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NT5CB256M8FN-DI

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技
产品描述: 256MB 256Mx8 1.425V 160mA 1.575V 1.6GHz 8bit BGA 10.5mm*8mm*1.2mm
供应商型号:
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标准整包数: 0
NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NT5CB256M8FN-DI

NT5CB256M8FN-DI概述

    2Gb DDR3 SDRAM F-Die 产品技术手册

    1. 产品简介


    NT5CB256M8FN/NT5CB128M16FP 和 NT5CC256M8FN/NT5CC128M16FP 是南亚科技(NANYA TECHNOLOGY CORP.)生产的两款2Gb DDR3 SDRAM。这类芯片主要用于高密度存储,支持双倍数据传输率架构,能够实现高速操作。它们内部配置为八个存储库,适用于各类消费类及工业级应用。

    2. 技术参数


    这些DDR3 SDRAM具有以下核心参数和技术规格:
    - 速度范围:DDR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866, DDR3-2133
    - 主要技术参数:
    - CAS延迟时间 (tCK):根据不同频率不同,范围从1.875ns到2.5ns不等。
    - 行激活到读/写延迟时间 (tRCD):最小值为12.84ns。
    - 预充电周期 (tRP):最小值为12.84ns。
    - 行激活到预充电周期 (tRAS):范围从33ns到93ns不等。
    - 刷新周期 (tRFC):固定为160ns。
    - 电源电压:1.35V至1.5V之间,支持低电压操作(1.35V)。


    3. 产品特点和优势


    - 高效能:通过双倍数据传输率架构和高性能模式,可达到每秒高达1866MB的数据传输速率。
    - 兼容性强:支持多种数据传输模式(如BC4、BL8),灵活适应不同的系统需求。
    - 节能设计:具备动态ODT功能,可以在写操作期间切换终止强度,提高信号完整性。
    - 耐温性能:提供商业级和工业级两种版本,适应广泛的工作温度范围(0°C至95°C)。

    4. 应用案例和使用建议


    这些芯片广泛应用于服务器、路由器、嵌入式系统等需要高密度存储的应用中。例如,在网络设备中,这些芯片可以作为缓存内存,显著提升系统的数据处理能力。
    使用建议:
    - 确保芯片工作的温度不超过工业级型号的最大温度限制(95°C),以避免性能下降或损坏。
    - 使用时应注意预充电周期和刷新周期,避免因错误的命令序列导致数据丢失或系统崩溃。
    - 在进行写操作前,确保已经预充电目标行以防止不必要的刷新操作影响系统性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有的DDR3控制器和系统完全兼容,可无缝集成。
    - 技术支持:南亚科技提供详尽的技术文档和支持服务,涵盖产品初始化、运行过程中的常见问题及其解决方案。

    6. 常见问题与解决方案


    | 常见问题 | 解决方案 |

    | 写入数据出现错误 | 确认CLK, CK, 数据线、数据掩码线上的信号符合规范;检查是否正确设置模式寄存器。|
    | 自动刷新失败 | 检查刷新计数是否溢出,调整刷新频率。|
    | 输出数据异常 | 检查输出驱动器设置是否正确;确认是否存在外部干扰。|

    7. 总结和推荐


    总体来看,NT5CB256M8FN/NT5CB128M16FP 和 NT5CC256M8FN/NT5CC128M16FP 是高性能、低功耗的DDR3 SDRAM,适合用于需要高密度存储和强抗干扰性的应用场景。特别是在需要宽温度范围的工业环境中,这些芯片表现出色。因此,强烈推荐这些产品在各类高端嵌入式系统和服务器应用中使用。

NT5CB256M8FN-DI参数

参数
数据总线宽度 8bit
接口类型 -
存储容量 256MB
最大供电电流 160mA
最大时钟频率 1.6GHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 256Mx8
长*宽*高 10.5mm*8mm*1.2mm
通用封装 BGA
零件状态 停产

NT5CB256M8FN-DI数据手册

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NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 NT5CB256M8FN-DI NT5CB256M8FN-DI数据手册

NT5CB256M8FN-DI封装设计

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