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AS4C16M16D1A-5TIN

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 256Mb (16M x 16) 16 M x 16 2.3V 2.7V 200MHz Parallel 16bit TSOP-66 贴片安装
供应商型号: CGC-AS4C16M16D1A-5TIN
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN概述


    产品简介


    产品名称: AS4C16M16D1A DDR1 SDRAM
    产品类型: 高速CMOS双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)
    主要功能:
    - 高速时钟速率:200 MHz
    - 支持差分时钟(CK & CK)
    - 生物方向数据选通(Bi-directional Data Strobe, DQS)
    - 通过扩展模式寄存器(EMRS)可启用或禁用DLL
    - 全同步操作
    - 四个内部存储银行,每个银行为4M x 16位
    - 程序化模式和扩展模式寄存器
    应用领域:
    - 高带宽内存应用
    - 高性能主内存
    - 图形处理

    技术参数


    技术规格:
    - 内部架构:四银行架构
    - 内部存储容量:256 Mbits
    - 存储位宽:16位
    - 刷新周期:8192次刷新/64ms
    电气特性:
    - 工作电压:VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V
    - 输入参考电压:VREF = 0.5 VDDQ
    - 最大输入输出电压:-0.5V 至 VDDQ + 0.5V
    - 工作温度范围:商业级(0°C 至 70°C),工业级(-40°C 至 85°C)
    时钟频率:
    - 时钟频率:200MHz
    其他参数:
    - 差分时钟输入:CK 和 CK
    - 数据输入/输出(DQ):16位双向数据通道
    - 数据输入掩码(DM):支持独立字节写掩码控制

    产品特点和优势


    特点:
    - 高达200MHz的时钟速率
    - 支持全同步操作
    - 四个内部存储银行
    - 灵活的程序化模式和扩展模式寄存器
    优势:
    - 在高带宽内存应用中表现出色
    - 适合高性能主内存和图形处理
    - 多种配置选项满足不同需求

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高性能计算系统:AS4C16M16D1A DDR1 SDRAM能够支持大规模并行计算任务,适用于需要大量快速内存访问的应用场景。
    - 图形处理器:在图形处理中,高速数据传输对于图像渲染至关重要,AS4C16M16D1A能提供高效的内存带宽。
    使用建议:
    - 确保电源稳定性:由于工作电压要求严格(2.5V ± 0.2V),建议使用稳定的电源管理单元。
    - 散热设计:高时钟速率会产生较大热量,建议设计良好的散热系统以保持最佳性能。
    - 布局优化:考虑到信号完整性问题,推荐进行仔细的电路板布局设计,特别是高速信号路径的走线。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - AS4C16M16D1A DDR1 SDRAM与多种系统兼容,可通过调整模式寄存器设置以适应不同的应用需求。
    支持和服务:
    - Alliance Memory Inc. 提供全面的技术支持,包括硬件调试和软件编程指导。可以通过官方网站或技术支持热线获得帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问题一:系统无法正常启动
    - 解决方案: 检查电源供应是否稳定,确保所有连接正确无误。如果问题依旧,检查模式寄存器设置是否正确。
    - 问题二:内存访问速度慢
    - 解决方案: 确认时钟频率设置正确,并优化信号完整性。建议使用信号完整性分析工具进行排查。

    总结和推荐


    总结:
    AS4C16M16D1A DDR1 SDRAM 是一款高性能的内存解决方案,适用于需要高带宽和高性能的应用场景。其内部四银行结构、灵活的模式寄存器设置和广泛的温度适应能力使其成为市场上极具竞争力的产品之一。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用领域,强烈推荐此产品用于高性能计算、图形处理和其他需要高速内存访问的系统中。然而,在选择使用前请确保对系统的电源和散热设计进行了充分的考量。

AS4C16M16D1A-5TIN参数

参数
最小工作供电电压 2.3V
组织 16 M x 16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 256Mb (16M x 16)
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 2.7V
通用封装 TSOP-66
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

AS4C16M16D1A-5TIN厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS4C16M16D1A-5TIN数据手册

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ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) ALLIANCE MEMORY AS4C16M16D1A-5TIN AS4C16M16D1A-5TIN数据手册

AS4C16M16D1A-5TIN封装设计

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