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IPAW60R280P7S

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INFINEON TECHNOLOGIES  IPAW60R280P7S

IPAW60R280P7S概述

    IPAW60R280P7S MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    IPAW60R280P7S 是一种高电压(600V)CoolMOS™ 第七代平台的功率晶体管,特别设计用于硬开关和软开关应用,如PFC(功率因数校正)和LLC(谐振半桥)变换器。它采用了超级结(Super Junction)原理,并由英飞凌科技公司率先推出。该产品以其出色的开关速度、低导通损耗以及优良的ESD(静电放电)保护能力著称,适用于广泛的电源范围和应用领域,包括PC银盒、适配器、液晶电视、照明系统、服务器及电信设备等。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):280mΩ
    - 典型栅极充电量 (Qg):18nC
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):36A
    - 输出电容 (Coss):14pF
    - 雪崩耐量 (Eoss):2.1μJ
    - 体二极管电流上升率 (diF/dt):900A/μs

    产品特点和优势


    - 高效能:极低的开关损耗和导通损耗,使其在硬开关和软开关应用中表现优异。
    - 易用性:低振铃倾向和出色的ESD鲁棒性(超过2kV),使得设计变得更加简便。
    - 增强的设计灵活性:由于具备较低的导通电阻和紧凑的封装,有助于提高系统的功率密度和制造质量。
    - 广泛应用性:适合多种应用,包括但不限于PFC阶段、硬开关PWM阶段和共振开关阶段。

    应用案例和使用建议


    IPAW60R280P7S MOSFET 被广泛应用于各类电源转换装置中。例如,在PC银盒的应用中,可以显著提高电源转换效率,降低发热。在适配器的应用中,由于其高效率和低功耗,可以延长电池寿命并减少体积。对于照明系统,其高可靠性确保长期稳定运行。
    使用建议:对于多MOSFET并联应用时,推荐在栅极上使用铁氧体磁珠或独立的达林顿对来确保稳定的电流分配。

    兼容性和支持


    IPAW60R280P7S 与大多数标准电路板设计兼容。英飞凌科技提供相关链接(见附录A),包括网页、应用指南和模拟模型,方便用户进行深入研究和设计验证。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率不稳定
    - 解决方案: 检查电路布局和接地设计,确保信号线没有过多的噪声干扰。
    2. 问题: 高温下性能下降
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如添加散热片或风扇,以保证工作温度在安全范围内。

    总结和推荐


    IPAW60R280P7S MOSFET凭借其卓越的性能、高效的能量转换和优秀的鲁棒性,是应用于多种电源转换场景的理想选择。推荐所有需要高性能和可靠性的电源设计师考虑此产品。

IPAW60R280P7S参数

参数
通用封装 TO-220FP-W
安装方式 通孔安装

IPAW60R280P7S厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPAW60R280P7S数据手册

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IPAW60R280P7S封装设计

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