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GC4D15120A

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 总电容电荷(Qc):77.5nC 总功率(Ptot):192W
供应商型号: GC4D15120A TO220
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 GC4D15120A

GC4D15120A概述

    # 无锡国晶微半导体GC4D15120A Silicon Carbide Schottky Diode

    产品简介


    基本介绍
    无锡国晶微半导体技术有限公司的GC4D15120A是一款高性能的硅碳化物肖特基二极管。该产品具备1.2kV的峰值反向电压,适用于各种高压及高频应用。作为一款1.2kV肖特基整流器,它具有零反向恢复电流、高频率操作能力以及温度无关的开关特性。
    应用领域
    GC4D15120A广泛应用于各类电源转换设备,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)中的升压二极管、逆变器中的自由轮转二极管以及AC/DC转换器等。

    技术参数


    主要技术规格
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | VRRM 1200 V | 反复峰值反向电压 |
    | VRSM 1300 V | 冲击峰值反向电压 |
    | VR 1200 V | 直流峰值反向电压 |
    | IF (TC=135°C) | 21 A | 连续正向电流,TC=135°C |
    | IFRM (TC=25°C) 68 A | 冲击峰值正向浪涌电流 |
    | IFSM (TC=25°C) 100 A | 非重复正向浪涌电流 |
    | Ptot (TC=25°C) | 214 W | 功率耗散 |
    电气特性
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | VF (TC=25°C) | 1.6 | 1.8 | 2.3 | V | 正向电压 |
    | IR (TC=25°C) | 35 120 | μA | 反向电流 |
    | QC (TJ=25°C) | 77.5 nC | 总电容充电量 |
    | C (VR=0V, TJ=25°C) 70 pF | 电容 |
    | EC (VR=800V) 22 μJ | 电容储存能量 |
    | dV/dt | 200 V/ns | 二极管dv/dt稳健性 |
    工作环境
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 备注 |

    | TJ | -55 | 175 | °C | 操作结温范围 |
    | Tstg | -55 | 135 | °C | 存储温度范围 |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 零反向恢复电流:确保无损耗的高效运行。
    2. 高频率操作能力:适合高频应用场景。
    3. 温度无关的开关特性:适应更广泛的温度环境。
    市场竞争力
    1. 提高效率:无损耗切换减少能耗,提升整体系统效率。
    2. 减少热沉需求:简化散热设计,降低制造成本。
    3. 并联设备无需热失控:增强系统的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 开关模式电源(SMPS):用于整流、滤波和稳压。
    - 功率因数校正(PFC):适用于升压二极管,提升电能质量。
    - 逆变器:用于自由轮转二极管,保护主电路免受瞬态电压冲击。
    - AC/DC转换器:提供高效的电源转换方案。
    使用建议
    - 在选择应用时需注意散热设计,以确保产品在高负荷状态下仍能保持良好的性能。
    - 通过合理布局PCB和选用合适的散热片来进一步提升散热效果。
    - 在系统设计中采用并联方式,避免热失控现象的发生。

    兼容性和支持


    兼容性
    GC4D15120A具有标准TO-220封装,易于与现有系统兼容。同时,其优异的电气特性使其适用于多种不同的电路设计。
    支持和服务
    无锡国晶微半导体技术有限公司为客户提供全面的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障排查及维修服务等。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 为什么需要考虑散热设计?
    - 由于GC4D15120A的工作电流较大,产生的热量需要通过适当的散热措施进行有效管理。
    2. 如何处理过压问题?
    - 应使用外部保护电路如瞬态电压抑制器(TVS)来防止过压对二极管造成损害。
    解决方案
    1. 确保良好的散热设计:采用散热片或液冷系统,确保二极管正常工作。
    2. 安装TVS保护电路:通过安装TVS保护二极管免受过电压影响。

    总结和推荐


    综合评估
    GC4D15120A硅碳化物肖特基二极管以其出色的性能和广泛的应用场景,在众多高压及高频应用中表现出色。其低损耗、高效率和卓越的稳定性使其成为市场上极具竞争力的产品之一。
    推荐使用
    鉴于其优越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在各种高压和高频应用中使用无锡国晶微半导体技术有限公司的GC4D15120A。

GC4D15120A参数

参数
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
通用封装 TO-220

GC4D15120A厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC4D15120A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 SUPSIC/国晶微半导体 GC4D15120A GC4D15120A数据手册

GC4D15120A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 10.92
1000+ ¥ 10.08
2000+ ¥ 9.912
4000+ ¥ 9.66
库存: 10000
起订量: 10 增量: 1000
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