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MT47H256M8EB-25E:CTR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 2Gb (256M x 8) 256Mx8 1.7V 130mA 1.9V 400MHz Parallel 8bit BGA 贴片安装,黏合安装
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MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MT47H256M8EB-25E:CTR

MT47H256M8EB-25E:CTR概述


    产品简介


    DDR2 SDRAM是一种高性能的存储器芯片,广泛应用于现代计算和数据处理系统中。该系列产品包括多种容量选项,如512 Meg x 4、256 Meg x 8和128 Meg x 16,分别对应不同的银行结构(64 Meg x 4 x 8 banks、32 Meg x 8 x 8 banks、16 Meg x 16 x 8 banks)。DDR2 SDRAM的主要功能是提供高速的数据读写能力,支持多种刷新和预充电机制,适用于需要高密度存储的应用场景。

    技术参数


    - 电压要求:VDD = 1.8V ±0.1V,VDDQ = 1.8V ±0.1V
    - 接口标准:JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL18-compatible)
    - 数据宽度:支持x4、x8、x16三种数据宽度
    - 内部架构:4n-bit prefetch architecture
    - 银行结构:8个内部银行,支持并发操作
    - 时序参数:支持CL=3至CL=7,tCK范围为1.875ns至3.0ns
    - 刷新机制:64ms周期内的8192个刷新循环
    - 功耗管理:支持On-die termination (ODT)和多种省电模式

    产品特点和优势


    DDR2 SDRAM以其高可靠性和灵活性著称。它具有工业级温度范围支持(-40°C至+95°C),适合恶劣的工作环境。此外,其支持JEDEC标准的电气特性确保了广泛的兼容性。产品采用先进的4n-bit prefetch架构和DLL锁相环技术,显著提升了数据传输效率和信号质量。

    应用案例和使用建议


    典型应用包括服务器、工作站、图形卡和高端消费电子产品。在使用过程中,建议根据具体需求选择合适的CL值和数据宽度以优化性能。对于低延迟和高带宽需求的场景,可以考虑使用更高的CL值(如CL=7)。同时,在高负载情况下,应合理配置刷新频率以保证数据完整性。

    兼容性和支持


    DDR2 SDRAM完全符合JEDEC规范,能够无缝集成到现有设计中。Micron Technology提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速部署并解决问题。通过官方网站上的FBGA代码解码工具,可以轻松将简化的封装标记转换为完整的产品编号。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 初始化失败 | 检查电压是否符合要求,确认所有命令序列正确执行 |
    | 数据传输错误 | 调整DLL设置,确保DQ与DQS之间的相位对齐 |
    | 温度过高 | 使用散热片或风扇改善散热条件,避免长时间超负荷运行 |

    总结和推荐


    总体而言,Micron Technology的DDR2 SDRAM凭借其卓越的性能、广泛的适用性和完善的售后服务,在存储器市场上占据重要地位。无论是从性价比还是稳定性角度来看,这款产品都非常值得推荐给需要高性能存储解决方案的企业和个人用户。如果您正在寻找一款可靠且高效的DDR2内存芯片,MT47H系列无疑是理想之选。

MT47H256M8EB-25E:CTR参数

参数
最小工作供电电压 1.7V
组织 256Mx8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (256M x 8)
最大供电电流 130mA
最大时钟频率 400MHz
最大工作供电电压 1.9V
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

MT47H256M8EB-25E:CTR厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT47H256M8EB-25E:CTR数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 动态随机存储器(DRAM) MICRON TECHNOLOGY MT47H256M8EB-25E:CTR MT47H256M8EB-25E:CTR数据手册

MT47H256M8EB-25E:CTR封装设计

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