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GC3D03060A

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 总电容电荷(Qc):23nC 总功率(Ptot):73W
供应商型号: GC3D03060A TO220
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 GC3D03060A

GC3D03060A概述

    # GC3D03060A Silicon Carbide Schottky Diode

    产品简介


    GC3D03060A 是一款由无锡国晶微半导体技术有限公司生产的高性能硅碳化物肖特基二极管。这款二极管的主要功能是用于高频开关电路中,具备低反向恢复电流和零正向恢复电压的特点。其主要应用领域包括开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路中的升压二极管、逆变器中的自由轮二极管以及AC/DC转换器等。

    技术参数


    最大额定值
    - 重复峰值反向电压 (VRRM):600 V
    - 浪涌峰值反向电压 (VRSM):600 V
    - 直流阻断电压 (VDC):600 V
    - 连续正向电流 (IF):
    - TC=25˚C 时:11 A
    - TC=135˚C 时:5 A
    - TC=158˚C 时:3 A
    - 重复峰值正向浪涌电流 (IFRM):
    - TC=25˚C 时:18 A
    - TC=110˚C 时:13.5 A
    - 非重复峰值正向浪涌电流 (IFSM):
    - TC=25˚C 时:26 A
    - TC=110˚C 时:23 A
    - 非重复峰值正向浪涌电流 (IFSM):
    - TC=25˚C 时:100 A
    - 功耗 (Ptot):
    - TC=25˚C 时:47 W
    - TC=110˚C 时:20 W
    - 最大dV/dt:200 V/ns
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +175°C
    - 安装扭矩:
    - M3 螺丝:1 Nm
    - 6-32 螺丝:8.8 lbf-in
    电气特性
    - 正向电压 (VF):
    - IF = 3 A, TJ = 25°C 时:1.5 V
    - IF = 3 A, TJ = 175°C 时:1.8 V
    - 反向电流 (IR):
    - VR = 600 V, TJ = 25°C 时:4 μA
    - VR = 600 V, TJ = 175°C 时:80 μA
    - 总电荷量 (QC):
    - VR = 400 V, IF = 3 A 时:7.6 nC
    - 总电容 (C):
    - VR = 0 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz 时:166 pF
    - 电容储存能量 (EC):
    - VR = 400 V 时:1.1 μJ
    - 热阻 (RθJC):
    - 3.2 °C/W

    产品特点和优势


    GC3D03060A 的特点和优势包括:
    - 零反向恢复电流:减少了开关过程中的损耗。
    - 零正向恢复电压:提供了更低的导通损耗。
    - 高频率操作能力:适用于高速开关电路。
    - 温度无关的开关行为:在不同温度下表现出一致的性能。
    - 正向电压随温度的正温度系数:提高了在高温下的稳定性和可靠性。
    - 替换双极二极管:降低了系统复杂度和成本。
    - 无开关损耗:提高效率。
    - 降低散热要求:减少外部散热需求。
    - 并联设备无热失控:简化了电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源 (SMPS):由于其高频率操作能力和低损耗特性,非常适合用于高频开关电源的设计。
    - 升压二极管 (Boost Diodes):在功率因数校正电路或DC/DC转换阶段中使用,提高效率。
    - 自由轮二极管 (Free-Wheeling Diodes):在逆变器中使用,减少切换损失。
    - AC/DC 转换器:可以有效提升转换效率。
    使用建议
    - 在选择安装位置时,应考虑其散热需求,确保良好的空气流通和散热条件。
    - 并联多个器件时,要确保温度均匀分布以避免热失控现象。

    兼容性和支持


    - 封装:TO-220-2
    - 其他兼容性:可以与其他符合相同规格的封装进行互换使用。
    - 支持服务:无锡国晶微半导体技术有限公司提供技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    问题与解决方案
    1. 发热严重
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,确保足够的空气流通和散热片面积。
    2. 电压波动过大
    - 解决方案:检查输入电压是否稳定,必要时增加稳压电路。
    3. 电流不足
    - 解决方案:检查接线是否良好,确认连接点无氧化或松动情况。

    总结和推荐


    综上所述,GC3D03060A 硅碳化物肖特基二极管具有高效能、低损耗、高频率操作等显著优点,适用于多种电力电子应用场合。其独特的技术特性使其在市场上具有较强的竞争力。因此,推荐在需要高性能、高效率的开关电源及类似应用场合中使用此款二极管。

GC3D03060A参数

参数
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
通用封装 TO-220

GC3D03060A厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC3D03060A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 SUPSIC/国晶微半导体 GC3D03060A GC3D03060A数据手册

GC3D03060A封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.419
1000+ ¥ 3.156
2000+ ¥ 3.1034
4000+ ¥ 3.0245
库存: 10000
起订量: 10 增量: 1000
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