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MT29F1G08ABADAWP:D

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 128MB 2.7V 35mA 3.6V Parallel TSOP-48 贴片安装 12mm(长度)*18.4mm(宽度)
供应商型号: 15D-MT29F1G08ABADAWP:D
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MT29F1G08ABADAWP:D

MT29F1G08ABADAWP:D概述

    NAND Flash Memory 技术手册

    产品简介


    Micron的MT29F1G08ABADAWP系列是高速、高可靠性的单层单元(SLC)NAND闪存,支持Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。这种NAND闪存广泛应用于嵌入式系统、工业设备、通信设备和数据存储等领域,具备高性能和长期可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 组织结构 | 页大小x8:2112字节 |
    页大小x16:1056字节 |
    块大小:64页(128K+4K字节) |
    设备容量:1Gb(1024块) |
    | 异步I/O性能 | tRC/tWC:20ns(3.3V),25ns(1.8V) |
    | 阵列性能 | 读页:25µs |
    编程页:200µs(典型值,3.3V和1.8V) |
    擦除块:700µs(典型值) |
    | 指令集 | ONFI NAND Flash协议 |
    | 先进指令集 | 缓存模式编程 |
    缓存模式读取 |
    一次性可编程(OTP) |
    读取唯一ID |
    内部数据移动 |
    | 运行状态字节 | 软件方法检测操作完成 |
    成功/失败状态 |
    写保护状态 |
    | 就绪/忙信号 | 硬件方法检测操作完成 |
    | 写保护信号 | 整个设备写保护 |
    | 数据保持时间 | 10年 |
    | 使用周期耐久性 | 100,000编程/擦除周期 |
    | 工作电压范围 | VCC:2.7–3.6V |
    VCC:1.7–1.95V |
    | 工作温度范围 | 商业级:0°C至+70°C |
    扩展级:-40°C至+85°C |
    | 封装类型 | 48针TSOP类型1,CPL2 |
    63球VFBGA |

    产品特点和优势


    - SLC技术:更高的耐用性和更快的数据传输速度。
    - 先进指令集:提供缓存模式编程和读取,增加灵活性。
    - 高可靠性:10年的数据保持时间和100,000次编程/擦除周期,适用于苛刻环境。
    - 低功耗:异步I/O设计减少功耗。
    - 内置ECC纠错:确保数据完整性。
    - 宽电压范围:支持2.7-3.6V和1.7-1.95V电压,适应不同应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该NAND闪存在嵌入式系统、工业控制、数据记录和通信设备中广泛使用。例如,在一个智能电表系统中,MT29F1G08ABADAWP可以用于存储计量数据和配置信息。
    - 使用建议:为了提高系统的稳定性和可靠性,建议在硬件设计时合理规划电源管理,避免电压波动。同时,在软件设计中利用先进的指令集(如缓存模式编程和读取),以优化数据处理速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与标准ONFI 1.0协议兼容,可以与各种控制器无缝连接。
    - 支持:Micron提供了详尽的技术文档和及时的技术支持,确保客户能够充分利用产品的所有特性。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何初始化设备?
    - 解决办法:在上电后首先执行RESET命令(FFh)。如果需要,还可以调用工厂提供的初始化方法NandInit。
    - 问题2:如何进行错误管理?
    - 解决办法:使用内部ECC机制来检测并纠正错误。确保数据块的ECC正确配置。
    - 问题3:如何确保数据完整性?
    - 解决办法:启用写保护信号(WP#),避免意外修改数据。

    总结和推荐


    MT29F1G08ABADAWP系列NAND闪存以其高可靠性、高性能和宽工作温度范围,成为嵌入式系统和工业应用的理想选择。它具备先进的功能和出色的耐用性,适合在复杂环境中长时间稳定运行。强烈推荐在关键数据存储应用中采用该产品,以确保数据的安全性和系统稳定性。

MT29F1G08ABADAWP:D参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 128MB
最大供电电流 35mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
长*宽*高 12mm(长度)*18.4mm(宽度)
通用封装 TSOP-48
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级
零件状态 停产
包装方式 盒装,散装

MT29F1G08ABADAWP:D厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT29F1G08ABADAWP:D数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY MT29F1G08ABADAWP:D MT29F1G08ABADAWP:D数据手册

MT29F1G08ABADAWP:D封装设计

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