处理中...

首页  >  产品百科  >  JS28F512M29EWHA

JS28F512M29EWHA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 64MB 2.7V 31mA 3.6V Parallel TSOP-56 贴片安装 14mm*18.4mm*1mm
供应商型号: JS28F512M29EWHA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F512M29EWHA

JS28F512M29EWHA概述


    产品简介


    本产品为嵌入式并行NOR闪存,适用于多种嵌入式系统及设备,如汽车、通信系统、消费电子和工业自动化等领域。本系列产品提供256 Mb、512 Mb、1 Gb和2 Gb的不同容量选择,采用3V核心电压设计,支持异步随机/页读取操作,具有缓冲编程、快擦除等功能。

    技术参数


    - 存储容量:256 Mb、512 Mb、1 Gb、2 Gb(通过堆叠两个1 Gb的裸片实现)
    - 供电电压:
    - VCC:2.7–3.6V(用于编程、擦除和读取)
    - VCCQ:1.65–VCC(用于I/O缓冲)
    - 读取速度:
    - 异步随机/页读取
    - 页大小:16字或32字节
    - 页访问时间:25ns
    - 随机访问时间:100ns(强化BGA),110ns(TSOP)
    - 编程时间:全512字节缓冲编程时典型值为0.88μs/字节(1.14 MB/s)
    - 组织结构:均匀块,每块128 Kbyte或64 Kword
    - 电源管理:低功耗模式,待机模式下低功耗
    - 可靠性:符合JESD47标准,每个块最小可擦写次数为100,000次,数据保持时间为20年
    - 制程技术:采用65 nm多级单元(MLC)工艺
    - 封装:56针TSOP(14x20mm),64球强化BGA(13x11mm)

    产品特点和优势


    本产品具有以下显著特点:
    - 高密度存储:最大2 Gb的存储容量,适合大规模数据存储需求。
    - 灵活的编程和擦除能力:支持页面编程、缓冲编程以及块擦除等多种操作,提高效率。
    - 卓越的数据保护机制:包括软件保护(非易失和易失)、硬件保护及密码保护等多重保护措施。
    - 良好的兼容性:提供TSOP和BGA两种封装方式,便于不同应用场景下的使用。
    - 符合行业标准:符合JESD47标准,确保产品质量和可靠性。

    应用案例和使用建议


    该产品的典型应用场景包括汽车电子系统、通信基站、智能家电及各类嵌入式控制系统等。在实际应用中,用户可根据具体需求选择合适的容量和封装形式。对于需要高可靠性的应用,建议选用具备软件保护和硬件保护双重保护机制的产品;对于空间紧凑的应用场合,建议选用BGA封装以减少占用面积。

    兼容性和支持


    该产品与多数主流嵌入式处理器和控制器相兼容,可轻松集成到现有系统中。Micron公司为其产品提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中获得必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q: 产品在低电压下运行会出现什么问题?
    - A: 请确保输入电压保持在规定范围内(2.7–3.6V),避免电压过低导致数据丢失或损坏。
    - Q: 如何正确进行页面编程?
    - A: 参考技术手册中的“WRITE TO BUFFER PROGRAM”章节,按照指导步骤执行编程操作。
    - Q: 如何确认数据已成功编程?
    - A: 使用数据轮询寄存器进行检查,详见手册中的相关部分。

    总结和推荐


    总体而言,该嵌入式并行NOR闪存凭借其高密度存储、快速读取、灵活的编程与擦除能力、强大的数据保护机制以及广泛的兼容性,在多个行业中展现出显著的优势。特别适合那些对存储密度和可靠性要求较高的应用场合。因此,强烈推荐该产品作为高性能存储解决方案的选择之一。

JS28F512M29EWHA参数

参数
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 64MB
最大供电电流 31mA
长*宽*高 14mm*18.4mm*1mm
通用封装 TSOP-56
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JS28F512M29EWHA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F512M29EWHA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JS28F512M29EWHA JS28F512M29EWHA数据手册

JS28F512M29EWHA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 83.19
2000+ ¥ 81.78
3000+ ¥ 80.37
库存: 8640
起订量: 1000 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 83190
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1734448-1 ¥ 30.7007
410-340 ¥ 185.306
49063 ¥ 87.2219
A290021TV-70F ¥ 32.6592
A290021UL-70F ¥ 0
A29002UL-70F ¥ 15.2099
A29040BL-70F ¥ 35.6452
A29160UV-70F ¥ 0
A29L008ATV-70F ¥ 10.7309
A29L040L-70F ¥ 0