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NT5CC128M16IP-DI

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技
产品描述: 256MB 128Mx16 1.283V 155mA 1.45V 1.6GHz SSTL_135 16bit VFBGA-96 贴片安装 13mm(长度)*8mm(宽度)
供应商型号: MIK-NT5CC128M16IP-DI
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NT5CC128M16IP-DI

NT5CC128M16IP-DI概述

    DDR3(L) 2Gb SDRAM 技术手册概述

    产品简介


    本手册介绍了NT5CB(C)256M8IN和NT5CB(C)128M16IP系列的DDR3(L) 2Gb SDRAM。这类芯片具有高密度存储和高速双倍数据速率传输能力,内部配置为八个存储银行,可用于商业、工业及汽车领域的应用。这些存储器器件通过同步控制和地址输入信号,配合外部差分时钟(CK/CK#)和数据选通(DQS/DQS#),实现了高达每秒1866兆位的数据传输速率。

    技术参数


    以下是NT5CB(C)256M8IN和NT5CB(C)128M16IP的详细技术参数:
    - 核心频率: DDR3-2133 MHz, DDR3(L)-1866 MHz, DDR3(L)-1600 MHz, DDR3(L)-1333 MHz
    - 电压支持: 1.5V ± 0.075V 或 1.35V -0.067V/+0.1V
    - 封装: 78-ball VFBGA (8.00 x 10.50 mm), 96-ball VFBGA (8.00 x 13.00 mm)
    - 工作温度范围:
    - 商业级: 0℃~95℃
    - 准工业级: -40℃~95℃
    - 工业级: -40℃~95℃
    - 汽车级2: -40℃~105℃
    - 汽车级3: -40℃~95℃


    产品特点和优势


    1. 双倍数据速率传输: 最高可达每秒1866兆位。
    2. 多功能模式寄存器设置: 可配置的预充电电源下电和自刷新模式,提高系统效率。
    3. 自动自刷新: 内置TS(温度传感器)实现自刷新,确保数据完整性。
    4. 信号完整性: 可配置的差分数据选通(DQS/DQS#)和片内终止电阻(ODT),确保系统兼容性。

    应用案例和使用建议


    - 商业应用: 适用于高性能计算和服务器内存。
    - 工业应用: 适用于工厂自动化和过程控制设备。
    - 汽车应用: 适用于车载娱乐和导航系统。
    使用建议:
    - 配置ODT: 确保ODT设置正确以优化信号完整性。
    - 初始化操作: 在正常运行前,需要按照预定义的顺序进行上电和初始化。

    兼容性和支持


    这些器件符合JEDEC标准,且与多种系统兼容。厂商提供技术支持和维护服务,具体信息请参阅手册。

    常见问题与解决方案


    1. 数据完整性问题:
    - 问题: 数据在传输过程中出现错误。
    - 解决方法: 确认自刷新模式和温度传感器正常工作。
    2. 电源管理问题:
    - 问题: 功耗超出预期。
    - 解决方法: 启用部分阵列自刷新(PASR)或电源下电模式(Power Down Mode)。

    总结和推荐


    综上所述,NT5CB(C)256M8IN和NT5CB(C)128M16IP是高性能、低功耗的DDR3(L) SDRAM,适用于多种应用领域。特别是其卓越的数据传输能力和多功能性使其在市场上具有强大的竞争力。因此,强烈推荐在需要高可靠性和高效能的应用中使用这些器件。

NT5CC128M16IP-DI参数

参数
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
组织 128Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 SSTL_135
存储容量 256MB
最大供电电流 155mA
最大时钟频率 1.6GHz
长*宽*高 13mm(长度)*8mm(宽度)
通用封装 VFBGA-96
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级
零件状态 停产

NT5CC128M16IP-DI数据手册

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NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 NT5CC128M16IP-DI NT5CC128M16IP-DI数据手册

NT5CC128M16IP-DI封装设计

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