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KSB1017YTU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.7V@ 300mA,3A PNP 25W 5V 30μA 80V 80V 4A TO-220F 通孔安装 10.16mm*4.7mm*9.19mm
供应商型号: CY-KSB1017YTU
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSB1017YTU

KSB1017YTU概述

    KSB1017 PNP Silicon Epitaxial Transistor: A Comprehensive Guide

    1. 产品简介


    KSB1017 是一种PNP硅外延晶体管,属于Fairchild半导体(现为ON Semiconductor的一部分)的产品线。该晶体管主要用于功率放大应用,能够作为互补型器件与KSD1408一起使用。它的主要功能是控制电流通过集电极和发射极之间的流通,广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术参数和技术规格:
    - 电气特性:
    - 集电极-基极电压(VCBO):80V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):80V
    - 发射极-基极电压(VEBO):5V
    - 集电极电流(IC):4A
    - 基极电流(IB):0.4A
    - 集电极耗散功率(PC):25W (TC=25°C)
    - 结温(TJ):150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C至150°C
    - 直流电流增益(hFE):
    - hFE1:40~240(典型值)
    - hFE2:70~140(典型值)
    - hFE3:120~240(典型值)
    - 饱和电压(VCE(sat)):1V~1.7V(IC=-3A, IB=-0.3A)
    - 其他参数:
    - 输出电容(Cob):130pF(VCB=-10V, f=1MHz)
    - 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):80V(IC=-50mA, IB=0)
    - 集电极截止电流(ICBO):30µA(VCB=-80V, IE=0)
    - 发射极截止电流(IEBO):100µA(VEB=-5V, IC=0)
    - 电流增益带宽积(fT):9MHz(VCE=-5V, IC=-0.5A)

    3. 产品特点和优势


    KSB1017 的显著特点是其高电流增益、高耐压能力和低饱和电压,使其成为高可靠性、高性能应用的理想选择。具体优势如下:
    - 高增益稳定性:在不同负载条件下保持稳定的增益性能。
    - 高耐压能力:最高可达80V,适用于高压应用环境。
    - 大电流处理能力:集电极电流可达4A,适合需要较高电流输出的应用。
    - 较低的饱和电压:1V~1.7V的饱和电压,使得损耗更低,效率更高。
    - 优异的频率响应:电流增益带宽积达9MHz,确保了良好的信号传输质量。

    4. 应用案例和使用建议


    KSB1017 主要用于功率放大应用,包括但不限于:
    - 音频放大电路:提供高保真音频输出。
    - 驱动电路:控制电机、继电器等设备。
    - 电源转换器:实现高效稳定的电源供应。
    使用建议:
    - 散热管理:在高电流运行时,需确保良好的散热以防止过热。
    - 匹配阻抗:根据具体应用需求,合理选择外围阻抗以优化性能。
    - 稳定性设计:考虑使用补偿电路以避免高频自激振荡。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:KSB1017 通常与其他电子元器件兼容,但请务必检查制造商的兼容性列表。
    - 支持服务:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,可访问官方网站获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断KSB1017 是否处于安全操作区内?
    - 解决方案:查阅手册中的安全操作区图(Figure 5),确保工作点落在指定区域内。

    - 问题2:KSB1017 的饱和电压过高怎么办?
    - 解决方案:检查外围电路设计,适当调整负载阻抗,或采用适当的补偿技术降低饱和电压。

    7. 总结和推荐


    KSB1017 是一款性能优异、应用广泛的PNP硅外延晶体管,尤其适用于需要高可靠性和高性能的应用场合。尽管存在一定的局限性(如过高的饱和电压可能导致能耗增加),但通过合理的应用设计和外围电路的优化,这些不足可以得到有效弥补。总体而言,KSB1017 在多数应用中表现出色,强烈推荐使用。
    通过以上详细的技术手册解析,我们不仅全面了解了KSB1017的特性及应用场景,还提出了实际使用中的注意事项与优化方案。希望这份指南能帮助您更好地理解和使用这款高性能的晶体管。

KSB1017YTU参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大功率耗散 25W
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.7V@ 300mA,3A
集电极截止电流 30μA
最大集电极发射极饱和电压 1.7V@ 300mA,3A
配置 独立式
集电极电流 4A
晶体管类型 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 80V
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*9.19mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

KSB1017YTU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSB1017YTU数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR KSB1017YTU KSB1017YTU数据手册

KSB1017YTU封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3525 ¥ 3.0337
500+ $ 0.3492 ¥ 3.0061
1000+ $ 0.3394 ¥ 2.8683
5000+ $ 0.3394 ¥ 2.8683
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