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ES2G

产品分类: 其他二极管
产品描述: 封装:SMA/DO-214AC 参数:VR=100V IF=10A VF=0.85V IR=1000uA
供应商型号: ES2G SMA/DO-214AC
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
MDD/辰达半导体 其他二极管 ES2G

ES2G概述

    # 表面贴装超快恢复二极管

    产品简介


    表面贴装超快恢复二极管(Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier)是一种专门设计用于高频整流场合的半导体器件。其主要特点是具备超快的恢复时间,可以实现高效的电能转换。这类二极管广泛应用于电源转换器、逆变器、电机驱动器等电力电子设备中。

    技术参数


    额定值及电气特性
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最大重复峰值反向电压 (VRRM) | 最大有效值电压 (VRMS) | 最大直流阻断电压 (VDC) | 最大平均正向整流电流 (I(AV)) | 峰值正向浪涌电流 (IFSM) | 最大瞬时正向电压 (VF) | 最大直流反向电流 (IR) | 最大反向恢复时间 (trr) | 典型结电容 (CJ) | 典型热阻 (RθJA) |
    ||
    | 最大重复峰值反向电压 | VRRM | V | 50, 100, 150, 200, 300, 400, 600 | - | - | - | - | 1, 1.25, 1.68 | 5, 100 | - | 40 pF | 60 ℃/W |
    | 最大有效值电压 | VRMS | V | - | 35, 70, 105, 140, 210, 280, 420 | - | - | - | - | - | - | - | - |
    | 最大直流阻断电压 | VDC | V | - | - | 50, 100, 150, 200, 300, 400, 600 | - | - | - | - | - | - | - |
    | 最大平均正向整流电流 | I(AV) | A | - | - | - | 2.0 A | - | - | - | - | - | - |
    | 峰值正向浪涌电流 | IFSM | A | - | - | - | - | 60 A | - | - | - | - | - |
    | 最大瞬时正向电压 | VF | V | 1, 1.25, 1.68 | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
    | 最大直流反向电流 | IR | μA | 5, 100 | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
    | 最大反向恢复时间 | trr | ns | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
    | 典型结电容 | CJ | pF | - | - | - | - | - | - | - | 40 pF | - | - |
    | 典型热阻 | RθJA | ℃/W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 60 ℃/W |
    工作条件
    - 最大结温和存储温度范围:TJ, TSTG -55℃ 至 +150℃
    - 最大瞬时正向电压:2.0 A时为1.0 V
    - 典型结电容:40 pF (在1.0 MHz,施加4.0 V直流反向电压下)
    - 典型热阻:60 ℃/W
    - 峰值正向浪涌电流:8.3 ms单半正弦波叠加在额定负载上时为60 A

    产品特点和优势


    特点
    1. 低反向漏电流:确保长时间稳定运行,减少能耗。
    2. 内置应力释放机制:适合自动化放置,提高生产效率。
    3. 高正向浪涌电流能力:适应多种工况需求。
    4. 玻璃钝化芯片结:提升可靠性。
    5. JEDEC标准封装:易于集成,保证良好的机械稳定性。
    6. 高温焊接保证:在终端达到250°C/10秒内满足要求。
    优势
    1. 高性价比:相较于其他同类产品,该二极管具有较高的性价比。
    2. 高可靠性:能够在极端环境中保持稳定性能。
    3. 快速恢复:适用于高频电路,提高转换效率。
    4. 广泛的适用性:适用于各种复杂工况。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换器:用于高压直流到交流转换过程中的整流,提高电能转换效率。
    - 逆变器:在电力系统中实现高效能量转换。
    - 电机驱动器:在电机控制电路中实现有效的电流调节和保护。
    使用建议
    1. 选择合适的参数:根据实际应用场景选择适当的VRRM和I(AV)。
    2. 合理布局散热:确保器件的温度不超过最高限制,以提高长期稳定性。
    3. 关注测试条件:在设计测试电路时,需按照手册提供的条件进行测量,确保准确性和可靠性。
    4. 合理分配资源:在选择二极管时要综合考虑成本、性能和可靠性等因素。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品采用标准的JEDEC DO-214AA/SMB封装,与大多数表面贴装生产设备兼容,可广泛应用于现代电子产品制造中。
    支持和服务
    制造商提供详细的技术手册和技术支持,确保用户能

ES2G参数

参数
Vr-反向电压 400
If - 正向电流 2000
Ir - 反向电流 5μA
通用封装 SMB(DO-214AA)
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

ES2G厂商介绍

深圳辰达半导体有限公司 https://www.microdiode.com (简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。

公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。

展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

ES2G数据手册

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ES2G封装设计

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