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JS28F512P33BFD

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 64MB 2.3V 31mA 3.6V 40MHz Parallel TSOP-56 贴片安装 14mm*18.4mm*1mm
供应商型号: JS28F512P33BFD-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F512P33BFD

JS28F512P33BFD概述

    Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) 技术手册

    1. 产品简介


    Micron的Parallel NOR Flash Embedded Memory(P33-65nm)系列包括多种型号的产品,如JS28F512P33BFD, JS28F512P33TFA, JS28F512P33EFA, PC28F512P33BFD等。这些产品主要用于嵌入式系统中存储代码和数据,适用于需要高可靠性和高性能的应用场合。主要功能包括高速读取、高密度存储和多重保护机制。它们广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 访问时间:对于512Mb和1Gb型号,初始访问时间为95ns(Easy BGA封装),对于2Gb型号为100ns(Easy BGA封装)。对于TSOP封装的512Mb和1Gb型号,初始访问时间为105ns。
    - 读取模式:16字异步页面读取模式的延迟时间为25ns,支持零等待状态下的同步突发读取模式,最高可达52MHz。
    - 电压范围:核心电压(VCC)和I/O电压(VCCQ)均为2.3-3.6V。
    - 电源电流:待机电流典型值为70μA(512Mb)、75μA(1Gb);52MHz连续同步读取电流典型值为21mA,最大值为24mA。
    - 存储密度:提供512Mb、1Gb和2Gb三种容量选项。
    - 温度范围:工作温度范围为-40°C至+85°C。
    - 擦写次数:每个块至少100,000次擦写循环。

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:采用高速读取技术和低延迟设计,确保快速数据传输。
    - 易于封装:支持Easy BGA和TSOP两种封装方式,适用于不同应用场景。
    - 高可靠性:最低100,000次擦写循环,确保长时间使用不衰减。
    - 安全性:具备多种安全保护措施,如密码访问、一次性可编程寄存器等,有效防止非法操作。
    - 灵活的架构:支持MLC和SLC两种架构,提供对称和非对称块布局,可根据需求选择最合适的配置。

    4. 应用案例和使用建议


    该系列产品广泛应用于智能家电、汽车电子、网络设备等场景。例如,在智能家居系统中,这种内存可用于存储控制程序和用户数据。在汽车电子领域,用于存储导航系统和车身控制系统的代码。建议根据具体应用选择适合的容量和封装类型,同时注意遵循手册中的电源管理和温度控制要求,以确保最佳性能和稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准NOR Flash接口兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持:提供详尽的技术文档和官方技术支持,包括在线资源和直接联系销售人员或技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何进行密码访问?
    - A: 通过执行特定命令并设置相应的密码寄存器实现密码保护。
    - Q: 如何进行数据擦写操作?
    - A: 可通过命令行接口执行Erase操作,并根据需要选择Block Erase或Page Erase。
    - Q: 如何解决数据读取速度慢的问题?
    - A: 检查时钟信号是否稳定,确认正确的地址和控制信号设置。

    7. 总结和推荐


    综上所述,Micron的Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) 系列产品凭借其高性能、高可靠性、丰富的功能和良好的兼容性,成为许多嵌入式系统的理想选择。强烈推荐在需要高密度存储和高可靠性的应用场合使用。对于开发人员来说,详细了解产品的技术手册将有助于更好地利用其特性和优势,从而构建更加高效稳定的系统。

JS28F512P33BFD参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 64MB
最大供电电流 31mA
最大时钟频率 40MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.3V
组织 -
长*宽*高 14mm*18.4mm*1mm
通用封装 TSOP-56
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JS28F512P33BFD厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F512P33BFD数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JS28F512P33BFD JS28F512P33BFD数据手册

JS28F512P33BFD封装设计

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