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W632GG6NB-11

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256MB 128Mx16 1.425V 235mA 1.575V 933MHz Parallel 16bit BGA 贴片安装
供应商型号: W632GG6NB-11 VFBGA-96(7.5X13)
供应商: 国内现货
标准整包数: 198
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GG6NB-11

W632GG6NB-11概述


    产品简介




    W632GG6NB DDR3 SDRAM

    W632GG6NB是一款高性能的DDR3 SDRAM存储芯片,具有16M x 8 Banks x 16 Bit的数据存储能力。这种类型的存储器广泛应用于需要高速数据处理和大容量存储的应用场景,例如服务器、工作站、网络设备及各种嵌入式系统。


    技术参数




    - 产品型号: W632GG6NB
    - 存储容量: 16M x 8 Banks x 16 Bit
    - 供电电压范围: 1.5V ± 0.075V
    - 工作温度范围: -40°C至+85°C
    - 数据传输率: 支持DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866, DDR3-2133
    - 功耗特性:
    - IDD最大值:取决于具体的工作频率和模式
    - IDDQ最大值:几微安级别
    - 时钟频率:
    - 自刷新模式下支持频率调整
    - 预充电功率下降模式下也支持频率调整
    - 输入/输出特性: 支持单端和差分信号,符合JEDEC标准


    产品特点和优势




    1. 高带宽和低延迟: W632GG6NB通过DDR3架构提供了高性能的数据传输速率和低延迟访问能力,非常适合大数据量、高速度的计算需求。
    2. 多功能模式寄存器配置: 产品提供了丰富的模式寄存器(MR)配置选项,允许用户根据特定的应用需求进行个性化设置,以优化性能或降低功耗。
    3. 多种电源管理特性: 包括自刷新模式、预充电功率下降模式和动态ODT调节等,有效提高能效和延长电池寿命。
    4. 高级可靠性功能: 支持如ZQ校准、断点恢复等功能,确保在复杂多变的环境中也能保持稳定可靠的运行。


    应用案例和使用建议




    W632GG6NB被广泛用于高性能计算、数据中心、工业自动化等领域。例如,在服务器应用中,可通过配置自刷新模式减少能耗;在实时数据处理系统中,利用低延迟读写特性提升整体效率。

    使用建议:
    - 在选择应用模式时,依据具体的应用场景和需求,合理配置MR寄存器,例如通过调整CAS Latency(CL)来平衡速度与延迟。
    - 针对不同工作环境和温度条件,建议使用动态ODT功能,以保持最佳的信号完整性。
    - 考虑到长期运行的稳定性,应定期执行ZQ校准操作。


    兼容性和支持




    W632GG6NB严格遵循JEDEC标准,确保与现有的大多数电路设计和系统平台兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括软件模拟工具、测试工具包和应用指南,帮助开发者快速上手并解决问题。


    常见问题与解决方案




    - 问题: 如何在不同工作频率之间切换?
    - 解答: 参考技术手册中关于频率变化的章节(第8.8节),按照规定的步骤执行即可安全高效地完成频率切换。

    - 问题: 自刷新模式下,DDR3存储器如何维持数据完整性?
    - 解答: 参阅第8.16节有关自刷新操作的描述,确保了解正确的启动、维护和退出流程,以保持数据的一致性和可靠性。


    总结和推荐




    W632GG6NB DDR3 SDRAM凭借其强大的性能、高度的灵活性和出色的兼容性,在众多高性能计算和存储应用中表现出色。无论是从功能丰富性还是应用广泛性来看,都是一款值得推荐的产品。针对需要高性能存储和数据处理的应用场景,W632GG6NB无疑是一个明智的选择。

W632GG6NB-11参数

参数
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 128Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 256MB
最大供电电流 235mA
最大时钟频率 933MHz
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

W632GG6NB-11数据手册

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W632GG6NB-11封装设计

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