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GC3D06060A

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 总电容电荷(Qc):23nC\n 总功率(Ptot):73W
供应商型号: GC3D06060A TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 GC3D06060A

GC3D06060A概述

    GC3D06060A 硅碳化物肖特基二极管技术手册

    产品简介


    GC3D06060A 是一款高性能硅碳化物(SiC)肖特基二极管,适用于广泛的电力转换和控制应用。该二极管具有高达600伏特的峰值反向电压和良好的高温工作特性。其主要功能包括零反向恢复电流、零正向恢复电压、高频操作能力和温度独立的开关行为。通过使用这种二极管,设计者可以显著提高系统效率并减少热管理需求。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |

    | 反复峰值反向电压 | 600 V
    | 峰值反向电压 | 600 V
    | 直流阻断电压 | 600 V
    | 连续正向电流 | 19 | 9 | A | TC=25˚C
    TC=135˚C
    TC=154˚C |
    | 反复峰值正向浪涌电流 | 30 | 20 | A | TC=25˚C, tP = 10 ms, 半正弦波
    TC=110˚C, tP = 10 ms, 半正弦波 |
    | 非重复峰值正向浪涌电流 | 63 | 49 | A | TC=25˚C, tP = 10 ms, 半正弦波
    TC=110˚C, tP = 10 ms, 半正弦波 |
    | 最大非重复峰值正向浪涌电流 | 540 | 460 | A | TC=25˚C, tP = 10 µs, 脉冲
    TC=110˚C, tP = 10 µs, 脉冲 |
    | 功率耗散 | 88 | 38 | W | TC=25˚C
    TC=110˚C |
    | 工作结温和存储温度 | -55到+175 ˚C
    | 热阻从结到壳 | 1.7 ˚C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性:具有高耐压能力和零反向恢复电流,能承受较大的电应力。
    - 高效率:低正向电压降和几乎无开关损耗,显著提高了整体系统效率。
    - 温度独立性:温度变化对开关行为影响极小,适合在极端温度环境中使用。
    - 增强散热性能:无需额外的散热装置,减少了系统的体积和成本。
    - 易于并联:无热失控风险,可以轻松实现多管并联,提高输出功率。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源(SMPS):可用于提升整流电路的效率。
    - PFC或DC/DC阶段的升压二极管:降低能耗,提高整体效率。
    - 逆变器阶段的自由轮转二极管:用于电动机控制和变频器应用。
    - AC/DC转换器:可作为整流器使用,减少能量损耗。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以避免温度过高导致的损坏。
    - 在选择并联数量时,确保所有二极管具有相同的特性,以避免电流不均引起的问题。

    兼容性和支持


    - 封装形式:TO-220-2
    - 安装扭矩:M3螺丝为1 Nm,6-32螺丝为8.8 lbf-in。
    - 兼容其他组件:广泛适用于多种标准电源设计,具有良好的通用性。
    - 技术支持:由无锡国晶微半导体技术有限公司提供全方位的技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温条件下运行时温度过快上升。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保良好的热管理。
    - 问题:多次峰值浪涌电流导致二极管损坏。
    - 解决方案:使用更高级别的热阻保护措施,如添加瞬态抑制二极管或外部冷却装置。
    - 问题:并联多个二极管时电流分配不均匀。
    - 解决方案:确保所有二极管具有相似的特性,并采取适当的平衡措施,如使用均流电阻。

    总结和推荐


    GC3D06060A 硅碳化物肖特基二极管凭借其卓越的性能和可靠性,在电力电子领域提供了诸多优势。其零反向恢复电流和高频操作能力使其成为开关电源和逆变器的理想选择。综合考虑其效率、耐温性和易用性,强烈推荐在各类高压电力转换和控制应用中采用这款二极管。

GC3D06060A参数

参数
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
通用封装 TO-220

GC3D06060A厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC3D06060A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 SUPSIC/国晶微半导体 GC3D06060A GC3D06060A数据手册

GC3D06060A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.419
1000+ ¥ 3.156
2000+ ¥ 3.1034
4000+ ¥ 3.0245
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