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AS4C32M16D3-12BCNTR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 512Mb (32M x 16) 32 M x 16 1.425V 195mA 1.575V 800MHz Parallel 16bit FBGA-96 贴片安装,黏合安装
供应商型号: ZT-AS4C32M16D3-12BCNTR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) AS4C32M16D3-12BCNTR

AS4C32M16D3-12BCNTR概述


    产品简介


    产品类型: AS4C32M16D3-12BIN 和 AS4C32M16D3-12BCN 是 512Mb 双倍数据速率 3 (DDR3) 同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。
    主要功能: 这些芯片采用8个内部银行配置,以实现同时操作,并具有高速双数据速率传输率高达1866 Mb/s每针的功能。它们遵循JEDEC标准,并且可以通过多种模式寄存器进行编程设置。
    应用领域: 广泛应用于各种需要高数据传输速率的场合,如服务器、工作站、嵌入式系统和高性能计算系统等。

    技术参数


    - 电源要求: VDD 与 VDDQ = +1.5V ± 0.075V
    - 工作温度范围:
    - 商用级:0°C 到 95°C
    - 工业级:-40°C 到 95°C
    - 时钟频率: 最大时钟频率为800 MHz
    - 速度等级:
    - CAS延迟时间:11
    - tRCD(行地址至行选通):13.75 ns
    - tRP(行预充电):13.75 ns
    - 封装形式: 96-ball FBGA
    - 平均刷新周期:
    - 8192 周期/64ms(在 -40°C 至 +85°C 时)
    - 8192 周期/32ms(在 +85°C 至 +95°C 时)

    产品特点和优势


    - 高速数据传输: 能够提供高达1866 Mb/s每针的数据传输速率。
    - 低功耗设计: 支持JEDEC时钟抖动规范,能够实现全同步操作,从而减少能耗。
    - 灵活的配置: 提供多种模式寄存器和编程选项,包括多种加性延时设置、可编程突发长度等。
    - 耐热性和稳定性: 具有广泛的工作温度范围,适用于不同环境下的应用需求。
    - RoHS合规性: 无铅无卤素,符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 服务器和工作站: 用于高速缓存和主存储器。
    - 嵌入式系统: 适合于需要大量内存但对功耗有严格要求的应用。
    - 高性能计算系统: 如图形处理、科学计算等领域。
    使用建议:
    - 在应用时,确保芯片的供电电压稳定在+1.5V±0.075V范围内,避免电压波动导致性能下降。
    - 针对不同的工作温度环境,选择相应的工业级或商用级产品。
    - 初始化过程中严格按照规定的时序和步骤进行,确保芯片能正确启动和正常运行。
    - 定期执行ZQ校准以保持信号完整性,特别是在严苛环境下。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - AS4C32M16D3-12BIN 和 AS4C32M16D3-12BCN 与标准的DDR3接口完全兼容,易于与其他兼容DDR3标准的硬件连接。
    支持:
    - Alliance Memory Inc. 提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、技术文档以及技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 初始化失败:
    - 解决方案: 确保按照规定的时序和步骤执行,检查电源电压和时钟信号是否稳定。
    2. 读写错误:
    - 解决方案: 检查引脚连接是否正确,尤其是时钟和数据引脚,确认没有接触不良或短路。
    3. 数据传输速率低下:
    - 解决方案: 检查系统中是否有噪声干扰,确认所有接口都正确配置并且电源稳定。

    总结和推荐


    总体来说,AS4C32M16D3-12BIN 和 AS4C32M16D3-12BCN 是性能优越、可靠性高的DDR3 SDRAM芯片。其广泛的工作温度范围、低功耗特性以及高速数据传输能力使其非常适合在各种高性能应用中使用。如果您正在寻找一款稳定可靠的DDR3 SDRAM芯片,强烈推荐使用AS4C32M16D3-12BIN 和 AS4C32M16D3-12BCN。

AS4C32M16D3-12BCNTR参数

参数
最小工作供电电压 1.425V
组织 32 M x 16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 512Mb (32M x 16)
最大供电电流 195mA
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.575V
通用封装 FBGA-96
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AS4C32M16D3-12BCNTR厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS4C32M16D3-12BCNTR数据手册

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AS4C32M16D3-12BCNTR封装设计

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