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KSH200TF

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.8V@ 1A,5A NPN 1.4W 8V 100nA 40V 25V 5A TO-252 贴片安装 6.6mm*6.1mm*2.3mm
供应商型号: FL-KSH200TF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSH200TF

KSH200TF概述

    KSH200 NPN Epitaxial Silicon Transistor 技术手册概述

    1. 产品简介


    KSH200 是一款由ON Semiconductor(原Fairchild Semiconductor)制造的NPN双极型晶体管,广泛应用于各种电子设备中。这款晶体管主要用于表面贴装应用,特别适用于需要高直流电流增益和可靠性较高的场合。其设计旨在提供高性能和可靠性的解决方案,适用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    - 封装类型:D-PAK 和 I-PAK(带“I”后缀)
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压(VCBO):40V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):25V
    - 发射极-基极电压(VEBO):8V
    - 集电极电流(IC,DC):5A
    - 集电极电流(ICP,脉冲):10A
    - 基极电流(IB):1A
    - 集电极耗散功率(Tc = 25°C):12.5W
    - 集电极耗散功率(Ta = 25°C):1.4W
    - 结温(TJ):150°C
    - 存储温度(TSTG):-55°C 到 150°C
    - 电气特性:
    - 饱和电压(VCE(sat)):
    - IC = 500mA, IB = 50mA:0.3V
    - IC = 2A, IB = 200mA:0.75V
    - IC = 5A, IB = 1A:1.8V
    - 增益(hFE):
    - VCE = 1V, IC = 500mA:70
    - VCE = 1V, IC = 2A:45
    - VCE = 2V, IC = 5A:10
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):2.5V
    - 基极-发射极导通电压(VBE(on)):1.6V
    - 高频特性:电流增益带宽积(fT)为65MHz

    3. 产品特点和优势


    KSH200 拥有多项独特的功能和优势:
    - 高直流电流增益:提供了稳定的电流增益,保证了电子设备的高效运行。
    - 高可靠性和稳定性:能够在宽温度范围内稳定工作,具有出色的长期稳定性和耐用性。
    - 灵活的封装选项:D-PAK 和 I-PAK 封装适应不同应用场景,方便安装和布线。
    - 优化的散热设计:低热阻设计,确保长时间高电流工作时的稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    KSH200 在多个领域有着广泛应用,例如:
    - 消费电子产品:作为驱动器、开关和其他控制单元的一部分。
    - 工业控制系统:用于电机控制、电源管理和信号调理。
    - 汽车电子:适合于车身电子系统、发动机管理和安全系统。
    使用建议:
    - 在选择其他外围元件时,应考虑其与 KSH200 的匹配性,尤其是对驱动电流的要求。
    - 使用时注意散热管理,尤其是在高电流工作条件下,以避免过热导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:KSH200 可与多种标准电路板设计兼容,适用于广泛的嵌入式系统。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和在线支持资源,包括详细的应用笔记和技术问答库。此外,还可以通过其全球技术支持网络获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间高电流工作导致发热严重。
    - 解决方案:采用适当的散热措施,如添加散热片或使用散热良好的材料。
    - 问题2:饱和电压过高,影响效率。
    - 解决方案:检查并调整电路设计,使用合适的电阻值以优化工作点。
    - 问题3:基极电流不稳定。
    - 解决方案:确认驱动电路设计正确,基极电阻选择适当。

    7. 总结和推荐


    KSH200 NPN Epitaxial Silicon Transistor 以其高可靠性和稳定的性能在众多应用中表现出色。对于需要高电流增益和稳定工作的应用场景,它是一个理想的选择。尽管存在一些潜在问题,但在合理的设计和使用下,这些问题是可以得到有效解决的。因此,强烈推荐 KSH200 作为关键组件,尤其是在需要高效能和高可靠性的应用场景中。

KSH200TF参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 8V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.8V@ 1A,5A
最大功率耗散 1.4W
集电极截止电流 100nA
集电极电流 5A
VCEO-集电极-发射极最大电压 25V
晶体管类型 NPN
VCBO-最大集电极基极电压 40V
最大集电极发射极饱和电压 1.8V
配置 独立式
长*宽*高 6.6mm*6.1mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

KSH200TF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSH200TF数据手册

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KSH200TF封装设计

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