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W25Q16BVSSIG

厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2MB 2.7V~3.6V 2MX8 2.7V FLASH,Non-Volatile 3.6V 104MHz 6ns SPI-Quad I/O 20Year SOIC-8 贴片安装 5.28mm*5.28mm*1.95mm
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WINBOND/台湾华邦 带电可擦可编程只读存储器(EEPROM) W25Q16BVSSIG

W25Q16BVSSIG概述

    # W25Q16BV 16M-bit Serial Flash Memory Product Overview

    1. 产品简介


    W25Q16BV 是一款由Winbond公司推出的16M位串行闪存芯片,提供了一种针对空间、引脚和电源受限系统的存储解决方案。这款产品属于25Q系列,具有普通串行闪存所不具备的高度灵活性和卓越性能。W25Q16BV非常适合用于代码影子映射(Code Shadowing)、直接从双/四路SPI执行代码(XIP模式),以及存储语音、文本和数据等多种用途。它采用单电源供电(2.7V到3.6V),待机时电流消耗低至1μA,非常适合低功耗应用场景。

    2. 技术参数


    以下是W25Q16BV的技术规格和性能参数:
    - 容量: 16M位(2M字节)
    - 组织结构: 8,192页,每页256字节
    - 支持指令集: 标准SPI、双输出SPI、四输出SPI及相应的I/O模式
    - 接口速度: 最高支持104MHz时钟频率;使用快速读取双输出/四输出指令时,可达到208MHz(双输出)或416MHz(四输出)等效速率
    - 擦写周期: 超过10万次
    - 数据保留时间: 超过20年
    - 工作电压范围: 2.7V~3.6V
    - 工作温度范围: -40°C~+85°C

    3. 产品特点和优势


    W25Q16BV以其高性能、灵活性和安全性著称,具体体现在以下几个方面:
    - 高性能: 其最大数据传输速率为50MB/s,是普通串行闪存的八倍以上。
    - 灵活性强: 支持多种SPI模式,并且具有均匀的4KB扇区大小,便于数据管理和保护。
    - 低功耗: 活动状态下仅需4mA,待机状态下的电流消耗小于1μA。
    - 高级安全功能: 包括软件和硬件写保护机制、顶部或底部阵列选择性保护、一次可编程区域锁定等。
    - 兼容性强: 提供了标准SOIC封装、WSON贴片式封装以及PDIP插针式封装等多种形式以适应不同设计需求。

    4. 应用案例和使用建议


    W25Q16BV被广泛应用于各种嵌入式系统中,如物联网设备、工业控制板卡、医疗监测仪器等领域。例如,在一个智能家居网关项目中,可以利用W25Q16BV来存储配置文件和日志信息。为了更好地发挥其性能,建议用户根据实际需求合理规划扇区分配,并确保正确配置写保护寄存器以防误操作导致的数据丢失。

    5. 兼容性和支持


    W25Q16BV与市场上主流的微控制器和处理器均保持良好兼容性,能够无缝集成进现有的硬件平台内。此外,Winbond公司提供了全面的技术文档和支持服务,帮助开发者快速上手并解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一: 如何确定当前设备处于繁忙状态?
    解决方法: 查询状态寄存器中的BUSY位即可得知设备是否正在执行擦除或编程任务。
    - 问题二: 遇到了擦除失败的情况怎么办?
    确保选择了正确的擦除命令(如Sector Erase、Block Erase等),并且检查是否有足够的预擦除延迟时间。

    7. 总结和推荐


    综上所述,W25Q16BV凭借其出色的性能表现、灵活的操作模式以及可靠的安全保障,在众多串行闪存产品中脱颖而出。对于需要高性能、低功耗且对存储容量有一定要求的应用场合而言,这是一款非常值得考虑的选择。强烈推荐给那些寻求高效能低成本存储解决方案的专业人士。

W25Q16BVSSIG参数

参数
存储容量 2MB
最大访问时间 6ns
数据保留时长 20Year
输出使能访问时间 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
存储器类型 FLASH,Non-Volatile
接口类型 SPI-Quad I/O
组织 2MX8
最大时钟频率 104MHz
编程电压 2.7V~3.6V
长*宽*高 5.28mm*5.28mm*1.95mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

W25Q16BVSSIG数据手册

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W25Q16BVSSIG封装设计

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