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MUN5336DW1T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 385mW 500nA 50V 100mA SOT 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: AV-S-ONSMUN5336DW1T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) MUN5336DW1T1G

MUN5336DW1T1G概述


    产品简介


    DTC115EP/D 系列互补偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)由两个单独的晶体管组成:一个NPN和一个PNP晶体管,集成在单个封装内。每个晶体管包含内部单片偏置网络,由两个电阻组成:串联基极电阻和发射极-基极电阻。该系列旨在替代单个分立晶体管及其外部电阻偏置网络,从而简化电路设计,减少板载空间并降低组件数量。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 50 Vdc
    - 集电极电流(连续) \( IC \): 100 mAdc
    - 输入正向电压 \( V{IN(fwd)} \): 40 Vdc
    - 输入反向电压 \( V{IN(rev)} \): 10 Vdc
    电气特性
    - 偏置电阻 \( R1 \) 和 \( R2 \): 100 kΩ
    - 电气特性温度范围 \( TA = 25°C \)
    - 功率耗散 \( PD \) (最大):
    - MUN5336DW1 (SOT-363):
    - 单端加热: 187 mW
    - 双端加热: 250 mW
    - NSBC115EPDXV6 (SOT-563):
    - 单端加热: 357 mW
    - 双端加热: 500 mW
    工作温度范围
    - 工作温度范围 \( TJ, T{stg} \): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    DTC115EP/D 系列具备多个显著特点和优势:
    - 简化电路设计:集成偏置电阻和晶体管于一体,减少了分立元件的需求。
    - 节省板载空间:通过集成的方式减少了组件数量,从而节省宝贵的PCB空间。
    - 提高可靠性:一体化设计降低了潜在的故障点,提高了整体可靠性。
    - 汽车及其他应用:NSV前缀适用于需要特定站点和控制变更要求的应用场合,如AEC-Q101认证和PPAP能力。

    应用案例和使用建议


    DTC115EP/D 系列非常适合用于需要高可靠性的电子产品,例如汽车电子系统、工业控制系统、通讯设备等。例如,在汽车电子系统中,这些晶体管可以用于发动机管理系统和传感器接口。
    使用建议:
    - 在应用中确保晶体管的工作温度不超过最大额定值。
    - 使用适当的散热设计以确保在高温条件下仍能保持良好性能。

    兼容性和支持


    - 产品型号包括 MUN5336DW1T1G 和 NSBC115EPDXV6T1G。
    - 支持标准SOT-363和SOT-563封装形式,适合自动贴片生产。
    - ON Semiconductor 提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户能够正确理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    问题1: 如何确定最大功耗?
    - 解答: 查阅技术手册中的热特性章节,根据工作温度和封装类型确定最大功耗。
    问题2: 晶体管失效可能的原因是什么?
    - 解答: 过高的温度、过大的电压或电流可能导致晶体管失效。请确保按照手册中的最大额定值进行操作。

    总结和推荐


    DTC115EP/D 系列互补偏置电阻晶体管凭借其集成化设计和高效性能,在多种应用中表现出色。其简化的设计和强大的性能使其成为汽车电子、工业控制等领域中理想的解决方案。我们强烈推荐该系列产品,特别是对于寻求可靠且高性能电子元件的客户。

MUN5336DW1T1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大功率耗散 385mW
配置 -
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 0.3mA @ 10mA
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

MUN5336DW1T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

MUN5336DW1T1G数据手册

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MUN5336DW1T1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
6000+ $ 0.0358 ¥ 0.3164
18000+ $ 0.0354 ¥ 0.3136
库存: 12000
起订量: 6000 增量: 3000
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