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FDD1600N10ALZ

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
产品描述:
供应商型号: FDD1600N10ALZ TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
UMW/友台半导体 动态随机存储器(DRAM) FDD1600N10ALZ

FDD1600N10ALZ概述

    100 V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    100 V N-Channel MOSFET 是一款适用于多种应用场合的高效能电子元件。这款MOSFET采用先进的工艺制造,旨在最小化导通电阻(RDS(ON))并保持卓越的开关性能。它广泛应用于消费电器、LED显示设备、同步整流系统、不间断电源及微型太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    以下为100 V N-Channel MOSFET的关键技术参数:
    - 耐压值 (VDSS):100 V
    - 最大栅源电压 (VGSS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C时为6.8 A,100°C时为4.3 A
    - 脉冲峰值电流 (IDM):13.6 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):5.08 mJ
    - 峰值反向恢复dv/dt:6.0 V/ns
    - 功率耗散 (PD):25°C时为14.9 W,超过25°C后每上升1°C,耗散功率减少0.12 W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG):-55°C至+150°C
    - 热阻 (RθJC):最大8.4°C/W
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):在10V VGS下小于124 mΩ,在5V VGS下小于175 mΩ

    产品特点和优势


    此款N-Channel MOSFET具备如下特点:
    - 低栅电荷 (Typ.2.78 nC):降低了门极驱动器的损耗。
    - 快速开关能力:显著减少了开关过程中的能量损失。
    - 增强的dv/dt能力:提高了系统在瞬态条件下的稳定性。
    - 无卤素 (RoHS):符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    在LED显示器中,通过选择合适的栅源电压 (VGS),可以在不同工作条件下保持较低的导通电阻,从而有效提高系统的能效。在消费电器应用中,选择恰当的工作温度区间可以确保设备在极端环境下也能稳定运行。对于同步整流系统,注意监控和调节输入和输出电容值以优化性能。

    兼容性和支持


    这款100 V N-Channel MOSFET与市面上多数电路设计兼容,尤其是那些需要高效率和紧凑设计的应用。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助工程师更好地理解和应用此产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:高频率工作时,开关损耗增加。
    解决方案:通过优化栅极电阻(RG)值来减小开关时间,降低开关损耗。
    - 问题2:过高的温度导致器件损坏。
    解决方案:确保良好的散热设计,如使用散热片或改进气流循环,同时监控并控制工作温度。

    总结和推荐


    总体而言,100 V N-Channel MOSFET是一款具有高效率和卓越性能的元件,特别适合于要求严格的工作环境中。无论是用于消费电子产品还是工业控制系统,它都能提供可靠的性能保证。因此,我们强烈推荐在需要高效能MOSFET的项目中使用此型号的产品。

FDD1600N10ALZ参数

参数
接口类型 -
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 -
最小工作供电电压 -
组织 -
数据总线宽度 -
通用封装 TO-252
包装方式 卷带包装

FDD1600N10ALZ厂商介绍

UMW公司是马来西亚的一家领先的工业产品分销商,拥有广泛的产品线和专业的技术支持。UMW主营产品主要分为以下几类:

1. 工业自动化:提供各种传感器、控制器、驱动器等,广泛应用于制造业、自动化生产线等领域。
2. 流体控制:包括各种阀门、泵等流体控制设备,服务于石油化工、水处理等行业。
3. 动力传动:提供电机、减速机等动力传动设备,适用于机械制造、物流输送系统等。
4. 电气产品:包括各种电气开关、电缆等,应用于建筑、基础设施建设等领域。

UMW的优势在于:

- 品牌合作:与多家国际知名品牌建立合作关系,提供高质量的产品。
- 技术支持:拥有专业的技术支持团队,为客户提供解决方案和售后服务。
- 供应链管理:强大的供应链管理能力,确保产品供应的稳定性和及时性。
- 市场覆盖:广泛的市场覆盖,服务多个行业和领域,满足不同客户的需求。

UMW公司通过其多元化的产品线和专业的服务,为客户提供一站式的工业产品解决方案。

FDD1600N10ALZ数据手册

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FDD1600N10ALZ封装设计

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