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MMBT8550D

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 100nA 600mA SOT-23
供应商型号: 30C-MMBT8550D TO-236
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ST/东莞先科电子 三极管(BJT) MMBT8550D

MMBT8550D概述

    MMBT8550 PNP硅外延平面晶体管技术手册

    产品简介


    MMBT8550 是一款由 SEMTECH ELECTRONICS LTD. 生产的 PNP 硅外延平面晶体管,适用于开关和放大应用。该产品作为互补型晶体管,可以与 NPN 晶体管 MMBT8050 配合使用,以实现高效和可靠的电路设计。

    技术参数


    以下是 MMBT8550 的关键技术和电气特性参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 绝对最大额定值(Ta=25°C)
    | 集电极-基极电压 | -VCBO | - | - | 40 | V |
    | 集电极-发射极电压 | -VCEO | - | - | 25 | V |
    | 发射极-基极电压 | -VEBO | - | - | 6 | V |
    | 集电极电流 | -IC | - | - | 600 | mA |
    | 功耗 | Ptot | - | - | 350 | mW |
    | 结温 | Tj | - | - | 150 | °C |
    | 存储温度范围 | TStg | -55 | - | +150 | °C |
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 直流电流增益 | hFE | 100 | 160 | 250 | - |
    | 集电极-基极截止电流 | -ICBO | - | - | 100 | nA |
    | 集电极-基极击穿电压 | -V(BR)CBO | 40 | - | - | V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | -V(BR)CEO | 25 | - | - | V |
    | 发射极-基极击穿电压 | -V(BR)EBO | 6 | - | - | V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | -VCE(sat) | - | - | 0.5 | V |
    | 基极-发射极饱和电压 | -VBE(sat) | - | - | 1.2 | V |
    | 增益带宽积 | fT | - | 100 | - | MHz |

    产品特点和优势


    1. 高增益带宽积:fT 达到 100 MHz,确保了在高频下的优异性能。
    2. 高集电极电流能力:最大集电极电流为 600 mA,适合需要高驱动电流的应用。
    3. 宽温度范围:-55°C 到 +150°C 的存储温度范围,确保在各种极端环境下的稳定性。
    4. 高可靠性:绝对最大额定值下可承受高达 40 V 的电压,保障长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:
    - 开关电源
    - 信号放大器
    - 电机控制电路
    2. 使用建议:
    - 在高频应用中,尽量保持低 VCE(sat) 和 VBE(sat),以减少功耗和提升效率。
    - 注意在高电流情况下,散热设计必须充分,以防止过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    MMBT8550 可以与同系列的 NPN 晶体管 MMBT8050 配合使用,形成互补对称电路。SEMTECH ELECTRONICS LTD. 提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够快速解决问题并优化应用性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管过热。
    - 解决方法:改善散热设计,增加散热片或风扇辅助散热。
    2. 问题:输出信号失真。
    - 解决方法:检查输入信号的幅度和频率,调整偏置电阻以优化工作点。
    3. 问题:晶体管无法正常开启。
    - 解决方法:检查基极电流 IB 是否足够大,确保达到最小阈值电流。

    总结和推荐


    MMBT8550 是一款高性能的 PNP 硅外延平面晶体管,适用于多种电子设备和电路设计。其高增益带宽积、高电流能力和宽温度范围使其在多个应用场景中表现出色。尽管价格可能稍高,但其卓越的可靠性和性能表现值得投资。因此,强烈推荐使用 MMBT8550 以获得最佳的系统性能和稳定性。

MMBT8550D参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大功率耗散 -
集电极截止电流 100nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
晶体管类型 PNP
集电极电流 600mA
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 -
通用封装 SOT-23

MMBT8550D厂商介绍

ST公司(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,专注于开发和制造各种智能设备和物联网应用所需的微电子产品。ST的产品线广泛,包括微控制器、数字信号处理器、模拟和混合信号产品、分立器件、传感器以及汽车半导体等。

主营产品分类主要包括:
1. 微控制器(MCU):用于智能设备和嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理芯片、音频放大器等,广泛应用于消费电子和汽车领域。
3. 分立器件:如MOSFET、二极管等,用于电源管理和电子电路保护。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,用于智能手机、可穿戴设备和汽车安全系统。
5. 汽车半导体:为现代汽车提供关键的半导体解决方案,如动力总成控制、车身控制等。

ST的优势在于:
1. 技术创新:ST不断投资研发,推动半导体技术的创新。
2. 产品多样性:提供广泛的产品组合,满足不同市场和应用的需求。
3. 质量与可靠性:ST的产品以高质量和高可靠性著称,适用于严苛的应用环境。
4. 全球布局:ST在全球设有研发中心和制造工厂,能够快速响应客户需求。
5. 客户支持:ST提供强大的技术支持和客户服务,帮助客户实现产品快速上市。

MMBT8550D数据手册

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ST/东莞先科电子 三极管(BJT) ST/东莞先科电子 MMBT8550D MMBT8550D数据手册

MMBT8550D封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.0482
200+ ¥ 0.047
1500+ ¥ 0.0459
3000+ ¥ 0.0448
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