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UB1580G-AB3-R

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述:
供应商型号: 14M-UB1580G-AB3-R SOT-89
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 三极管(BJT) UB1580G-AB3-R

UB1580G-AB3-R概述

    UB1580 PNP Silicon Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    UB1580 是一款由 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 生产的 PNP 复合晶体管(Darlington 晶体管),专门用于一般用途放大电路和低速开关应用。这种晶体管能够提供较高的集电极-发射极击穿电压和功率耗散能力,适用于多种需要高电流和高电压的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是 UB1580 的关键技术和性能参数:
    - 集电极-发射极电压: \( V{CEO} = -150V \)
    - 最大集电极耗散功率: \( P{C(max)} = 600mW \)
    - 低饱和电压: \( V{CE(SAT)} \)
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压: \( V{CBO} = -150V \)
    - 集电极-发射极电压: \( V{CEO} = -150V \)
    - 发射极-基极电压: \( V{EBO} = -5V \)
    - 集电极电流 (连续): \( IC = -4A \)
    - 集电极电流 (脉冲): \( I{CP} = -6A \)
    - 结温: \( TJ = +150°C \)
    - 存储温度: \( T{STG} = -55°C \sim +150°C \)

    3. 产品特点和优势


    - 高击穿电压: UB1580 的高击穿电压使得它能够在极端电压条件下稳定运行,提高了系统的可靠性和稳定性。
    - 大功率耗散: 最大耗散功率为 600mW,使得该晶体管适用于需要高功率应用的场合。
    - 低饱和电压: 这种特性有助于减少能量损耗,提高系统效率。
    - 小封装: 采用 SOT-89 封装,体积小巧,适合空间受限的设计。

    4. 应用案例和使用建议


    UB1580 可应用于广泛的放大和开关电路中。例如,在音频放大器、继电器驱动和电机控制等领域。建议在设计时注意散热管理,特别是在高电流应用中,确保不会超过绝对最大额定值。此外,建议在测试期间使用适当的脉冲宽度和占空比来验证其性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: UB1580 与标准的 SOT-89 封装相兼容,可以轻松集成到现有的电路板设计中。
    - 支持: 厂商提供了详细的规格书和技术支持文档,以便用户进行详细的技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 在高电流应用中晶体管过热。
    - 解决办法: 加强散热措施,如使用散热片或风扇来帮助降低结温。
    - 问题: 工作电压超出了最大额定值。
    - 解决办法: 重新检查电路设计,确保工作电压不超过绝对最大额定值。

    7. 总结和推荐


    总体而言,UB1580 是一款高性能的 PNP 复合晶体管,具有高击穿电压和大功率耗散能力。它特别适合需要高可靠性且空间有限的应用。然而,用户需注意不要超过绝对最大额定值,并合理设计散热方案以确保最佳性能。推荐在需要高性能晶体管的应用中考虑使用 UB1580。
    通过本文档的内容,用户可以更好地了解 UB1580 的特性和应用范围,从而做出更明智的设计决策。

UB1580G-AB3-R参数

参数
集电极截止电流 -
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
集电极电流 -
晶体管类型 -
通用封装 SOT-89

UB1580G-AB3-R数据手册

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UTC/台湾友顺科技 三极管(BJT) UTC/台湾友顺科技 UB1580G-AB3-R UB1580G-AB3-R数据手册

UB1580G-AB3-R封装设计

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150+ ¥ 0.5912
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