处理中...

首页  >  产品百科  >  EDW4032BABG-70-F-D

EDW4032BABG-70-F-D

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 512MB 128Mx32 1.31V 1.65V 1.75GHz Parallel 32bit BGA 贴片安装
供应商型号: EDW4032BABG-70-F-D
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) EDW4032BABG-70-F-D

EDW4032BABG-70-F-D概述

    GDDR5 SGRAM 技术手册

    产品简介


    GDDR5 SGRAM(图形双倍数据率同步图形随机存取存储器)是一种高性能存储器芯片,主要用于图形处理和计算密集型任务。它具有8兆x32位I/O和16个银行,或16兆x16位I/O和16个银行。这种存储器广泛应用于高端图形卡、游戏机和高性能计算系统等领域。

    技术参数


    - 供电电压:VDD = VDDQ = 1.6V/1.55V/1.5V ±3%,也可为1.35V ±3%
    - 数据速率:6.0 Gb/s,7.0 Gb/s,8.0 Gb/s
    - 内部银行数:16个
    - 编程特性:
    - CAS延迟:7–25
    - 写入延迟:4–7
    - CRC读取延迟:2–3
    - CRC写入延迟:8–14
    - 编程纠错检测(EDC)保持模式
    - 预充电:每个突发访问自动选项
    - 刷新模式:自刷新和自动刷新
    - 刷新周期:16,384次/32毫秒
    - 接口:伪开漏输出:40Ω下拉,60Ω上拉
    - 片内终止(ODT):60Ω或120Ω(标准)
    - ODT和输出驱动强度自动校准
    - 温度范围:0°C至+95°C
    - 工作模式:单端接口、DDR数据(WCK)和地址(CK)、SDR命令(CK)

    产品特点和优势


    GDDR5 SGRAM具备多项先进特性,使其在高性能应用中表现出色:
    - 高数据速率:支持高达8.0 Gb/s的数据传输速率,满足高性能需求。
    - 多功能编程选项:支持多种配置选项,可灵活应用于不同应用场景。
    - 内置纠错检测:通过CRC和EDC功能,确保数据传输的完整性。
    - 低功耗模式:支持多种低功耗模式,延长设备续航时间。
    - 高集成度:单颗芯片集成了多个功能模块,简化设计和布线。

    应用案例和使用建议


    - 图形处理:适用于高性能图形卡,支持复杂图形渲染任务。
    - 游戏机:游戏机需要快速的数据交换,GDDR5 SGRAM可以提供所需的速度和容量。
    - 高性能计算:计算密集型任务如科学计算和人工智能,需要快速的数据访问,GDDR5 SGRAM是理想选择。
    使用建议:
    - 确保供电稳定,避免电压波动影响性能。
    - 在高频率应用中,注意散热问题,确保良好的热管理。
    - 配合高效的时钟和数据路径设计,以充分发挥其高速特性。

    兼容性和支持


    GDDR5 SGRAM采用FBGA封装,提供170球封装(12mm x 14mm)。支持多种电压和速度等级,具体型号包括:
    - -60:6.0 Gb/s
    - -70:7.0 Gb/s
    - -80:8.0 Gb/s
    厂商提供详细的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利进行设计和调试。如有问题,可参考官方技术文档或联系技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:供电电压不稳导致数据丢失
    - 解决方案:使用稳压电源,确保电压稳定。

    - 问题2:读写操作出错
    - 解决方案:检查信号完整性,确保信号质量;使用CRC进行错误检测。

    - 问题3:散热不良
    - 解决方案:添加散热片或风扇,确保良好的热管理。

    总结和推荐


    综上所述,GDDR5 SGRAM是一款高性能的存储器芯片,适合用于图形处理和高性能计算。其多项先进特性,如高数据速率、多功能编程选项和内置纠错检测,使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐此款产品用于需要高速、大容量存储的应用场合。

EDW4032BABG-70-F-D参数

参数
存储容量 512MB
最大供电电流 -
最大时钟频率 1.75GHz
最大工作供电电压 1.65V
最小工作供电电压 1.31V
组织 128Mx32
数据总线宽度 32bit
接口类型 Parallel
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

EDW4032BABG-70-F-D厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

EDW4032BABG-70-F-D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MICRON TECHNOLOGY EDW4032BABG-70-F-D EDW4032BABG-70-F-D数据手册

EDW4032BABG-70-F-D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3+ ¥ 171.4167
4+ ¥ 165.4544
5+ ¥ 162.4732
7+ ¥ 160.9826
库存: 9
起订量: 3 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3
合计: ¥ 514.25
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
A3T2GF40CBF-HP ¥ 33.8169
A3T4GF40BBF-HP ¥ 39.4531
AQD-D4U8GR24-HE ¥ 935.6359
AS4C128M8D3LA-12BIN ¥ 0
AS4C16M16MSA-6BIN ¥ 40.1668
AS4C16M32SC-7TIN ¥ 138.0705
AS4C2M32D1A-5BIN ¥ 29.9743
AS4C4M16SA-6TINTR ¥ 16.7637
AS4C4M32D1A-5BINTR ¥ 47.4315
AS4C64M16D2A-25BCNTR ¥ 49.3288