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JS28F640J3F75B

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 8MB 8 M x 8,4 M x 16 2.7V 54mA 3.6V Parallel 8bit,16bit SOP 贴片安装 14mm(长度)*18.4mm(宽度)
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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F640J3F75B

JS28F640J3F75B概述

    Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65 nm) Single Bit per Cell (SBC)

    1. 产品简介


    Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65 nm)是一款单比特存储单元(Single Bit per Cell, SBC)嵌入式闪存产品,提供32 Mbit、64 Mbit 和128 Mbit的存储容量选择。该产品适用于网络通信、数字电视顶盒、音频录制和数字图像等领域,能够满足高密度和低成本的应用需求。此外,该产品通过采用NOR闪存技术和65纳米制造工艺,提供了卓越的安全性和可靠性。

    2. 技术参数


    - 架构: 128 KB对称块,适用于不同存储容量配置(128个块对应128 Mbit,64个块对应64 Mbit,32个块对应32 Mbit)
    - 性能:
    - 初始访问速度: 75ns
    - 同步页模式读取: 25 ns, 8字
    - 缓冲写入: x16模式下256字缓冲区,x8模式下256字节缓冲区;每字节有效编程时间1.41 μs
    - 系统电压: VCC = 2.7 V至3.6 V,VCCQ = 2.7 V至3.6 V
    - 封装: 56针TSOP,64球Easy BGA封装
    - 安全: 支持代码保护的增强型安全选项,绝对保护VPEN = Vss,单字节擦除/编程锁定,64位OTP可编程寄存器
    - 软件: 包含暂停编程/擦除支持,Numonyx® Flash Data Integrator (FDI),CFI兼容,可扩展命令集
    - 质量和可靠性: 工作温度范围为-40°C到+85°C,每块至少10万次擦写循环

    3. 产品特点和优势


    Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65 nm)在以下几个方面展现了其独特的功能和优势:
    - 安全性: 提供多种保护机制如代码保护、OTP寄存器等,确保数据安全。
    - 高性能: 高速读取和编程能力,初始访问速度低至75ns。
    - 兼容性: 支持多种封装形式和接口标准,例如CFI和SCS,易于集成。
    - 可定制性: 支持多种安全和保护选项,可以根据具体需求进行配置。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 数字电视顶盒、移动设备、车载娱乐系统等需要高密度存储和安全性的场合。
    - 使用建议: 在设计应用时,需充分考虑系统的工作温度范围和功耗需求,以确保稳定运行。建议使用适当的电源管理策略来优化系统效率。

    5. 兼容性和支持


    Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65 nm)兼容多种封装形式,包括56针TSOP和64球Easy BGA封装,便于在各种系统中进行集成。厂商提供了全面的技术支持,包括软件开发工具和详细的文档资料,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备无法正常启动。
    - 解决方案: 检查电源连接和电压设置是否正确。
    - 问题2: 存储容量不足。
    - 解决方案: 考虑升级到更大容量的存储设备。
    - 问题3: 安全保护措施失效。
    - 解决方案: 检查安全寄存器配置是否正确,并重新配置。

    7. 总结和推荐


    综上所述,Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65 nm)凭借其卓越的性能、可靠的安全特性和广泛的兼容性,是高密度存储和数据存储应用的理想选择。建议在需要高密度和安全存储的应用场景中使用该产品。对于追求高效和安全存储解决方案的工程师来说,这将是一个非常有价值的选择。

JS28F640J3F75B参数

参数
数据总线宽度 8bit,16bit
接口类型 Parallel
存储容量 8MB
最大供电电流 54mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 8 M x 8,4 M x 16
长*宽*高 14mm(长度)*18.4mm(宽度)
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

JS28F640J3F75B厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F640J3F75B数据手册

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