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NT5CB128M16HP-DI

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技
产品描述: 256MB 128Mx16 1.425V 235mA 1.575V 800MHz 16bit WBGA
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NT5CB128M16HP-DI

NT5CB128M16HP-DI概述

    2Gb DDR3 SDRAM H-Die 技术手册

    1. 产品简介


    2Gb DDR3 SDRAM H-Die 是一款高性能动态随机存取存储器(DRAM),专为高速操作设计。内部配置为八位DRAM,采用8n比特预取架构,使内存达到每时钟周期双倍数据传输速率,高达2133 Mb/sec/针。该产品广泛应用于各类需要大容量高速内存的设备中,如服务器、工作站、嵌入式系统和高端计算设备。

    2. 技术参数


    - 电源电压: 1.35V ±0.067V/+0.1V 或 1.5V ±0.075V(符合JEDEC标准)
    - 内部存储银行数: 8个(BA0-BA2)
    - 差分时钟输入: CK 和 CK#
    - CAS延迟可编程设置: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 和 14
    - 写延迟CAS (CWL): 5, 6, 7, 8, 9 和 10
    - ADD 加性延迟 (AL): 0, CL-1, CL-2
    - 突发类型: 可编程顺序/交错
    - 突发长度: 4 和 8
    - 输出驱动阻抗控制
    - 通过ZQ引脚进行阻抗校准: RZQ:240 ohm±1%
    - 双向数据脉冲信号
    - 自动自刷新
    - 温度自刷新范围: 商业级 (0℃ 至 95℃),工业级 (-40℃ 至 95℃)
    - 尺寸: 96-Balls BGA 封装,封装尺寸 0.8mm x 0.8mm
    - 工作环境温度: 商业级 (0℃ 至 95℃),工业级 (-40℃ 至 95℃)

    3. 产品特点和优势


    - 高效能: 采用8n比特预取架构,实现了高速数据传输。
    - 低功耗: 支持多种工作模式以降低功耗。
    - 高可靠性: 支持自动刷新和自刷新温度范围功能。
    - 灵活配置: 可编程的突发长度、延迟和校准等设置,以满足不同应用需求。
    - 兼容性强: 支持商业和工业温度范围,适用于各种环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例: 该DDR3 SDRAM常用于服务器和嵌入式系统中,用于提供高速缓存或主内存。例如,在服务器系统中,多块DDR3 SDRAM可以并行运行以提高整体系统性能。
    使用建议:
    - 在配置和初始化过程中,务必确保时钟频率稳定,符合JEDEC标准。
    - 建议使用控制器支持的写校正功能,以补偿信号偏差和提升稳定性。
    - 定期执行ZQ校准,以保持最佳性能和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 支持多种速度等级(1066 MHz至2133 MHz)和不同工作模式。
    - 支持: 供应商提供详细的初始化指南和技术文档,确保用户能够正确配置和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 初次启动时设备无法正常运行。
    解决方案: 确保在进入自刷新模式之前,所有银行已预充电且时间满足tRP。同时,检查所有信号线和时钟是否处于正确状态。
    问题2: 读写操作中出现数据错误。
    解决方案: 检查DQS/DQS#信号线是否满足tDQSQ、tQH和tQSL等参数要求。如有必要,尝试调整控制器上的DQS/DQS#延迟设置。
    问题3: 设备无法正确进入或退出自刷新模式。
    解决方案: 确认时钟信号稳定,且所有相关控制信号(如CKE)处于有效状态。如果持续存在问题,请参考厂商提供的技术支持文档或联系技术支持。

    7. 总结和推荐


    总体评价:
    - 优点:
    - 高速数据传输率(最高可达2133 Mb/sec/针)。
    - 多种工作模式及配置选项。
    - 自动刷新和自刷新温度范围,确保数据在不同环境下可靠保存。
    - 适用广泛的商业和工业温度范围。

    - 推荐用途: 适用于需要高速数据处理能力、可靠性要求较高的服务器和嵌入式系统。
    结论: 2Gb DDR3 SDRAM H-Die是一款功能强大且性能稳定的存储器产品,适合需要高性能和高可靠性的应用场合。强烈推荐使用该产品,特别是对于高端计算和服务器系统而言。

NT5CB128M16HP-DI参数

参数
数据总线宽度 16bit
接口类型 -
存储容量 256MB
最大供电电流 235mA
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 128Mx16
通用封装 WBGA
应用等级 工业级

NT5CB128M16HP-DI数据手册

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NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 NT5CB128M16HP-DI NT5CB128M16HP-DI数据手册

NT5CB128M16HP-DI封装设计

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