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NT5CB128M16JR-FL

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技
产品描述: 256MB 128Mx16 1.425V 130mA 1.575V 2.133GHz SSTL_15 16bit BGA
供应商型号: NT5CB128M16JR-FL
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NT5CB128M16JR-FL

NT5CB128M16JR-FL概述

    DDR3(L)-2Gb J-Die 技术手册综述

    1. 产品简介


    DDR3(L)-2Gb J-Die 是一款高性能的双倍数据速率(Double-Data-Rate)动态随机存储器(SDRAM),具有2Gb的存储容量。它适用于商业级、工业级以及准工业级应用。此芯片采用了8位预读取架构(8n Prefetch Architecture),使其能够实现高达2133 Mbps的数据传输速率,适用于需要高速数据处理的应用领域,如计算机、服务器、通信设备和消费电子产品。

    2. 技术参数


    以下是DDR3(L)-2Gb J-Die的主要技术规格:
    - 速度等级:
    - DDR3-2133: 14-14-14
    - DDR3(L)-1866: 13-13-13
    - DDR3(L)-1600: 11-11-11
    - DDR3(L)-1333: 9-9-9 或 10-10-10
    - DDR3(L)-1066: 7-7-7
    - DDR3-800: 6-6-6 或 8-8-8

    - 电源电压:
    - DDR3: VDD/VDDQ=1.5V(±0.075V)
    - DDR3L: VDD/VDDQ=1.35V(-0.067/+0.1V)
    - 温度范围:
    - 商业级: 0℃~95℃
    - 准工业级(-T): -40℃~95℃
    - 工业级(-I): -40℃~95℃
    - 组织方式:
    - 256M x 8 组织:1KB 页面大小
    - 128M x 16 组织:2KB 页面大小
    - 封装尺寸:
    - 78 球 TFBGA:7.50 x 10.50 mm
    - 96 球 TFBGA:7.50 x 13.00 mm

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:具备自动自刷新(Auto Self Refresh)和断电模式(Power Down Mode),能够在不同环境条件下保证数据的安全性和完整性。
    - 高兼容性:支持1.5V DDR3和1.35V DDR3L标准,可以无缝对接不同的系统需求。
    - 低功耗:通过多种节电模式设计,降低整体功耗,提升能效比。
    - 易用性:多种配置选项和编程设置,方便用户根据具体应用进行定制化调整。

    4. 应用案例和使用建议


    DDR3(L)-2Gb J-Die 可以广泛应用于高性能计算、网络通信设备、服务器等领域。例如,在服务器内存模块中,它可以提供大容量和高速的数据传输能力,从而满足高并发处理需求。在实际应用中,用户可以根据不同的工作环境选择合适的电源电压和温度等级,并合理配置各种信号控制,以达到最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持多种不同的系统配置,确保与现有系统的良好兼容性。
    - 技术支持:提供详细的用户手册和技术文档,确保用户能够快速掌握产品的使用方法并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:数据传输过程中出现错误。
    - 解决方案:检查电源电压是否稳定,以及相关的电气连接是否正确。
    - 问题2:刷新频率超限导致数据丢失。
    - 解决方案:确认温度范围,并启用外部刷新模式,以确保数据安全。
    - 问题3:信号同步出现问题。
    - 解决方案:检查写入和读取时钟信号的配置是否正确。

    7. 总结和推荐


    总体来看,DDR3(L)-2Gb J-Die 以其出色的性能、广泛的适用范围和良好的兼容性,在市场中具有较强的竞争力。无论是在数据中心、通信基础设施还是消费电子领域,这款内存芯片都表现出色。我们强烈推荐在需要高可靠性和高性能的应用场景中采用该产品。

NT5CB128M16JR-FL参数

参数
最大供电电流 130mA
最大时钟频率 2.133GHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 128Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 SSTL_15
存储容量 256MB
通用封装 BGA

NT5CB128M16JR-FL数据手册

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NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 NT5CB128M16JR-FL NT5CB128M16JR-FL数据手册

NT5CB128M16JR-FL封装设计

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