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AS4C32M16MD1A-5BCN

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 512Mb (32M x 16) 32 M x 16 1.7V 85mA 1.9V 200MHz Parallel 16bit FGBA-60 贴片安装
供应商型号: CGC-AS4C32M16MD1A-5BCN
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) AS4C32M16MD1A-5BCN

AS4C32M16MD1A-5BCN概述


    产品简介


    AS4C32M16MD1A-5BCN 是一款高性能的同步双倍数据速率动态随机存储器(DDR SDRAM)。它由4个银行构成,每个银行包含8,192行和1024列,总容量为536,870,912位(即512 Mb)。该器件采用Alliance Memory公司的高性能CMOS技术制造,具有双倍数据率架构,能够在时钟周期内传输两倍的数据量,从而实现高速操作。这款内存芯片广泛应用于各种高带宽和高性能的存储系统中。

    技术参数


    - 电源电压:VDD/VDDQ = 1.7~1.95V
    - 数据宽度:x16
    - 时钟频率:200 MHz
    - 温度范围:扩展温度范围(-30°C 到 +85°C)
    - 刷新周期:7.8μs
    - 引脚配置:60球FPBGA封装
    - 寄存器延迟:CL = 2 和 3
    - 突发长度:2, 4, 8 和 16
    - 突发类型:顺序或交错
    - 功耗模式:支持部分阵列自刷新(PASR),自动温度补偿自刷新(ATCSR),低功耗模式和深度低功耗模式
    - 输出缓冲驱动强度:可编程
    - 地址输入:BA0 和 BA1

    产品特点和优势


    - 高速性能:最高可达200 MHz的时钟频率,适合高带宽应用。
    - 低功耗:支持多种低功耗模式,如深度低功耗模式(DPD)和部分阵列自刷新(PASR),降低功耗和热量。
    - 可靠性:提供广泛的温度范围支持(-30°C 至 +85°C),适用于严苛环境下的应用。
    - 多功能性:支持多种突发长度和突发类型,可编程的输出缓冲驱动强度,增强灵活性和适用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 便携式设备:由于其低功耗特性和高速度,适用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
    - 网络通信设备:可用于路由器、交换机和基站等需要大容量高速缓存的应用场景。
    - 汽车电子:能够承受较宽的温度范围,适用于汽车导航系统、娱乐系统和控制单元。
    使用建议
    - 初始化过程:严格按照初始化流程进行,确保所有参数正确配置。特别是对于寄存器的设置,必须确保所有命令在正确的状态下发送。
    - 时序管理:特别注意读取和写入时序的匹配,避免信号传输过程中出现延迟导致的数据错误。
    - 散热设计:虽然AS4C32M16MD1A-5BCN 支持较宽的温度范围,但在极端环境下仍需考虑良好的散热设计以保持稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:AS4C32M16MD1A-5BCN 与现有的FPBGA封装的电路板兼容,易于集成到现有设计中。
    - 支持和服务:Alliance Memory 提供详尽的技术文档和支持服务,包括初始故障排除和长期技术支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 无法正常初始化
    - 解决方案:检查所有步骤是否按正确顺序执行,特别是CKE和CS的配置。
    2. 数据读取错误
    - 解决方案:检查时序设置是否符合要求,特别注意读取延迟(CAS Latency)和DQS的设置。
    3. 功耗过高
    - 解决方案:启用部分阵列自刷新(PASR)或深度低功耗模式(DPD)来降低功耗。

    总结和推荐


    AS4C32M16MD1A-5BCN 是一款专为高带宽和高性能应用设计的DDR SDRAM,具备高数据传输速率、低功耗和广泛的温度支持等特点。其多功能性使其在便携式设备、网络通信设备和汽车电子等领域有着广泛的应用前景。强烈推荐给需要高性能存储解决方案的设计工程师和技术采购人员。

AS4C32M16MD1A-5BCN参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 512Mb (32M x 16)
最大供电电流 85mA
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.9V
最小工作供电电压 1.7V
组织 32 M x 16
数据总线宽度 16bit
通用封装 FGBA-60
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

AS4C32M16MD1A-5BCN厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS4C32M16MD1A-5BCN数据手册

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AS4C32M16MD1A-5BCN封装设计

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