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MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 8Gb (256M x 32) 256 M x 32 933MHz 32bit FBGA-178 贴片安装,黏合安装
供应商型号: AV-S-MICMT52L256M32D1!E
供应商: Avnet
标准整包数: 1000
MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR

MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR概述

    Mobile LPDDR3 SDRAM 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型与功能:
    Mobile LPDDR3 SDRAM(低功耗双倍数据速率第三版移动存储器)是一种高性能、低功耗的内存解决方案,专为移动设备设计。该系列内存具有多种容量配置(如256MB、512MB等),并提供x16和x32两种数据宽度选择,能够满足不同设备的需求。
    主要功能:
    - 支持800MHz至10MHz的数据率(数据速率范围:1600Mb/s至20Mb/s每引脚)。
    - 配备8n预取DDR架构,大幅提升带宽。
    - 具有8个内部银行,实现并发操作能力。
    应用领域:
    广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、车载娱乐系统等领域,特别适合对低功耗和高性能要求较高的移动设备。

    2. 技术参数


    以下是产品的核心技术参数:
    | 参数类别 | 具体指标 |

    | 数据速率 | 800MHz~10MHz |
    | 工作电压 | 核心电压:1.2V;I/O电压:1.8V/1.2V |
    | 预取架构 | 8n预取 |
    | 内部银行数量 | 8 |
    | 温度范围 | -30°C 至 +85°C(WT)或 -40°C 至 +105°C(AT)|
    | 刷新模式 | 部分阵列自刷新(PASR)、温度补偿自刷新(TCSR) |
    | 休眠模式 | 深度功率下降模式(Deep Power-Down Mode) |
    其他细节还包括:
    - 编程读写延迟(RL/WL)支持多种组合。
    - 支持突发长度(Burst Length)为8。
    - 支持多路复用命令地址输入,实现双向数据选通。
    - 输出驱动强度可调(DS),提升兼容性。
    - 罗氏环保包装,符合RoHS标准。

    3. 产品特点和优势


    独特功能与优势:
    1. 低功耗设计:采用超低电压核心和I/O电源供应,大幅降低能耗,延长设备续航时间。
    2. 高带宽与效率:通过8n预取架构和8位银行实现高效数据传输,数据速率达到20Mb/s/引脚。
    3. 灵活性强:支持多种封装形式(如178球、216球、253球FBGA),适应不同的物理布局需求。
    4. 可靠性高:具备部分阵列自刷新(PASR)和深度休眠模式等功能,在待机状态下进一步节省功耗。
    5. 绿色环保:符合RoHS标准,采用“绿色”包装材料。
    这些特点使其在市场上具备强大的竞争力,尤其是在对功耗敏感的应用场景中表现尤为突出。
    4. 应用案例与使用建议
    典型应用场景:
    - 智能手机和平板电脑:用于运行操作系统、缓存数据及存储多媒体文件。
    - 车载信息系统:处理导航、娱乐系统以及车辆传感器的数据流。
    - 工业物联网设备:提供稳定的数据存储支持。
    使用建议:
    - 在选择模块时,需根据目标设备的具体功耗需求挑选合适的电压等级(1.2V或1.8V)。
    - 针对需要频繁访问数据的应用场景,建议启用部分阵列自刷新(PASR)以减少不必要的功耗。
    - 如果需要更高的容量或更快的速度,可以选择更高密度的产品型号,例如MT52L512M32D4。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品与其他主流的LPDDR3控制器芯片完全兼容。
    - 同时,它支持主流的FBGA封装接口,方便与其他设备集成。
    厂商支持:
    - Micron公司提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的初始化流程、寄存器配置指南及故障排查方法。
    - 用户可通过官方网站下载解码器工具(https://www.micron.com/decoder),帮助快速解析FBGA封装产品的标识信息。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 初始化失败 | 确认电压等级设置是否正确,确保时钟信号稳定。 |
    | 数据传输不稳定 | 检查DQS/DQS#信号的相位差是否在容许范围内。 |
    | 设备无法进入深度休眠模式 | 确保所有未使用的通道均被预充电并关闭电源。 |
    | 输出阻抗异常 | 执行ZQ校准程序,调整输出驱动强度。 |
    7. 总结与推荐
    综合评价:
    Micron推出的Mobile LPDDR3 SDRAM凭借其出色的性能、低功耗特性和广泛的适用性,在移动设备市场上占据了重要地位。无论是从技术参数还是实际应用场景来看,这款产品都展现了极高的实用价值。
    推荐使用:
    我们强烈推荐此产品给那些追求高性能、低功耗且希望获得稳定可靠服务的开发者或工程师。如果您正在寻找一款能够满足现代移动设备需求的存储解决方案,那么Mobile LPDDR3 SDRAM无疑是您的理想选择。

    通过以上内容,我们可以清晰地了解Mobile LPDDR3 SDRAM的技术优势及其应用场景,希望这份分析能为您的项目带来启发!

MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR参数

参数
接口类型 -
存储容量 8Gb (256M x 32)
最大供电电流 -
最大时钟频率 933MHz
最大工作供电电压 -
最小工作供电电压 -
组织 256 M x 32
数据总线宽度 32bit
通用封装 FBGA-178
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MICRON TECHNOLOGY MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR数据手册

MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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3000+ $ 10.6696 ¥ 94.4259
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