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JS28F640P33TF70A

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 8MB 2.3V 28mA 3.6V 40MHz Parallel TSOP-56 贴片安装 14mm*18.4mm*1mm
供应商型号: JS28F640P33TF70A-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F640P33TF70A

JS28F640P33TF70A概述


    产品简介




    Numonyx® P33-65nm Flash Memory是一款高性能的单比特单元(SBC)闪存产品,提供64-Mbit和128-Mbit两种存储密度。该产品适用于需要高速读取和可靠数据存储的应用场景,如代码存储、数据存储以及安全保护等。通过高容量缓冲区,P33-65nm Flash Memory在缓冲编程速度上实现了显著提升,具备低功耗和灵活的安全选项。


    技术参数




    主要规格

    - 存储容量:64-Mbit 和 128-Mbit
    - 数据总线宽度:16位宽
    - 初始访问时间:
    - Easy BGA封装:60ns
    - TSOP封装:70ns
    - 异步页模式读取时间:25ns
    - 同步突发模式读取频率:52MHz
    - 编程速率:
    - 3.0V时,256字节缓冲区编程速率为1.8MByte/s
    - 增强工厂编程速率:3.2MByte/s(典型值)
    - 电压范围:
    - VCC(核心电压):2.3V至3.6V
    - VCCQ(I/O电压):2.3V至3.6V
    - 工作温度范围:-40°C至+85°C
    - 擦写次数:每个块至少100,000次擦写循环

    其他规格

    - 待机电流:
    - 64-Mbit:35μA(典型值)
    - 128-Mbit:50μA(典型值)
    - 连续同步读取电流:23mA(典型值)
    - 数据保护:绝对写保护、电源转换擦除/编程锁定、独立零延迟区块锁定、密码访问功能
    - 软件特性:编程暂停时间20μs、擦除暂停时间20μs
    - 质量与可靠性:符合JESD47E标准


    产品特点和优势




    P33-65nm Flash Memory具有多项独特功能,使其在市场上极具竞争力:
    - 高速接口:支持NOR设备,具有高读取速度和低功耗。
    - 优化架构:采用非对称块结构,支持参数块和主块,提高代码和数据存储效率。
    - 灵活安全选项:提供多种安全保护措施,如一次性编程寄存器、独立区块锁定和密码访问模式。
    - 兼容性强:支持多个命令集,包括基本命令集和增强型功能接口命令集,兼容通用闪存接口。


    应用案例和使用建议




    该产品适用于需要高可靠性和快速响应的应用场景,如嵌入式系统、移动设备、工业控制和网络设备等。例如,在嵌入式系统中,P33-65nm Flash Memory可以用于存储固件和配置文件,保证系统的稳定运行。在使用过程中,建议定期检查电源供应和温度条件,确保最佳性能和长期可靠性。


    兼容性和支持




    P33-65nm Flash Memory提供了两种封装选择:56引脚TSOP和64球Easy BGA。这两种封装形式可广泛应用于不同的应用场景,同时提供了全面的软件支持。制造商Numonyx还提供了详细的文档和技术支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。


    常见问题与解决方案




    1. 问题:如何确保正确的数据保护?
    解决方案:利用绝对写保护和独立区块锁定功能,确保关键数据的安全。

    2. 问题:在高温环境下,如何保持稳定的工作性能?
    解决方案:选择合适的工作温度范围,并确保良好的散热设计。

    3. 问题:如何提高编程效率?
    解决方案:利用缓冲编程功能,提升编程速度至1.8MByte/s。


    总结和推荐




    总体而言,Numonyx® P33-65nm Flash Memory凭借其出色的性能、丰富的安全选项和广泛的适用性,在各类应用中表现出色。特别是对于那些需要高速读取、高效编程和强大数据保护功能的应用,该产品是一个理想的选择。强烈推荐使用这款产品以提升系统的整体性能和安全性。

JS28F640P33TF70A参数

参数
最大供电电流 28mA
最大时钟频率 40MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.3V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 8MB
长*宽*高 14mm*18.4mm*1mm
通用封装 TSOP-56
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JS28F640P33TF70A厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F640P33TF70A数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JS28F640P33TF70A JS28F640P33TF70A数据手册

JS28F640P33TF70A封装设计

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