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MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 256Mb (32M x 8,16M x 16) 32 M x 8,16 M x 16 2.7V 50mA 3.6V Parallel 8bit,16bit LBGA-64 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 340-284307-REEL
供应商: Mouser
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR

MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR概述

    # Parallel NOR Flash Embedded Memory — MT28EW256ABA 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    MT28EW256ABA 是一款高性能的嵌入式并行 NOR 闪存芯片,采用单级单元(Single-Level Cell, SLC)工艺技术制造。它提供 256Mb 的存储容量,能够以灵活的数据总线配置(x8 或 x16)运行。此产品专为需要快速随机访问和高可靠性存储的应用而设计,适用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信等领域。
    主要功能
    - 支持异步随机和分页读取操作。
    - 可编程缓冲区支持高达 2.0 MB/s 的典型速度。
    - 支持块擦除(128KB)和字节编程,典型时间为 25μs/字。
    - 提供软件保护功能(如密码保护和非易失性保护)。
    - 符合 JEDEC 标准,支持长达 20 年的数据保持时间和 100,000 次擦写循环。

    技术参数


    以下是根据手册提取的技术规格表:
    | 参数名称 | 技术规格 |

    | 存储容量 | 256 Mb |
    | 工作电压范围 | VCC = 2.7–3.6V
    VCCQ = 1.65–VCC |
    | 数据总线接口 | x8/x16 |
    | 随机读取时间 | 70ns(VCC = VCCQ = 2.7–3.6V)
    75ns(VCCQ = 1.65–VCC) |
    | 缓冲编程速度 | 2.0 MB/s(典型值)
    2.5 MB/s(加速模式) |
    | 块擦除时间 | 0.2 秒(典型值) |
    | 程序时间 | 25 μs/字(典型值) |
    | 数据保持时间 | 20 年(典型值) |
    | 擦写周期 | ≥100,000 次(每个块) |
    | 工作温度范围 | –40°C 至 +85°C |
    | 封装类型 | 56-pin TSOP、64-ball LBGA、56-ball VFBGA |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 高速随机访问:支持异步随机读取和分页读取操作,典型访问时间为 70ns。
    2. 灵活的内存组织结构:采用均匀块划分(128KB 或 64KB),适应多样化需求。
    3. 高可靠性:支持 100,000 次擦写循环,具备长时间数据保持能力。
    4. 多重保护机制:提供硬件锁、软件锁及密码保护等功能。
    市场竞争力
    MT28EW256ABA 在存储容量、速度和可靠性方面均具有显著优势,适用于需要高频率访问和快速响应的应用场景,如智能终端、车载导航和工业控制系统。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 车载信息娱乐系统:利用其稳定的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适合车载环境。
    - 嵌入式设备:如工业控制板卡、医疗设备等,对存储可靠性和灵活性要求较高。
    使用建议
    1. 电源管理:确保供电电压稳定在指定范围内(2.7–3.6V),避免因电压波动导致错误操作。
    2. 数据备份:定期进行数据备份,尤其是在执行擦除或编程操作前,避免意外丢失数据。
    3. 保护设置:通过密码保护或非易失性保护功能锁定关键区域,防止未授权访问。

    兼容性和支持


    兼容性
    MT28EW256ABA 支持多种封装形式(TSOP、LBGA 和 VFBGA),能够轻松集成到现有电路设计中。此外,其 JESD47 标准兼容性确保了良好的行业通用性。
    厂商支持
    Micron 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术支持、样品请求和定制化开发支持。用户可通过官网查询更多详细信息和更新版本。

    常见问题与解决方案


    问题 1:无法正常启动设备
    可能原因:初始化序列未正确完成。
    解决方案:检查电源供应是否符合要求,确保复位信号正确生成。
    问题 2:数据丢失
    可能原因:数据写入后未妥善保存。
    解决方案:在每次编程后,确认数据是否已成功写入,并验证写入状态。
    问题 3:擦写失败
    可能原因:擦写次数超过规定限制。
    解决方案:确认目标区域尚未达到最大擦写寿命,或者考虑其他存储策略。

    总结和推荐


    MT28EW256ABA 是一款兼具高性能和高可靠性的嵌入式存储解决方案,适用于多种复杂应用场景。凭借其快速的随机访问速度、多重安全保护机制以及广泛的兼容性,它成为许多工业和消费电子设备的理想选择。
    综合评估
    - 优点:卓越的速度表现、高可靠性、灵活的内存布局和多样化的封装选项。
    - 适用场景:广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子等领域。
    推荐结论
    强烈推荐将 MT28EW256ABA 用于需要高性能、高稳定性的存储应用场合。同时,建议结合 Micron 提供的技术支持和资源,进一步优化系统设计和性能表现。

MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR参数

参数
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 32 M x 8,16 M x 16
数据总线宽度 8bit,16bit
接口类型 Parallel
存储容量 256Mb (32M x 8,16M x 16)
最大供电电流 50mA
通用封装 LBGA-64
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR数据手册

MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 10.695 ¥ 90.3728
10+ $ 9.108 ¥ 76.9626
25+ $ 8.532 ¥ 72.0954
50+ $ 8.2296 ¥ 69.5401
100+ $ 7.938 ¥ 67.0761
250+ $ 7.3605 ¥ 62.1962
500+ $ 7.098 ¥ 59.9781
1000+ $ 6.9825 ¥ 59.0021
2000+ $ 6.825 ¥ 57.6713
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