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W9864G6KH-6/REEL

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 8MB 4Mx16 3V 75mA 3.6V 166MHz LVTTL 16bit SOP 贴片安装 22.22mm*10.16mm*1mm
供应商型号: UA-W9864G6KH-6/REEL
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W9864G6KH-6/REEL

W9864G6KH-6/REEL概述

    W9864G6KH SDRAM 技术手册解析

    1. 产品简介


    W9864G6KH是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),其组织结构为1M words × 4 banks × 16 bits。它能够提供高达200M words每秒的数据带宽。根据不同的应用需求,W9864G6KH分为四种速度等级:-5, -6, -6I 和 -7。其中,-5级可以运行到最高200MHz/CL3,而-6和-6I级(工业级)可以运行到最高166MHz/CL3,且-6I级在-40°C到85°C的温度范围内保证性能,-7级则可以在143MHz/CL3下稳定运行。
    W9864G6KH主要应用于高性能应用中的主内存,具备多银行结构,能够通过交错模式隐藏预充电时间,适用于高带宽、高频率的应用场景。

    2. 技术参数


    - 供电电压:-5, -6, -6I 速级为3.3V±0.3V;-7速级为2.7V~3.6V。
    - 时钟频率:最高可达200MHz。
    - 组织结构:1,048,576 words × 4 banks × 16 bits。
    - 自刷新电流:标准及低功耗两种模式。
    - CAS延迟:2和3。
    - 突发长度:1, 2, 4, 8和全页。
    - 顺序和交错突发:支持。
    - 数据字节控制:由LDQM, UDQM控制。
    - 自动预充电和受控预充电:支持。
    - 接口:LVTTL。
    - 封装:TSOP II 54-pin,400 mil,符合RoHS标准。

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:支持高达200MHz的时钟频率,适合高性能应用。
    - 多银行结构:能够通过交错模式隐藏预充电时间,提升系统整体性能。
    - 灵活的配置:通过编程Mode Register,系统可以改变突发长度、延迟周期、交错或顺序突发,以最大化性能。
    - 温度范围广:-6I工业级在-40°C到85°C之间仍能稳定运行,适应多种环境。

    4. 应用案例和使用建议


    W9864G6KH广泛应用于高性能计算机、服务器等领域。例如,在多任务处理环境中,其高效的数据读写能力和良好的多银行性能能够显著提高系统整体效率。建议在设计系统时,考虑其多银行结构的交错模式,以充分利用内部银行的并行处理能力,从而实现无缝数据访问。

    5. 兼容性和支持


    W9864G6KH采用TSOP II 54-pin封装,支持LVTTL接口,易于集成到现有的系统中。制造商提供详细的文档和技术支持,确保用户能够轻松理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何初始化设备?
    - 解决办法:按照手册中的说明进行,确保所有VDD和VDDQ引脚同时上升至指定电压,初始暂停200µs后,执行预充电命令和模式寄存器设置命令。

    - 问题2:如何避免数据竞争?
    - 解决办法:在初始暂停期间,确保DQM和CKE引脚保持高电平状态,防止数据竞争。

    7. 总结和推荐


    W9864G6KH作为一款高性能SDRAM,其支持高速数据传输、多银行结构和广泛的温度范围,使其成为高性能应用的理想选择。对于需要高效数据处理和存储的系统,强烈推荐使用此款SDRAM。详细的技术文档和支持能够帮助用户快速上手并充分发挥其性能。

W9864G6KH-6/REEL参数

参数
最小工作供电电压 3V
组织 4Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 LVTTL
存储容量 8MB
最大供电电流 75mA
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 3.6V
长*宽*高 22.22mm*10.16mm*1mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装

W9864G6KH-6/REEL数据手册

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W9864G6KH-6/REEL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 1.1125 ¥ 9.3228
2000+ $ 1.0688 ¥ 8.9561
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