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KSC2223YMTF

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mV@ 1mA,10mA NPN 150mW 4V 100nA 30V 20V 20mA SOT-23-3 贴片安装 2.92mm*1.3mm*930μm
供应商型号: KSC2223YMTF
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSC2223YMTF

KSC2223YMTF概述


    产品简介


    KSC2223是一款NPN双极晶体管,属于高频率放大器类别。它主要应用于混合集成电路(Hybrid IC)中,具备非常小的尺寸以确保良好的空间利用率。此外,这款晶体管在高频率下的表现尤为出色,适用于需要高增益和低噪声的应用场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 30V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 20V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 4V
    - 集电极电流 (IC): 20mA
    - 集电极功率耗散 (PC): 150mW
    - 结温 (TJ): 150°C
    - 存储温度 (TSTG): -55°C至150°C
    - 电气特性:
    - 集电极截止电流 (ICBO): 在VCB=30V, IE=0条件下的典型值为0.1μA
    - 直流电流增益 (hFE): 在VCE=6V, IC=1mA条件下的典型值为90,最小值为40,最大值为180
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 在IC=10mA, IB=1mA条件下的典型值为0.3V
    - 输出电容 (Cob): 在VCB=6V, IE=0, f=1MHz条件下的典型值为1pF
    - 电流增益带宽积 (fT): 在VCE=6V, IC=1mA条件下的典型值为600MHz
    - 基极-发射极时间常数 (Cc·rbb): 在VCB=6V, IC=1mA, f=31.9MHz条件下的典型值为12ps
    - 噪声系数 (NF): 在VCE=6V, IC=1mA, f=100MHz, RS=50Ω条件下的典型值为3dB

    产品特点和优势


    KSC2223的主要特点包括:
    - 非常小的尺寸,确保了良好的空间利用率,适合于混合集成电路(Hybrid IC)应用
    - 直流电流增益 (hFE):在集电极电流 (IC) 为1mA时,典型的电流增益带宽积 (fT) 为600MHz
    - 输出电容 (Cob):在集电极-基极电压 (VCB) 为6V时,典型的输出电容为1pF
    - 噪声系数 (NF):在发射极电流 (IE) 为100mA, 频率 (f) 为100MHz时,典型的噪声系数为3dB
    这些特点使得KSC2223在高频应用中具有显著的优势,尤其适用于需要低噪声和高增益的放大器设计。

    应用案例和使用建议


    KSC2223在高频放大器和混合集成电路中有着广泛的应用。例如,在无线通信系统中,它可以作为功率放大器使用,提供稳定的高频信号传输。具体使用建议如下:
    - 在设计时,应考虑其最高工作温度限制,避免在高温环境下长期运行,以防止损坏
    - 为了优化电路性能,可以适当调整偏置电压和电阻值,以达到最佳的直流电流增益和噪声系数
    - 对于高频应用,需注意电路布局和布线,尽量减少寄生电容和电感的影响

    兼容性和支持


    目前没有明确的信息表明KSC2223与其他特定电子元器件或设备的兼容性。但一般而言,只要遵循推荐的电气特性,大多数情况下都能实现良好的兼容性。对于具体的技术支持和维护,ON Semiconductor提供了详细的文档和支持资源,可以在其官方网站上查找。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管在高频应用时噪音较大。
    - 解决方案:检查输入信号是否干净,减小电源纹波,或者使用低噪声晶体管替代。
    - 问题2:晶体管过热。
    - 解决方案:确认散热措施有效,增加散热片或降低功耗。
    - 问题3:晶体管在高频率下增益不足。
    - 解决方案:调整电路中的阻抗匹配,以最大化电流增益带宽积。

    总结和推荐


    综上所述,KSC2223是一款高性能的NPN双极晶体管,非常适合高频应用和混合集成电路设计。它的高电流增益、低噪声特性和良好的热稳定性使其在多个应用领域具有显著的优势。因此,我们强烈推荐KSC2223用于需要高频放大器的项目中。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请访问ON Semiconductor的官方网站或联系当地销售代表。

KSC2223YMTF参数

参数
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 20V
最大功率耗散 150mW
VEBO-最大发射极基极电压 4V
集电极电流 20mA
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 30V
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 1mA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 1mA,10mA
长*宽*高 2.92mm*1.3mm*930μm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

KSC2223YMTF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSC2223YMTF数据手册

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KSC2223YMTF封装设计

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