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MT48H16M32LFB5-6IT:C

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 512Mb (16M x 32) 16Mx32 1.7V 105mA 1.95V 166MHz Parallel 32bit BGA 贴片安装 13mm*8mm*650μm
供应商型号: 11A-MT48H16M32LFB5-6IT:C
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MT48H16M32LFB5-6IT:C

MT48H16M32LFB5-6IT:C概述


    产品简介


    Mobile LPSDR SDRAM 是一种专为移动设备设计的低功耗同步动态随机存取存储器。这类内存芯片主要应用于智能手机、平板电脑等便携式电子产品中,因其具备高性能、低功耗和高集成度的特点。它主要负责存储系统运行时所需的临时数据,如应用程序状态、用户界面等。随着移动设备功能的不断增强,对内存的要求也越来越高,特别是对速度和容量的需求日益增长,因此Mobile LPSDR SDRAM在这些领域具有广泛的应用前景。

    技术参数


    - 工作电压范围:VDD/VDDQ = 1.7–1.95V
    - 工作频率:最大可达166 MHz(视具体型号而定)
    - 工作温度范围:商业级(0˚C至+70˚C),工业级(–40˚C至+85˚C),汽车级(–40˚C至+105˚C)
    - 刷新周期:标准型号64毫秒,汽车级32毫秒
    - 封装方式:54球VFBGA(8mm x 8mm),90球VFBGA(8mm x 13mm)
    - 电气特性:
    - 立即响应时间(CL=3):6ns(-6等级),7.5ns(-75等级)
    - 支持连续的突发长度:1, 2, 4, 8 和连续
    - 支持自动预充电和自刷新模式
    - 接口兼容性:符合LVTTL标准,确保与现有系统的良好兼容性

    产品特点和优势


    Mobile LPSDR SDRAM 的主要特点包括:
    - 高速同步操作:所有信号都在系统时钟的正边沿上注册,从而实现快速数据传输。
    - 四内部银行结构:支持并发操作,提高数据处理能力。
    - 可编程突发长度:允许用户根据需要选择不同长度的突发操作。
    - 温度传感器集成:通过内置温度传感器调节自刷新率,延长电池寿命并保持稳定性能。
    - 深功耗下降模式:显著降低功耗,适合节能应用。
    - 多配置选项:支持多种容量和引脚配置,满足多样化需求。
    这些特性使得 Mobile LPSDR SDRAM 在市场上具有明显的优势,特别是在功耗管理和数据处理速度方面表现优异。适用于要求高性能、低功耗和高可靠性的应用场合。

    应用案例和使用建议


    Mobile LPSDR SDRAM 广泛应用于智能手机和平板电脑中。例如,在一款最新的智能手机中,为了提供流畅的用户界面和高速的数据读写能力,采用了这种内存。在使用过程中,用户可以考虑以下几点来优化性能:
    - 优化电源管理:通过启用深功耗下降模式,可以在不活动期间显著减少功耗。
    - 合理规划突发长度:根据实际应用需求选择合适的突发长度,以提升数据访问效率。
    - 监控温度:利用内置温度传感器,及时调整自刷新速率,确保在高温环境下仍能保持良好的性能。

    兼容性和支持


    Mobile LPSDR SDRAM 与现有的许多电子系统和设备具有良好的兼容性,尤其适合那些采用LVTTL接口标准的系统。Micron公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源和客户支持团队,帮助用户解决各种技术难题。对于特殊需求,用户可以直接联系制造商获取定制化的解决方案。

    常见问题与解决方案


    1. 如何设置正确的CAS延迟时间?
    - 参考技术手册中的电气规范部分,确认所选型号的CAS延迟值,并在初始化过程中正确加载模式寄存器。

    2. 在启动时无法进入自刷新模式怎么办?
    - 确保正确的初始化序列,按照技术手册中的说明进行自刷新模式的加载。
    3. 如何有效管理功耗?
    - 启用深功耗下降模式,尤其是在长时间不使用设备的情况下,可以显著降低功耗。

    总结和推荐


    总体来看,Mobile LPSDR SDRAM 是一种非常出色的内存解决方案,特别适合那些对性能、功耗和可靠性有严格要求的应用场景。其独特的温度补偿自刷新功能、多配置选项以及低功耗特性使其在市场上具有较高的竞争力。如果您正在寻找一种能够平衡性能与功耗的存储解决方案,那么 Mobile LPSDR SDRAM 绝对是值得考虑的选择。强烈推荐将其纳入您的项目之中,以获得最佳的性能和用户体验。

MT48H16M32LFB5-6IT:C参数

参数
存储容量 512Mb (16M x 32)
最大供电电流 105mA
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 16Mx32
数据总线宽度 32bit
接口类型 Parallel
长*宽*高 13mm*8mm*650μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

MT48H16M32LFB5-6IT:C厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT48H16M32LFB5-6IT:C数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MICRON TECHNOLOGY MT48H16M32LFB5-6IT:C MT48H16M32LFB5-6IT:C数据手册

MT48H16M32LFB5-6IT:C封装设计

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