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KSB1151

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 300mV@ 0.2A,2A 60V 7V 5mA TO-126
供应商型号: KSB1151 TO-126 丝印: 档位:G档 200-400
供应商: 国内现货
标准整包数: 200
CJ/江苏长晶(长电) 三极管(BJT) KSB1151

KSB1151概述

    # KSB1151 PNP Transistor: Technical Overview and Application Guide

    产品简介


    KSB1151是一款TO-126封装的PNP型晶体管,具有低饱和电压、大集电极电流和高功率耗散等特点。该晶体管是KSD1691的互补型号,适用于各种需要高可靠性及良好性能的应用场景。该产品的典型应用领域包括电源管理、驱动电路以及各种工业控制设备。

    技术参数


    基本参数
    - 封装类型: TO-126
    - 引脚配置:
    - Emitter (引脚1)
    - Collector (引脚2)
    - Base (引脚3)
    主要技术规格
    | 参数符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | V(BR)CBO | IC=-100µA,IE=0 | -60 | - | -60 | V |
    | V(BR)CEO | IC=-1mA,IB=0 | -60 | - | -60 | V |
    | V(BR)EBO | IE=-100µA,IC=0 | -7 | - | -7 | V |
    | ICBO | VCB=-50V,IE=0 | - | - | -10 | µA |
    | IEBO | VEB=-7V,IC=0 | - | - | -10 | µA |
    | hFE(1) | VCE=-1V, IC=-2A | 100 | - | 400 | - |
    | hFE(2) | VCE=-1V, IC=-0.1A | 60 | - | - | - |
    | hFE(3) | VCE=-2V, IC=-5A | 50 | - | - | - |
    | VCE(sat) | IC=-2A,IB=-0.2A | -0.3 | - | - | V |
    | VBE(sat) | IC=-2A,IB=-0.2A | -1.2 | - | - | V |
    环境与热性能
    - 热阻: RθJA 从结点到环境 100 °C/W
    - 操作和存储温度范围: TJ, Tstg -55~+150 °C

    产品特点和优势


    KSB1151具有以下几个显著的特点和优势:
    - 低饱和电压: 这使得晶体管在导通状态下功耗更低,效率更高。
    - 大集电极电流: 支持高达5A的集电极电流,适合高电流应用。
    - 高功率耗散: 最大功率耗散为1.25W,能够在较高的环境温度下正常工作。
    - 互补型号: 作为KSD1691的互补型号,广泛应用于对称或互补电路设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    KSB1151广泛应用于各种电力管理和控制系统中。例如,在电源开关电路中,它可以用作负载的开关控制,确保稳定的电流输出。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑环境温度对晶体管热耗散的影响,避免因过高的温度导致性能下降。
    - 对于高电流应用场景,建议选用适当的散热措施以确保晶体管能够稳定工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性: KSB1151与TO-126封装的其他晶体管具有良好的互换性,可以方便地替换同类产品。
    - 支持与维护: 该产品由江苏长晶电子科技有限公司提供,厂家提供详细的用户手册和技术支持服务,以帮助用户更好地使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:晶体管发热严重
    解决方案: 检查散热措施是否到位,必要时增加散热片或风扇以提高散热效果。
    问题2:输出电流不稳定
    解决方案: 检查电源电压和负载电阻是否合适,调整至合适的工作状态。

    总结和推荐


    KSB1151 PNP晶体管凭借其卓越的性能和可靠性,成为许多高要求应用的理想选择。其低饱和电压、大集电极电流和高功率耗散等特点使其在市场上具有很高的竞争力。综上所述,我们强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高性能晶体管的应用中。
    本文通过对KSB1151的技术手册进行深入解析,提供了全面的产品信息、技术参数、特点优势以及应用指南。希望这些内容能够帮助用户更好地了解和使用该产品。

KSB1151参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 60V
VCEO-集电极-发射极最大电压 7V
最大集电极发射极饱和电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 0.2A,2A
最大功率耗散 -
集电极截止电流 -
配置 -
集电极电流 5mA
通用封装 TO-126

KSB1151厂商介绍

CJ公司是一家全球领先的高科技企业,专注于研发和生产各类高科技产品。公司主营产品包括电子产品、通信设备、计算机硬件和软件等,广泛应用于消费电子、工业自动化、医疗健康、教育科研等多个领域。

CJ公司的产品分类主要有以下几个方面:
1. 电子产品:包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。
2. 通信设备:包括基站、路由器、交换机等。
3. 计算机硬件:包括服务器、存储设备、网络设备等。
4. 计算机软件:包括操作系统、数据库、办公软件等。

CJ公司的优势主要体现在以下几个方面:
1. 技术创新:公司拥有强大的研发团队,不断推出创新产品,引领行业潮流。
2. 品质保证:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:公司提供全方位的售前、售中、售后服务,满足客户需求。
4. 市场布局:公司在全球范围内设有多个分支机构,产品远销世界各地。

KSB1151数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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KSB1151封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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400+ ¥ 0.6555
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