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MJE3055T

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 8V@ 10A,3.3A NPN 75W 700μA 60V 10A TO-220 通孔安装
供应商型号: MJE3055T TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) MJE3055T

MJE3055T概述


    产品简介


    isc Silicon NPN Power Transistor MJE3055T 是一款高性能的硅基NPN功率晶体管,设计用于通用放大器和开关电路的应用场景。作为MJE2955T的互补型号,MJE3055T具有较低的批次间差异,确保了卓越的性能一致性和可靠性。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、音频放大器等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | Collector-Emitter Breakdown Voltage (V(BR)CEO) | 60 V |
    | Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)-1) | 1.1 V |
    | Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)-2) | 8.0 V |
    | Base-Emitter On Voltage (VBE(on)) | 1.8 V |
    | Collector Cutoff Current (ICEO) 0.7 | mA |
    | Collector Cutoff Current (ICBO) 10 | mA |
    | Emitter Cutoff Current (IEBO) 5.0 | mA |
    | DC Current Gain (hFE-1) | 20 | 100
    | DC Current Gain (hFE-2) | 5 |
    | Current Gain-Bandwidth Product (fT) 2.0 MHz |
    | Collector-Emitter Voltage (VCEO) 60 | V |
    | Collector Current (IC) 10 | A |
    | Base Current (IB) 6 | A |
    | Collector Power Dissipation (PC) 75 | W |
    | Junction Temperature (TJ) 150 | ℃ |
    | Storage Temperature Range | -55 150 | ℃ |
    热阻参数:
    - 热阻(Junction to Case):1.67 ℃/W

    产品特点和优势


    1. 高DC电流增益:MJE3055T具有较高的DC电流增益(hFE),适用于需要高电流放大能力的应用场景。
    2. 低饱和电压:其低饱和电压(VCE(sat))显著减少了功耗,适合高效能电路设计。
    3. 优良的温度稳定性:能够在宽广的工作温度范围内稳定运行(-55℃至150℃)。
    4. 可靠性和一致性:最低限度的批次间变化,确保长期运行的可靠性。
    5. 多功能应用:适用于通用放大器、开关电路及高频信号处理等多种场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 音频放大器:利用其低噪声特性和线性输出特性,MJE3055T可作为音频放大器中的关键功率管。
    - 直流电机控制:由于具备较大的连续电流承载能力,MJE3055T常用于驱动大功率直流电机。
    - 电源管理模块:MJE3055T可以作为开关元件,配合其他元器件构建高效的电源管理系统。
    使用建议
    - 在设计中需注意散热措施,尤其是在高功率应用时,建议采用外部散热片来降低热阻。
    - 为避免过压损坏,需合理配置外部保护电路,如TVS二极管或保险丝。
    - 对于高频应用,建议根据fT值调整输入信号频率,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    MJE3055T与市面上多种标准NPN功率晶体管兼容,例如TO-126封装的晶体管。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档下载、在线客服咨询以及技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 晶体管发热严重 | 添加外部散热片,增强散热效果。 |
    | 输出信号失真 | 调整偏置电路,确保静态工作点正常。 |
    | 无法达到预期电流承载能力 | 检查外围电路连接,确认供电电压是否足够。|

    总结和推荐


    总体而言,MJE3055T是一款性能优越的NPN功率晶体管,特别适合于需要高增益、低损耗和高可靠性的应用场景。其卓越的热稳定性和广泛的工作温度范围使其成为众多电子工程师的理想选择。强烈推荐在涉及大功率处理和高频工作的项目中使用MJE3055T。购买前建议仔细阅读官方技术手册,并根据实际需求进行选型。
    最终推荐指数:★★★★★

MJE3055T参数

参数
最大功率耗散 75W
VEBO-最大发射极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 8V@ 10A,3.3A
晶体管类型 NPN
配置 -
集电极截止电流 700μA
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 10A
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大集电极发射极饱和电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装

MJE3055T厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

MJE3055T数据手册

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ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) ISC/无锡固电半导体 MJE3055T MJE3055T数据手册

MJE3055T封装设计

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