW1T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 5mA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 385mW 6V 500nA 50V 50V 100mA SC-88-6 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: MUN5330DW1T1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) MUN5330DW1T1G

MUN5330DW1T1G概述

    Complementary Bias Resistor Transistors: DTC113EP/D and NSBC113EPDXV6

    1. 产品简介


    Complementary Bias Resistor Transistors(互补偏置电阻晶体管)是一种先进的电子元器件,旨在简化电路设计并减少组件数量。这类晶体管集成了NPN和PNP类型的晶体管以及内置的电阻网络,其中包含两个电阻:基极串联电阻和基极-发射极电阻。这种集成化设计显著减少了外部电阻网络的需求,降低了系统的整体成本和板级空间需求。

    2. 技术参数


    这些互补偏置电阻晶体管的技术参数如下:
    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 50 Vdc
    - 集电极电流 (IC): 100 mAdc(连续)
    - 输入正向电压 (VIN(fwd)): 10 Vdc
    - 输入反向电压 (VIN(rev)): 10 Vdc
    - 电气特性
    - 开启电压(NPN,VCE=5.0 V,IC=100 μA): 1.2 Vdc
    - 开启电压(PNP,VCE=5.0 V,IC=100 μA): 1.3 Vdc
    - 关断电压(NPN,VCC=5.0 V,VB=0.05 V,RL=1 kΩ): 4.9 Vdc
    - 输出电阻 (R1): 0.7 kΩ至1.3 kΩ
    - 电阻比 (R1/R2): 0.8至1.2
    - 热特性
    - SOT-363 封装
    - 最大总耗散功率 (TA = 25°C): 187 mW
    - 热阻 (Junction to Ambient): 670 °C/W
    - SOT-563 封装
    - 最大总耗散功率 (TA = 25°C): 357 mW
    - 热阻 (Junction to Ambient): 350 °C/W

    3. 产品特点和优势


    互补偏置电阻晶体管具备以下特点和优势:
    - 简化电路设计:集成了多个组件,减少了外部电阻网络的需要。
    - 减少板级空间:集成设计显著减小了电路板所需的面积。
    - 降低组件数量:减少了外部组件的数量,有助于降低成本。
    - 适合汽车及其他应用:适用于具有独特站点和控制变更要求的应用,符合AEC-Q101标准。
    - 环保:无铅,卤素/溴化阻燃剂(BFR)自由,RoHS合规。

    4. 应用案例和使用建议


    互补偏置电阻晶体管广泛应用于各种场合,包括但不限于汽车、工业自动化和消费电子产品。这些应用要求高度可靠性和紧凑的设计。使用建议如下:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热,确保不超出最大额定值。
    - 在选择封装类型时,考虑其工作环境和热管理需求。例如,对于需要较高功率处理能力的应用,可以选择SOT-563封装。

    5. 兼容性和支持


    互补偏置电阻晶体管与多种其他电子元器件兼容。制造商提供全面的技术支持,包括详细的文档、技术咨询和现场支持服务。此外,技术支持热线(电话:800-282-9855)可以为用户提供即时帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册提供的信息,以下是几个常见问题及其解决方法:
    - 问:集电极电流超过额定值会怎样?
    - 答: 会导致设备损坏,可靠性受影响。务必确保不超过最大额定值。
    - 问:如何正确安装以确保最佳性能?
    - 答: 参照制造商提供的安装指南,确保焊接质量和热管理措施到位。

    7. 总结和推荐


    综上所述,互补偏置电阻晶体管以其简化设计、节省空间和成本的优势,在电子元器件市场上具有较高的竞争力。这些产品适用于广泛的电子应用,并且提供了可靠的性能和支持。因此,强烈推荐使用这类晶体管来提升电子系统的效率和可靠性。

MUN5330DW1T1G参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 50V
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极截止电流 500nA
最大功率耗散 385mW
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 5mA,10mA
配置
集电极电流 100mA
VEBO-最大发射极基极电压 6V
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SC-88-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

MUN5330DW1T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MUN5330DW1T1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR MUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G数据手册

MUN5330DW1T1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.282
3000+ ¥ 0.2313
6000+ ¥ 0.2274
12000+ ¥ 0.2234
库存: 27000
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0.28
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2707.0919
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 200.5286
2N2222AUB ¥ 338.8957