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JR28F064M29EWHA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 8MB 8 M x 8,4 M x 16 2.7V 50mA 3.6V Parallel 8bit,16bit TSOP-48 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JR28F064M29EWHA

JR28F064M29EWHA概述

    平行NOR闪存嵌入式存储器技术手册

    产品简介


    Micron Technology推出的嵌入式平行NOR闪存系列——M29EW家族,提供了32Mb、64Mb和128Mb三种容量选择。这类器件主要用于高性能嵌入式系统中,适用于工业控制、汽车电子、通信设备及消费类电子产品等领域。它们通过并行接口提供快速的数据读取速度,并具备灵活的擦写能力,确保数据的安全性和持久性。

    技术参数


    - 供电电压:
    - 主电源(VCC): 2.7–3.6V (用于编程、擦除和读取操作)
    - 辅助电源(VCCQ): 1.65–3.6V (用于I/O缓冲区)

    - 异步随机或页读取:
    - 页大小: 8字或16字节
    - 页访问时间: 25ns
    - 随机访问(当VCCQ=2.7–3.6V时): BGA封装下为60ns;TSOP封装下为70ns

    - 缓冲程序: 最大可容纳256字的程序缓冲区

    - 程序时间:
    - 每字节0.56μs(典型值为1.8MB/s,使用256字缓冲区且无VPPH)
    - 每字节0.31μs(典型值为3.2MB/s,使用256字缓冲区且有VPPH)

    - 内存组织结构:
    - 32Mb: 包含64个主块,每个主块64KB,或者8个8KB启动块(顶部或底部)加上63个主块,每个主块64KB
    - 64Mb: 包含128个主块,每个主块64KB,或者8个8KB启动块(顶部或底部)加上127个主块,每个主块64KB
    - 128Mb: 包含128个主块,每个主块128KB

    - 程序/擦除控制器: 内置字/字节程序算法

    - 程序/擦除挂起和恢复功能: 在另一块进行READ操作的同时执行PROG SUSPEND;在另一块进行ERASE SUSPEND时对某一块执行READ或PROG操作

    - BLANK CHECK操作: 用于验证已擦除的块状态

    - 解锁旁路、块擦除、芯片擦除和写入缓冲区能力: 快速缓冲/批量编程;快速块和芯片擦除

    - VPP/WP#引脚保护: 加速编程性能;保护最高/最低块(均匀分布)或顶部/底部两个块(引导分区)

    - 软件保护: 易失性保护;非易失性保护;密码保护;密码访问

    - 扩展内存块: 包含128字(256字节)块用于永久安全标识

    - 低功耗消耗: 待机模式

    - 符合JESD47H标准: 每个块至少100,000次擦写循环;典型数据保持时间为20年

    - 工艺技术: 65纳米单比特单元处理技术

    - 封装类型: JEDEC标准封装,包括TSOP(带铅/无铅)、BGA(带铅/无铅)等

    - 绿色封装选项: RoHS合规;无卤素

    - 工作温度范围: 环境温度:-40°C至+85°C

    产品特点和优势


    M29EW系列嵌入式平行NOR闪存以其卓越的技术指标成为市场上备受瞩目的产品之一。其关键特性包括但不限于强大的数据保护机制、高效的程序和擦除速度、广泛的电压适应范围以及优良的可靠性表现。这些特点使其非常适合于那些需要高可靠性和灵活性的应用场景。

    应用案例和使用建议


    此款产品广泛应用于各类嵌入式系统中,如网络路由器、工业自动化设备和个人计算机等。对于开发者而言,在设计过程中应充分考虑产品的具体需求,合理规划内存布局以最大化利用资源。此外,考虑到该类产品较高的编程效率,可以采用流水线作业方式来提高整体系统的运行效率。

    兼容性和支持


    M29EW系列产品与多种主流处理器平台兼容良好,能够无缝集成到现有系统当中。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术支持论坛、电话咨询热线以及定期举办的技术培训课程等,帮助客户解决开发过程中的各种难题。

    常见问题与解决方案


    以下是部分常见的用户反馈及其对应的解决方案:
    1. 问题: 如何正确设置锁定位?
    解答: 请参考数据手册第49页关于LOCK REGISTER COMMANDS的部分,按照步骤逐步操作即可完成设置。

    2. 问题: 在进行擦除操作时遇到失败情况怎么办?
    解答: 首先检查供电电压是否处于正常范围内,然后确认是否有未清除的安全区域阻碍了擦除进程。如果问题依旧存在,请联系技术支持寻求进一步指导。

    总结和推荐


    综上所述,M29EW系列嵌入式平行NOR闪存在多个方面展现出强劲的实力,无论是从性能参数还是实际应用角度来看都是一款值得信赖的产品。我们强烈推荐给所有正在寻找高效稳定存储解决方案的企业和个人用户。不过,在做出最终决定之前,建议您根据自身项目的具体要求仔细评估各项指标,并结合厂家提供的样品进行实际测试验证。

JR28F064M29EWHA参数

参数
数据总线宽度 8bit,16bit
接口类型 Parallel
存储容量 8MB
最大供电电流 50mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 8 M x 8,4 M x 16
通用封装 TSOP-48
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 托盘

JR28F064M29EWHA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JR28F064M29EWHA数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JR28F064M29EWHA JR28F064M29EWHA数据手册

JR28F064M29EWHA封装设计

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