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JR28F064M29EWLA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 8MB 2.7V 25mA 3.6V Parallel TSOP-48 贴片安装 12mm*18.4mm*1mm
供应商型号: JR28F064M29EWLA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JR28F064M29EWLA

JR28F064M29EWLA概述

    3V Embedded Parallel NOR Flash 技术手册

    产品简介


    本产品是Microchip Technology Inc. 生产的3V嵌入式并行NOR闪存芯片,包括JR28F032M29EWXX, PZ28F032M29EWXX, JS28F064M29EWXX等多种型号。这些芯片具有并行NOR接口,支持随机或页读取操作,主要用于需要快速读写及高可靠性存储的应用场景。它们适用于多种嵌入式系统、汽车电子、工业控制等领域。

    技术参数


    - 供电电压:
    - 程序、擦除、读取:VCC = 2.7–3.6V
    - I/O缓冲区:VCCQ = 1.65–3.6V
    - 随机或页读取:
    - 页大小:8字或16字节
    - 页访问时间:25ns
    - 随机访问时间(VCCQ = 2.7–3.6V):60ns (BGA);70ns (TSOP)
    - 程序缓冲区:最大256字
    - 程序时间:
    - 每字节0.56μs (1.8 MB/s典型值,使用256字节缓冲区进行缓冲程序时无VPPH)
    - 每字节0.31μs (3.2 MB/s典型值,使用256字节缓冲区进行缓冲程序时有VPPH)
    - 内存组织:
    - 32Mb:64个主块,每个64KB,或八个8KB引导块(顶部或底部)和63个主块,每个64KB
    - 64Mb:128个主块,每个64KB,或八个8KB引导块(顶部或底部)和127个主块,每个64KB
    - 128Mb:128个主块,每个128KB
    - 擦除控制器:内嵌字/字节编程算法
    - 程序/擦除挂起和恢复功能:
    - 在擦除挂起操作期间可以读取另一个块
    - 在擦除挂起操作期间可以对一个块进行读取或编程操作
    - 块空白检查:验证擦除的块
    - 其他特性:
    - 块解锁、块擦除、芯片擦除和写入缓冲能力
    - VPP/WP#引脚保护
    - 软件保护:易失性保护、非易失性保护、密码保护、密码访问
    - 扩展内存块
    - 低功耗:待机模式
    - 符合JESD47H标准
    - 数据保留:20年(典型值)
    - 兼容性:
    - 包装选项:56-pin TSOP, 48-pin TSOP, 64-ball FBGA, 48-ball BGA
    - 温度范围:-40°C至+85°C

    产品特点和优势


    1. 宽电压范围:支持2.7-3.6V的供电电压,适应性强。
    2. 高速读取和编程:支持页读取和随机读取,显著提升数据处理速度。
    3. 灵活的内存组织方式:根据容量不同,可选择多种内存结构,满足不同的应用需求。
    4. 安全特性丰富:提供多级软件保护和硬件保护,确保数据安全。
    5. 高可靠性和长寿命:具备超过100,000次擦写循环的能力和20年的数据保留期。

    应用案例和使用建议


    - 汽车电子:用于仪表盘、车载娱乐系统等,需长时间稳定运行,建议选用高数据保持能力的型号。
    - 工业控制:适合于各种工业自动化控制系统,建议结合具体环境进行选型,以满足严格的温度和湿度要求。
    - 嵌入式系统:可用于各种嵌入式设备,如物联网设备、医疗设备等,可根据性能和成本选择合适的型号。

    兼容性和支持


    - 包装兼容性:支持多种封装形式,如56-pin TSOP、48-pin TSOP、64-ball FBGA、48-ball BGA,方便客户根据具体应用选择合适的封装。
    - 技术支持:Micron Technology Inc. 提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、应用程序笔记和技术支持热线,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在编程过程中遇到“超时”错误。
    - 解决方案:检查电源电压是否符合要求,尝试提高电源电压,或更换高容量的缓冲程序模块。
    - 问题2:设备频繁重启。
    - 解决方案:检查电源线路,确保连接稳固且电压稳定。如果电源问题得到确认,更换更稳定的电源适配器。
    - 问题3:设备无法正常读取数据。
    - 解决方案:检查信号线是否有损坏,或者接触不良。若问题仍未解决,考虑使用其他通信协议或重新初始化设备。

    总结和推荐


    3V嵌入式并行NOR闪存芯片凭借其宽电压范围、高速读写能力和丰富的安全特性,在各种嵌入式系统、汽车电子、工业控制等应用中表现出色。其独特的软件和硬件保护功能使得数据安全得到了充分保障,非常适合对数据可靠性和安全性要求较高的应用场景。强烈推荐在需要高性能存储解决方案的项目中使用。

JR28F064M29EWLA参数

参数
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 8MB
最大供电电流 25mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
长*宽*高 12mm*18.4mm*1mm
通用封装 TSOP-48
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JR28F064M29EWLA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JR28F064M29EWLA数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JR28F064M29EWLA JR28F064M29EWLA数据手册

JR28F064M29EWLA封装设计

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