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GC3D25170H

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 总电容电荷(Qc):230nC 总功率(Ptot):384W
供应商型号: GC3D25170H TO247-2
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 肖特基二极管 GC3D25170H

GC3D25170H概述


    产品简介


    GC3D25170H 是一款由无锡国晶微半导体技术有限公司(Wuxi Gwok Semiconductor Co.,Ltd)生产的硅碳化物肖特基二极管。该产品属于高压肖特基整流器,主要功能是在各种高频开关电源应用中实现高效电能转换。它的典型应用包括开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路中的升压二极管、逆变器中的自由轮二极管以及AC/DC转换器等。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | VRRM | 反向峰值重复电压 | - | 1700 | V | - |
    | VRSM | 峰值反向浪涌电压 | - | 1700 | V | - |
    | VDC | 直流阻断电压 | - | 1700 | V | - |
    | IF | 持续正向电流 | - | 26.3 | A | TC<135°C |
    | IFRM | 重复峰值正向浪涌电流 | - | 99.57 | A | TC=25°C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=1
    TC=110°C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=1 |
    | IFSM | 非重复峰值正向浪涌电流 | - | 117.88 | A | TC=25°C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=1
    TC=110°C, tP=10 ms, Half Sine Wave, D=1 |
    | Ptot | 功率耗散 | - | 377 | W | TC=25°C
    TC=110°C |
    | Tc | 最高壳温 | 135 | °C | - |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 | +175 | °C | - |
    | Tstg | 存储温度范围 | -55 | +135 | °C | - |

    产品特点和优势


    - 无反向恢复电荷:作为多数载流子二极管,GC3D25170H 不会产生反向恢复电荷。
    - 零反向恢复电流和零正向恢复电压:确保在高频操作时几乎没有能量损失。
    - 高温独立切换行为:在广泛的温度范围内提供稳定的性能。
    - 极高频率操作能力:适用于高速开关电源设计。
    - 无卤素且符合RoHS标准:环保材料保障。

    应用案例和使用建议


    - 开关模式电源(SMPS):通过减少损耗提高效率。
    - 升压二极管:在PFC或DC/DC变换器中提高系统的整体效率。
    - 自由轮二极管:用于逆变器中,降低热管理要求。
    - AC/DC转换器:减少器件数量和简化电路设计。
    使用建议:
    在使用过程中,考虑到其高耐压和高频特性,建议对电路进行详细的热仿真和应力测试,以避免瞬态过电压对二极管造成损害。对于长期运行的应用,应特别关注散热设计以保持二极管在安全的工作范围内。

    兼容性和支持


    - 兼容性:GC3D25170H 尺寸为TO-247-2,标准封装便于与其他元件集成。
    - 厂商支持:无锡国晶微半导体提供详尽的技术文档和专业的技术支持服务,确保用户能够充分利用其优异性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下工作,发现正向电压VF偏高。
    解决方案:检查并改进散热设计,确保二极管处于安全的工作温度范围内。
    2. 问题:在瞬态过电压条件下,出现电流峰值。
    解决方案:采用合适的保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS),以吸收瞬态电流并保护二极管。

    总结和推荐


    GC3D25170H 硅碳化物肖特基二极管凭借其高可靠性、低损耗和宽温度范围,非常适合于高性能开关电源和其他需要高频、高耐压的应用场合。其无卤素和RoHS合规的设计也使其成为环保应用的理想选择。综上所述,我们强烈推荐该产品用于各种电力电子系统的设计中。

GC3D25170H参数

参数
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
通用封装 TO-247-2

GC3D25170H厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC3D25170H数据手册

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GC3D25170H封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 128.31
450+ ¥ 118.44
900+ ¥ 116.466
1800+ ¥ 113.505
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