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AS4C64M16D2B-25BCNTR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 1Gb (64M x 16) 64 M x 16 1.7V 250mA 1.9V 400MHz Parallel 16bit FBGA-84 贴片安装,黏合安装
供应商型号: ZT-AS4C64M16D2B-25BCNTR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) AS4C64M16D2B-25BCNTR

AS4C64M16D2B-25BCNTR概述


    产品简介


    AS4C64M16D2B-25BCN 是一款8银行双倍速率(DDR)DRAM芯片,容量为64Mx16,具有16位数据总线。它采用84球FBGA封装,设计用于高频率操作。该芯片能够通过使用多比特预取和同步输出数据到系统时钟来实现高速数据传输。这款DDR2 SDRAM芯片符合JEDEC标准,并提供多种关键功能,包括发布式CAS延迟、写延迟等于读延迟减一、片上终止(On-Die Termination)等。

    技术参数


    - 高频率数据传输率: 最高可达400 MHz。
    - 内部银行数: 8个。
    - 预取架构: 4位预取。
    - 可编程CAS延迟: 3、4、5、6、7。
    - 可编程添加延迟: 0、1、2、3、4、5、6。
    - 写延迟: 等于读延迟减一。
    - 可编程波形序列: 顺序或交错。
    - 可编程突发长度: 4和8。
    - 自动和控制预充电命令: 支持。
    - 电源下电模式: 支持。
    - 自刷新和自动刷新: 支持。
    - 刷新间隔: 0°C至85°C为7.8微秒,85°C至105°C为3.9微秒。
    - 片上终止(ODT): 支持。
    - 弱强度数据输出驱动选项: 支持。
    - 双向差分数据选通(DQS)信号: 支持。
    - 片内时钟延迟锁定(DLL)对齐: 支持。
    - 参考电压: 1.8V±0.1V。
    - 支持的电气特性:
    - 输入参考电压范围: VDD = 1.8V±0.1V。
    - 输入/输出引脚电平: VIN,VOUT范围为-0.5V到2.3V。
    - 存储温度范围: -55°C到+100°C。
    - 兼容性: 罗氏(RoHS)合规。
    - 部分阵列自刷新(PASR): 支持。

    产品特点和优势


    - 高性能: 高速数据传输率达到400 MHz,能够实现快速的数据处理。
    - 多任务处理能力: 8个内部银行支持并发操作,提高了随机访问速度。
    - 可编程特性: 包括可编程CAS延迟、添加延迟、突发长度等,为不同应用提供灵活性。
    - 能耗优化: 功耗管理功能如部分阵列自刷新(PASR)能够在待机状态下减少功耗。
    - 高可靠性: 通过片上终止(ODT)和自动刷新机制保障数据完整性。
    - 兼容性强: 罗氏(RoHS)合规,适用于各种环保要求严格的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和存储设备: 由于其高效的数据传输能力和低功耗,适合用于数据中心和企业级服务器。
    - 嵌入式系统: 在工业自动化、医疗设备和其他嵌入式系统中,可以提供可靠的数据存储和处理能力。
    - 手持设备: 在手机和平板电脑中,利用其小尺寸和高效能提升用户体验。
    使用建议
    - 系统设计优化: 结合使用8个内部银行并进行交错访问可以提高系统随机访问速度。
    - 性能调优: 适当调整CAS延迟和添加延迟以优化数据传输效率。
    - 功耗管理: 合理利用部分阵列自刷新功能,在不使用数据时减少功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 支持差分数据选通信号(DQS),适用于需要高速数据传输的应用。
    - 支持: 厂商提供了详细的技术手册和客户支持服务,帮助用户解决可能遇到的问题。
    - 维护信息: 需要按照规定的步骤进行初始化和设置,确保芯片正常运行。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 芯片在正常运行时突然失效。
    - 解决办法: 检查电源电压是否稳定,特别是VDD、VDDL和VDDQ。
    - 问题: 数据传输速率低于预期。
    - 解决办法: 检查DQS选通信号是否正确配置,确保DQS信号与系统时钟同步。
    - 问题: 初始化过程出现问题。
    - 解决办法: 参考手册中的初始化步骤,确保每个命令正确执行。

    总结和推荐


    综上所述,AS4C64M16D2B-25BCN 是一款性能优异且功能丰富的DDR2 SDRAM芯片,非常适合需要高速数据传输和高可靠性的应用场景。其独特的可编程特性和多任务处理能力使其在市场上具备很强的竞争优势。强烈推荐给需要高性能存储解决方案的设计者和制造商。
    如果您还有其他具体问题或需要进一步的信息,请随时告知。

AS4C64M16D2B-25BCNTR参数

参数
最小工作供电电压 1.7V
组织 64 M x 16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 1Gb (64M x 16)
最大供电电流 250mA
最大时钟频率 400MHz
最大工作供电电压 1.9V
通用封装 FBGA-84
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AS4C64M16D2B-25BCNTR厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS4C64M16D2B-25BCNTR数据手册

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ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) ALLIANCE MEMORY AS4C64M16D2B-25BCNTR AS4C64M16D2B-25BCNTR数据手册

AS4C64M16D2B-25BCNTR封装设计

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